科技日報報道，美國麻省理工學(xué)院某跨學(xué)科團隊開發(fā)出一種低溫生長工藝，可直接在硅芯片上有效且高效地“生長”二維（2D）過渡金屬二硫化物（TMD）材料層，以實現(xiàn)更密集的集成。相關(guān)論文發(fā)表在《自然·納米技術(shù)》雜志上。

這項技術(shù)繞過之前與高溫和材料傳輸缺陷相關(guān)的問題，縮短生長時間，并允許在較大的8英寸晶圓上形成均勻的層，這使其成為商業(yè)應(yīng)用的理想選擇。

據(jù)介紹，讓2D材料直接在硅片上生長是一個重大挑戰(zhàn)，這一過程通常需要大約600℃高溫，而硅晶體管和電路在加熱到400℃以上時可能會損壞。新開發(fā)的低溫生長過程則不會損壞芯片。過去，研究人員在其他地方培育2D材料后，再將它們轉(zhuǎn)移到芯片或晶片上，這往往會導(dǎo)致缺陷，影響最終器件和電路的性能。此外，在晶片規(guī)模上順利轉(zhuǎn)移材料也極其困難。相比之下，這種新工藝可在8英寸晶片上生長出一層光滑、高度均勻的層。

科技日報消息指出，新技術(shù)能顯著減少“種植”這些材料所需時間。以前方法需要一天多的時間才能生長出一層2D材料，而新方法可在一小時內(nèi)在8英寸晶片上生長出均勻的TMD材料層。（校對/姜羽桐）