天眼查顯示，華中科技大學(xué)“提高老化3DNORFLASH芯片擦寫(xiě)速度的方法及系統(tǒng)”專利公布，申請(qǐng)公布日為6月9日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN116246981A。

圖源：天眼查

專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種提高老化3D NOR FLASH芯片擦寫(xiě)速度的方法及系統(tǒng)，屬于信息存儲(chǔ)器領(lǐng)域，方法包括：當(dāng)待測(cè)3D NOR FLASH芯片目標(biāo)扇區(qū)處于正常工作狀態(tài)時(shí)，根據(jù)預(yù)設(shè)程序?qū)δ繕?biāo)扇區(qū)循環(huán)依次進(jìn)行寫(xiě)入、讀取和擦除操作，每隔若干次循環(huán)次數(shù)，記錄目標(biāo)扇區(qū)當(dāng)前寫(xiě)入和擦除的時(shí)長(zhǎng)；基于目標(biāo)扇區(qū)當(dāng)前寫(xiě)入和擦除的時(shí)長(zhǎng)，若判斷待測(cè)3D NOR FLASH芯片的工作狀態(tài)已達(dá)到老化閾值，則控制加熱時(shí)長(zhǎng)和溫度，對(duì)待測(cè)3D NOR FLASH芯片進(jìn)行加熱操作，提升待測(cè)3D NOR FLASH芯片讀寫(xiě)擦速度。

據(jù)悉，本發(fā)明解決了芯片老化后，擦寫(xiě)速度退化下降導(dǎo)致工作效率變低的問(wèn)題。（校對(duì)/劉沁宇）