1.“SEMI-越南半導(dǎo)體博覽會2025”11月召開，搶占東南亞市場先機(jī)不可錯失！
2.中國數(shù)模龍頭艾為電子2025年半年報解讀：從穩(wěn)健增長到價值重塑
3.英特爾分拆公司Altera宣布在硅谷總部裁員近百人
4.特朗普政府?dāng)M入股英特爾！力挺俄亥俄州晶圓廠建設(shè)
5.HBM驅(qū)動鍵合革命：AI算力時代的半導(dǎo)體設(shè)備新戰(zhàn)場
6.偷技術(shù)搶專利撬客戶，忍不了！600億市值設(shè)備巨頭亮劍維權(quán)
7.特朗普：芯片關(guān)稅兩周內(nèi)制定，或高達(dá)300%
8.傳英偉達(dá)入局HBM 臺積電仍是合作伙伴中大贏家
1.“SEMI-越南半導(dǎo)體博覽會2025”11月召開，搶占東南亞市場先機(jī)不可錯失！
由SEMI新加坡主辦的SEMI-越南半導(dǎo)體博覽會2025(SEMIEXPO Vietnam2025)將于2025年11月7-8日在越南河內(nèi)舉行，愛集微作為支持單位及中國總代理，本次活動預(yù)計吸引 250 家展商、近 5000 名海內(nèi)外專業(yè)觀眾，涵蓋政策制定者、投資者、專家學(xué)者及媒體代表，成為中國半導(dǎo)體企業(yè)開拓東南亞市場的核心樞紐。
快速成長：成中國企業(yè)出海戰(zhàn)略首選地
越南近年來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速成長，也成為中國企業(yè)出海拓展東南亞市場的首選基地之一。數(shù)據(jù)顯示，越南半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模2024年達(dá)182.3億美元，年均增速11.48%，封裝測試環(huán)節(jié)全球占比提升至15%。
政策紅利與產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢：越南國會近期通過《科技與創(chuàng)新法》與《數(shù)字技術(shù)產(chǎn)業(yè)法》兩部關(guān)鍵基礎(chǔ)性法律。越南政府將把國家預(yù)算3%用于科技創(chuàng)新發(fā)展。2025年，越南政府?dāng)M從新增財政收入和儲備中撥出10萬億越盾（約4.41億美元），用于推動科技創(chuàng)新和數(shù)字化轉(zhuǎn)型工作。
中國企業(yè)先行布局：歌爾股份、京東方等中國企業(yè)已在河內(nèi)及周邊省市建立生產(chǎn)基地，與三星、英特爾等形成協(xié)同效應(yīng)。2025上半年，中國集成電路對越南出口123億美元，占比達(dá)13.6%。越南簽署多項自由貿(mào)易協(xié)定，形成低關(guān)稅壁壘的供應(yīng)鏈網(wǎng)絡(luò)，成為全球消費(fèi)電子增速最快的市場之一。
SEMIEXPO Vietnam 2025：鏈接全球資源的核心平臺
本次展會由SEMI新加坡主辦，聚焦集成電路設(shè)計、電子制造服務(wù)、制造/設(shè)備自動化、供應(yīng)鏈（物流）等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，設(shè)置200 +標(biāo)準(zhǔn)展位及主題展區(qū)，將吸引ASML、英偉達(dá)、三星、高通、英特爾、Marvell、Skyworks、Cadence、科磊、ASMPT、愛德萬測試、立訊精密等國際企業(yè)及越南本土廠商參與。由此，參與本次展會將獲得三大核心收益：
直接觸達(dá)關(guān)鍵環(huán)節(jié)：大會設(shè)立高層對話環(huán)節(jié)，將與越南副總理直接對話。越南財政部、科技部官員將深度解析發(fā)展戰(zhàn)略。
對接當(dāng)?shù)禺a(chǎn)業(yè)鏈：推出供應(yīng)商采購計劃（SSP），覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈條，參會者可現(xiàn)場對接，快速構(gòu)建本地化網(wǎng)絡(luò)。
探索市場新機(jī)會：越南既有RCEP框架下的關(guān)稅優(yōu)勢，又可探索東南亞市場新機(jī)會，搶占6.8億人口紅利。
攜手同行：共繪東南亞半導(dǎo)體新藍(lán)圖
越南正以政策、成本與供應(yīng)鏈優(yōu)勢融入全球半導(dǎo)體格局，SEMIEXPO Vietnam 2025 將成為中國企業(yè)進(jìn)入?yún)^(qū)域生態(tài)的“黃金入口”。SEMIEXPO Vietnam 2025 將為中國企業(yè)提供從參展到落地的全周期服務(wù)，助力其在越南實現(xiàn)市場與供應(yīng)鏈的雙重突破。
此次盛會不僅是技術(shù)與產(chǎn)品的展示舞臺，更是洞察東南亞市場脈搏、構(gòu)建跨境合作網(wǎng)絡(luò)的戰(zhàn)略機(jī)遇。誠邀業(yè)界同仁共赴河內(nèi)，把握半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“東移”浪潮，共創(chuàng)區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈新未來！
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孟女士13401132466(同微信）
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2.中國數(shù)模龍頭艾為電子2025年半年報解讀：從穩(wěn)健增長到價值重塑
2025年，隨著人工智能基礎(chǔ)設(shè)施加速部署、先進(jìn)制程芯片產(chǎn)能釋放以及消費(fèi)電子終端需求復(fù)蘇，全球半導(dǎo)體行業(yè)延續(xù)上行態(tài)勢。世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織（WSTS）預(yù)測，2025年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)7009億美元，較2024年增長11.2%。
受益市場需求增長以及此前布局的創(chuàng)新成果批量落地，上海艾為電子技術(shù)股份有限公司（股票簡稱：艾為電子，股票代碼：688798）于2025年上半年憑借技術(shù)深耕與市場拓展，交出了一份“營收結(jié)構(gòu)優(yōu)化、利潤大幅增長、毛利率持續(xù)提升”的亮眼成績單。
盈利韌性愈發(fā)凸顯，經(jīng)營質(zhì)量持續(xù)升級
財報數(shù)據(jù)顯示，艾為電子上半年實現(xiàn)營收13.7億元，利潤總額1.53億元，同比增長81.22%；歸屬于上市公司股東的凈利潤1.57億元，同比增長71.09%；扣非后凈利潤1.23億元，同比增長81.88%，盈利增速行業(yè)領(lǐng)先。
這一增長主要源于三大驅(qū)動因素：一是高毛利產(chǎn)品占比持續(xù)提升，帶動綜合毛利率攀升至36.12%，較上年同期提升8.03個百分點(diǎn)，其中第二季度毛利率達(dá)37.04%，環(huán)比提升1.98個百分點(diǎn)；二是存貨管理效率優(yōu)化，期末存貨較上年同期下降，對應(yīng)存貨跌價準(zhǔn)備減少，釋放利潤空間；三是持有的上市公司股票公允價值變動收益同比增長，非經(jīng)常性損益貢獻(xiàn)合理增量。
其中，利潤總額、歸母凈利潤、扣非凈利潤的“三升”態(tài)勢印證了公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的持續(xù)優(yōu)化，這背后是艾為電子在高性能數(shù)?；旌?、電源管理、信號鏈等核心領(lǐng)域的技術(shù)突破，高附加值產(chǎn)品如車規(guī)級芯片、工業(yè)級傳感器等出貨占比不斷提升，推動整體盈利水平上臺階。
與此同時，艾為電子上半年經(jīng)營活動產(chǎn)生的現(xiàn)金流量凈額達(dá)7875.21萬元，同比大增276.46%，主要得益于“銷售商品收到的款項與購買商品支付的貨款凈額”大幅增加，體現(xiàn)出公司“營收轉(zhuǎn)化為現(xiàn)金”的能力顯著增強(qiáng)。同時，期末歸屬于上市公司股東的凈資產(chǎn)達(dá)40.4億元，較上年末增長2.97%，資產(chǎn)結(jié)構(gòu)穩(wěn)健，為后續(xù)發(fā)展奠定堅實基礎(chǔ)。
研發(fā)投入加碼，從“填補(bǔ)空白”到“定義標(biāo)準(zhǔn)”
作為一家專注于高性能數(shù)模混合信號、電源管理、信號鏈的集成電路設(shè)計企業(yè)，艾為電子始終將技術(shù)創(chuàng)新作為核心驅(qū)動力。2025年上半年，公司研發(fā)投入達(dá)2.63億元，占營業(yè)收入比例19.2%，較上年同期提升3.21個百分點(diǎn)，高強(qiáng)度研發(fā)投入為技術(shù)突破與產(chǎn)品迭代提供了強(qiáng)勁支撐。
截至2025年6月末，艾為電子累計獲得國內(nèi)外專利684項（其中發(fā)明專利440項，實用新型專利238項，外觀設(shè)計專利6項），集成電路布圖設(shè)計專有權(quán)610項，軟件著作權(quán)131項，形成了覆蓋“數(shù)?；旌稀㈦娫垂芾?、信號鏈”三大領(lǐng)域的核心技術(shù)矩陣。例如，在射頻前端領(lǐng)域，公司研發(fā)的“低噪聲放大器超級線性度技術(shù)（SLT）”將線性度提升超5dB，打破國外巨頭壟斷；在電源管理領(lǐng)域，“高Ipeak限流精度技術(shù)”將精度控制在±4%以內(nèi)，為客戶提供更精準(zhǔn)的電感選型方案；在音頻領(lǐng)域，“雙級AGC技術(shù)”可在極短時間內(nèi)完成10dB衰減，既保護(hù)喇叭又提升音量，填補(bǔ)了國內(nèi)高端音頻功放的技術(shù)空白；在散熱領(lǐng)域，基于“壓電陶瓷逆效應(yīng)”技術(shù)開發(fā)的新一代微泵液冷主動散熱驅(qū)動方案，同樣填補(bǔ)了國內(nèi)空白，憑借超低功耗、超小體積、超高背壓流量以及超靜音散熱的特性，極大滿足搭載了高性能芯片或算力芯片的消費(fèi)電子、工業(yè)互聯(lián)設(shè)備的散熱需求。
上半年，艾為電子主要產(chǎn)品型號達(dá)1500余款，2025年上半年度產(chǎn)品銷量超27億顆，重要的是，公司多款創(chuàng)新產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)或試產(chǎn)，從單一芯片供應(yīng)商向“硬件+算法+服務(wù)”的系統(tǒng)解決方案提供商轉(zhuǎn)型。
在汽車電子領(lǐng)域，車規(guī)T-BOX音頻功放芯片、4*80W車規(guī)音頻功放芯片通過AEC-Q100認(rèn)證并批量出貨，首款車規(guī)級LIN RGB氛圍燈驅(qū)動SoC芯片在多家車企量產(chǎn)出貨，該產(chǎn)品集成高壓LIN PHY、MCU及顏色校正算法，為汽車智能座艙提供單芯片解決方案；在消費(fèi)電子領(lǐng)域，新一代壓電微泵液冷主動散熱驅(qū)動方案滿足高算力手機(jī)、AI眼鏡等設(shè)備的散熱需求，Haptic觸覺反饋芯片支持硅負(fù)極電池供電，在多品牌手機(jī)客戶試產(chǎn)出貨；在工業(yè)領(lǐng)域，30V以上磁傳感器位置檢測產(chǎn)品和電機(jī)驅(qū)動產(chǎn)品豐富了工業(yè)級產(chǎn)品線，推動工業(yè)互聯(lián)領(lǐng)域收入快速增長。伴隨新產(chǎn)品加速落地，艾為電子正重塑終端解決方案。
在硬件領(lǐng)域持續(xù)突破之時，艾為電子還通過算法創(chuàng)新構(gòu)建生態(tài)壁壘。例如，awinicSKTune?神仙算法結(jié)合機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)，根據(jù)音頻信號動態(tài)優(yōu)化音效，已獲得行業(yè)頭部客戶認(rèn)可并實現(xiàn)銷售；awinicTikTap?4D觸覺Engine軟硬件一體方案支持隨音振動、游戲場景智能識別，將振動反饋從“單一觸感”升級為“沉浸式體驗”。此外，公司主導(dǎo)起草《震動觸覺反饋系統(tǒng)設(shè)計要求》等團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，參與制定《虛擬及增強(qiáng)現(xiàn)實設(shè)備的聲學(xué)性能技術(shù)規(guī)范》，從“技術(shù)跟隨”走向“標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)”。
消費(fèi)電子筑基，工業(yè)與汽車成新增長極
艾為電子以“新智能硬件”為核心應(yīng)用場景，上半年在消費(fèi)電子、工業(yè)互聯(lián)、汽車電子三大領(lǐng)域全面突破，客戶結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化，市場份額穩(wěn)步提升。
其中，消費(fèi)電子為基本盤。在智能手機(jī)、PC、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域，公司產(chǎn)品覆蓋小米、OPPO、vivo、傳音、微軟、Samsung、TCL、聯(lián)想、Meta、Amazon、Google等頭部品牌，以及華勤、聞泰科技、龍旗科技等知名ODM廠商。上半年，首款數(shù)字中功率功放產(chǎn)品在行業(yè)頭部客戶量產(chǎn)，攝像頭光學(xué)防抖（OIS）芯片實現(xiàn)開環(huán)/閉環(huán)全系列規(guī)模出貨，SMA馬達(dá)驅(qū)動芯片導(dǎo)入品牌客戶并規(guī)?；慨a(chǎn)，消費(fèi)電子領(lǐng)域收入雖受短期需求波動影響，但通過高端品類（如折疊屏手機(jī)、AI PC）的滲透，保持了盈利貢獻(xiàn)的穩(wěn)定性。
工業(yè)互聯(lián)領(lǐng)域則持續(xù)突破增長空間。公司針對工業(yè)場景對“高可靠性、寬電壓、抗干擾”的需求，推出30V以上磁傳感器位置檢測產(chǎn)品、高壓多路半橋馬達(dá)驅(qū)動芯片等，已在工業(yè)自動化、智慧安防、新能源設(shè)備等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量出貨。同時，APT buck-boost產(chǎn)品在5G redcap模塊、工業(yè)客戶中大規(guī)模量產(chǎn)，電源管理芯片在服務(wù)器、逆變器等領(lǐng)域的滲透率不斷提升，工業(yè)互聯(lián)成為繼消費(fèi)電子之后的第二增長曲線。
重要的是，汽車電子加速進(jìn)入收獲期。隨著新能源汽車滲透率提升，公司車規(guī)級產(chǎn)品進(jìn)入放量階段，已導(dǎo)入長安、阿維塔、零跑、奇瑞、吉利、現(xiàn)代、五菱等車企供應(yīng)鏈。車規(guī)級音頻功放芯片、LIN RGB氛圍燈驅(qū)動芯片、音樂律動MCU等產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)出貨，其中車規(guī)級4*80W音頻功放芯片通過AEC-Q100認(rèn)證，滿足汽車信息娛樂系統(tǒng)的高功率需求；車載T-BOX電源管理芯片為車聯(lián)網(wǎng)通訊提供穩(wěn)定供電，推動汽車電子收入同比大幅增長。按照規(guī)劃，上海臨港車規(guī)級測試中心項目將于2025年第四季度土建竣工，建成后將顯著提升車規(guī)芯片的可靠性驗證能力，加速汽車領(lǐng)域的國產(chǎn)替代進(jìn)程。
技術(shù)筑基+生態(tài)協(xié)同，邁向平臺型芯片企業(yè)
展望未來，艾為電子將繼續(xù)聚焦“高性能數(shù)?；旌?、電源管理、信號鏈”三大核心領(lǐng)域，通過“技術(shù)深耕、產(chǎn)品迭代、市場拓展”的三輪驅(qū)動，向平臺型芯片設(shè)計企業(yè)邁進(jìn)。
在技術(shù)層面，公司將持續(xù)加碼55nm/40nm BCD先進(jìn)工藝研發(fā)，推進(jìn)COT工藝應(yīng)用，聯(lián)合晶圓代工廠與封測廠優(yōu)化先進(jìn)封裝技術(shù)，提升產(chǎn)品性能與成本競爭力；在產(chǎn)品層面，重點(diǎn)推進(jìn)車規(guī)級射頻前端、工業(yè)級高精度傳感器、消費(fèi)電子端側(cè)AI芯片的研發(fā)，豐富高附加值產(chǎn)品矩陣；在市場層面，鞏固消費(fèi)電子基本盤的同時，加快汽車電子、工業(yè)互聯(lián)的客戶拓展，目標(biāo)實現(xiàn)“消費(fèi)電子穩(wěn)增長、汽車電子翻番、工業(yè)互聯(lián)高增速”的格局。
從填補(bǔ)國內(nèi)技術(shù)空白到重塑終端解決方案，艾為電子的發(fā)展軌跡印證了中國集成電路企業(yè)的突圍路徑。隨著研發(fā)投入的持續(xù)轉(zhuǎn)化、車規(guī)與工業(yè)市場的放量、生態(tài)協(xié)同效應(yīng)的顯現(xiàn)，公司有望在半導(dǎo)體國產(chǎn)替代浪潮中占據(jù)更核心的位置，為投資者帶來長期價值回報。
3.英特爾分拆公司Altera宣布在硅谷總部裁員近百人
據(jù)報道，根據(jù)提交給加利福尼亞州的《工人調(diào)整和再培訓(xùn)通知》（WARN），從英特爾剝離出來的可編程芯片制造商Altera公司宣布，將于今年秋季在其圣何塞總部解雇82名員工，但并未具體說明哪些部門或崗位將受到影響。
Altera成立于1983年，2015年被英特爾以167億美元收購。該公司最初作為英特爾可編程解決方案事業(yè)部運(yùn)營，今年早些時候成為獨(dú)立實體。英特爾已將51%的多數(shù)股權(quán)出售給私募股權(quán)公司銀湖資本，交易價值87.5億美元，目前英特爾仍持有Altera 49%的股份，預(yù)計交易將于今年晚些時候完成。此次出售旨在賦予Altera運(yùn)營獨(dú)立性，同時讓英特爾專注于其核心半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。
知情人士表示：“裁員反映了公司在易主后的轉(zhuǎn)型?！边@家總部位于圣何塞的公司做出裁員決定之際，英特爾正掀起一波席卷整個灣區(qū)和加州的大規(guī)模裁員浪潮，數(shù)百名員工受到影響。
Altera的裁員行動正值英特爾政治敏感時期。最近，美國總統(tǒng)特朗普公開要求英特爾首席執(zhí)行官陳立武辭職，理由是他涉嫌與中國半導(dǎo)體公司有關(guān)聯(lián)。然而，在上周一白宮會晤后，特朗普稱贊陳立武的職業(yè)生涯“精彩絕倫”，隨后英特爾股價上漲3.5%。
Altera的可編程芯片廣泛應(yīng)用于電信、數(shù)據(jù)中心和汽車技術(shù)等各種應(yīng)用領(lǐng)域，使其成為新興技術(shù)市場的關(guān)鍵參與者。收購銀湖資本后，Altera獲得了運(yùn)營獨(dú)立性，旨在加速其在競爭激烈的市場中的創(chuàng)新和敏捷性。
4.特朗普政府?dāng)M入股英特爾！力挺俄亥俄州晶圓廠建設(shè)
據(jù)知情人士透露，特朗普政府正在與英特爾公司洽談，希望美國政府入股這家陷入困境的芯片制造商。這是白宮有意模糊政府與產(chǎn)業(yè)界界限的最新跡象。
知情人士表示，這筆交易將有助于鞏固英特爾計劃在俄亥俄州設(shè)立的工廠中心。英特爾曾承諾將該工廠打造成全球最大的芯片制造基地，但這一承諾一再被推遲。潛在入股規(guī)模尚不清楚。
就在一周前，特朗普總統(tǒng)曾呼吁罷免英特爾首席執(zhí)行官陳立武，指責(zé)他因擔(dān)心自己此前與中國的關(guān)系而“深陷沖突”。
知情人士稱，這些計劃源于特朗普與陳立武本周的一次會面。知情人士表示，盡管細(xì)節(jié)尚待敲定，但計劃是由美國政府支付這筆股份。不過該計劃仍不確定。談判仍有可能最終無果而終。
英特爾股價周四一度上漲8.9%。紐約證券交易所收盤上漲7.4%，至23.86美元，公司市值約為1044億美元。常規(guī)交易結(jié)束后，股價繼續(xù)上漲4%。
白宮發(fā)言人庫什·德賽表示：“除非政府正式宣布，否則關(guān)于假設(shè)性交易的討論應(yīng)被視為猜測?！?/p>
英特爾代表在一份聲明中表示，公司“堅定地致力于支持特朗普總統(tǒng)加強(qiáng)美國科技和制造業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位的努力”。
英特爾表示：“我們期待繼續(xù)與特朗普政府合作，推進(jìn)這些共同的優(yōu)先事項，但我們不會對謠言或猜測發(fā)表評論?！?/p>
直接干預(yù)
在英特爾削減開支和裁員的背景下，任何協(xié)議都將增強(qiáng)其財務(wù)狀況。這也表明，陳立武將繼續(xù)執(zhí)掌英特爾。
這是特朗普對關(guān)鍵行業(yè)的最新直接干預(yù)。此前，特朗普政府已達(dá)成協(xié)議，將獲得英偉達(dá)及AMD對華部分半導(dǎo)體銷售額15%的分成，并持有美國鋼鐵公司所謂的“黃金股”。
英特爾的提議也與美國國防部今年7月史無前例的聲明相呼應(yīng)。該聲明宣布，將持有鮮為人知的美國稀土生產(chǎn)商MP Materials 4億美元的優(yōu)先股——這筆交易將使五角大樓成為該公司的最大股東。此舉顛覆了投資者、分析師、行業(yè)高管，甚至資深政府官員對私營企業(yè)如何與政府打交道的傳統(tǒng)看法。
此前報道稱，聯(lián)邦政府這些投資舉措預(yù)計不會是一次性交易，因為特朗普及其政府堅持要扶持其認(rèn)為對國家安全至關(guān)重要的領(lǐng)域中的國內(nèi)龍頭企業(yè)。
知情人士表示，政府的一些交易可能正在參考MP Materials的藍(lán)圖。這意味著股權(quán)投資、擔(dān)保購買、貸款和私人融資——以及政府合作。
財務(wù)困境
作為芯片行業(yè)的先驅(qū)，英特爾近年來一直舉步維艱，受到市場份額和技術(shù)優(yōu)勢喪失的打擊。陳立武的前任帕特·基辛格將俄亥俄州工廠的擴(kuò)建項目宣傳為復(fù)興計劃的一部分。
但英特爾的財務(wù)困境使該項目陷入困境。今年早些時候，建設(shè)計劃被推遲到2030年，該公司在7月份表示，將進(jìn)一步推遲俄亥俄州的計劃。自3月份上任以來，陳立武更加專注于理順英特爾的財務(wù)狀況。
英特爾原本有望成為2022年《芯片與科學(xué)法案》的最大受益者，盡管該計劃在特朗普的領(lǐng)導(dǎo)下目前處于動蕩之中。今年早些時候，政府官員提出了讓芯片生產(chǎn)巨頭臺積電作為合資企業(yè)運(yùn)營英特爾工廠的想法。但臺積電CEO魏哲家表示，公司計劃繼續(xù)專注于自身業(yè)務(wù)。
5.HBM驅(qū)動鍵合革命：AI算力時代的半導(dǎo)體設(shè)備新戰(zhàn)場
生成式AI的快速發(fā)展推動了對高性能AI芯片的需求，進(jìn)而帶動了相關(guān)半導(dǎo)體制造設(shè)備需求增長。HBM憑借高帶寬、低功耗特性成為AI芯片性能突破核心組件，引領(lǐng)了先進(jìn)封裝和3D堆疊技術(shù)發(fā)展，進(jìn)而帶動相關(guān)后道設(shè)備需求激增，鍵合設(shè)備正是這場繁榮的第一落點(diǎn)。
在HBM制造中，現(xiàn)階段HBM3/3E（8–12層）主要依賴傳統(tǒng)微凸塊（Micro Bump）技術(shù)，采用的熱壓鍵合（TCB）設(shè)備以TC-NCF（非導(dǎo)電薄膜熱壓鍵合）與TC-MUF（模塑底部填充熱壓鍵合）兩條路線并行發(fā)展。然而，隨著堆疊層數(shù)的增加，傳統(tǒng)TC-NCF的散熱問題被逐漸放大，TC-MUF技術(shù)成為新一代HBM量產(chǎn)的主流技術(shù)。未來伴隨著層數(shù)進(jìn)一步增加以及總高受限的大前提，混合鍵合則被視為未來HBM進(jìn)一步演進(jìn)的關(guān)鍵。
技術(shù)迭代，HBM與鍵合設(shè)備需求同頻共振
為解決芯片凸塊間距縮小時倒裝鍵合回流焊步驟中出現(xiàn)的翹曲和精度問題，當(dāng)凸塊間距達(dá)40pm以下時，TCB設(shè)備成為主流。據(jù)摩根大通預(yù)測，HBM TCB設(shè)備市場規(guī)模將從2024年的4.61億美元大幅增長，到2027年有望突破15億美元，實現(xiàn)超兩倍的擴(kuò)張。隨著半導(dǎo)體技術(shù)向更小尺寸、更高集成度方向發(fā)展，TCB設(shè)備作為先進(jìn)封裝技術(shù)的核心設(shè)備，需求顯著增加。
包括TCB在內(nèi)，HBM相關(guān)制造設(shè)備市場需求激增，眾多設(shè)備廠商已切實感受到這股熱潮。
2025財年第一財季（4-6月），日本DISCO公司非合并出貨金額達(dá)930億日元，同比增長8.5%，設(shè)備出貨量環(huán)比增長28%，創(chuàng)下歷史新高。其設(shè)備為HBM制造中的核心流程TSV提供了全面的技術(shù)支持，包括晶圓切割、研磨和拋光等關(guān)鍵工藝；韓國韓美半導(dǎo)體2024年營收同比增長252%至5589億韓元（約合人民幣29.8億元），其TCB設(shè)備主要供應(yīng)SK海力士、三星和美光等，今年上半年營收達(dá)3274億韓元，全年展望更是高達(dá)8000億至1.1兆韓元；韓華SemiTech通過與SK合作，在技術(shù)上取得突破，訂單金額達(dá)4200億韓元。ASMPT上半年銷售收入65.3億港元，先進(jìn)封裝營收占比達(dá)39%，新增訂單總額為71.1億港元，同比增長12.4%。其TCB設(shè)備全球裝機(jī)量超500臺，用于邏輯芯片及HBM3E 12層堆疊的量產(chǎn)，12層堆疊HBM4也進(jìn)入小批量試產(chǎn)，且獲多家客戶訂單。
這些廠商的業(yè)績長虹充分展示了HBM技術(shù)對半導(dǎo)體后道設(shè)備市場的沖擊，推動各廠商紛紛加大投入，搶占市場藍(lán)海。
從技術(shù)演進(jìn)來看，HBM本身正經(jīng)歷著從低層數(shù)向高層數(shù)堆疊的快速演進(jìn)，這直接驅(qū)動了鍵合核心工藝的升級換代。早期HBM（如4層堆疊）主要采用TC-NCF工藝。隨著市場對更高容量和帶寬的需求，技術(shù)逐漸演變?yōu)楝F(xiàn)在主流的8層和12層堆疊（如HBM3/3E），并開始采用TC-MUF工藝。這一工藝轉(zhuǎn)變帶來了良率的顯著提升和成本的縮減。然而，要滿足下一代AI/HPC應(yīng)用對16層HBM4的要求，3D芯片堆疊技術(shù)仍是關(guān)鍵挑戰(zhàn)。
在HBM總厚度限制有所放寬的前提下，TCB技術(shù)依然有能力實現(xiàn)16層堆疊，但“無焊劑”（fluxless）技術(shù)的應(yīng)用變得至關(guān)重要。這是因為16層HBM的層間距進(jìn)一步縮小，使得傳統(tǒng)助焊劑的清洗變得極其困難，助焊劑殘留成為影響良率的最主要因素。在這方面，ASMPT的TCB機(jī)臺憑借在fluxless技術(shù)上的領(lǐng)先優(yōu)勢，得以在市場上處于遙遙領(lǐng)先的地位。
當(dāng)HBM層數(shù)進(jìn)一步增加到20層（如未來的HBM4E/5）時，TCB將逐漸接近其物理極限（如微凸塊電阻和信號延遲問題）。這時，混合鍵合（Hybrid Bonding（HB））技術(shù)開始進(jìn)入核心考量范圍，也即40-10μm凸塊間距需用TCB，而10μm以下凸塊間距則需采用混合鍵合技術(shù)。盡管目前混合鍵合還面臨良率和極高設(shè)備成本的挑戰(zhàn)，尚未進(jìn)入成熟應(yīng)用階段，但它已被業(yè)界廣泛認(rèn)為是HBM封裝技術(shù)的終極解決方案。
混合鍵合能夠?qū)崿F(xiàn)更高的集成密度和更低的功耗，在互聯(lián)密度、速度、帶寬密度、能耗以及散熱效率方面均優(yōu)于傳統(tǒng)TCB。例如專業(yè)測評機(jī)構(gòu)對比AMD W2W混合鍵合芯片與采用TCB的MI300，混合鍵合芯片在互聯(lián)密度、速度、帶寬密度及能耗均優(yōu)于MI300，其中互連密度較TCB技術(shù)提高了15倍，速度提升了11.9倍，帶寬密度提升191倍，能耗降低20倍；而采用混合鍵合技術(shù)的HBM芯片相比之下堆疊熱阻降低了20%，從而顯著提升散熱效率，信號完整性提高20%，減少信號傳輸過程中的損耗和干擾，動態(tài)功耗降低17%，進(jìn)而提高整體能效，TSV互連面積減少87%，有效提升空間利用率。因而，混合鍵合技術(shù)被認(rèn)為是HBM封裝中改善散熱的最有前景的解決方案，能夠支持16層甚至20層以上的堆疊。
Yole數(shù)據(jù)顯示，2024年混合鍵合設(shè)備市場增速達(dá)67%，其在HBM市場的滲透率將從2025年的1%躍升至2028年的36%，對應(yīng)市場規(guī)模從900萬美元爆發(fā)式增長至8.73億美元，年復(fù)合增長率超150%。
可以預(yù)見，短期內(nèi)，TCB，尤其是結(jié)合了fluxless和MUF工藝的先進(jìn)TCB，憑借其成熟度與成本優(yōu)勢，將繼續(xù)主導(dǎo)HBM3E和HBM4的量產(chǎn)。而長期來看（2028年以后），對于20層以上的超高層堆疊（HBM4E/5），混合鍵合將成為無可替代的選擇，當(dāng)然前提是其良率能夠突破且設(shè)備成本得以下降。
群雄逐鹿，鍵合設(shè)備廠商拉開攻防戰(zhàn)
目前，半導(dǎo)體鍵合設(shè)備市場正因HBM技術(shù)迭代迎來格局重塑。國際巨頭憑借先發(fā)優(yōu)勢占據(jù)主導(dǎo)地位，而中國廠商在政策與需求驅(qū)動下加速突圍，形成多極競爭態(tài)勢。
在TCB賽道，韓國廠商在部分細(xì)分領(lǐng)域具備較強(qiáng)競爭力。HBM熱壓鍵合設(shè)備的主流工藝路徑包括：SK海力士采用的MR-MUF，以及三星電子與美光（Micron）采用的TC-NCF。韓美半導(dǎo)體（Hanmi）的TCB機(jī)型可兼容上述兩類工藝。按公司與媒體公開信息，2024年Hanmi營收約558.9億韓元，同比增約252%；在HBM3E 12-Hi量產(chǎn)所用TCB設(shè)備這一細(xì)分段、以階段性出貨/裝機(jī)口徑統(tǒng)計，其份額一度超過90%。同時，韓美半導(dǎo)體也穩(wěn)步布局新一代封裝技術(shù)，包括無助焊劑黏合（fluxless bonding）和混合鍵合設(shè)備。
同樣來自韓國的韓華SemiTech自2020年就開始布局HBM相關(guān)設(shè)備，并成功與SK海力士簽下供貨合同。2024年，其累計向SK交付12臺TCB鍵合機(jī)，總金額達(dá)420億韓元。今年5月，韓華Semitech進(jìn)行業(yè)務(wù)重組成立了“先進(jìn)封裝設(shè)備開發(fā)中心”，計劃將其開發(fā)能力擴(kuò)展到HBM生產(chǎn)的關(guān)鍵設(shè)備TCB設(shè)備之外，以涵蓋混合鍵合設(shè)備等下一代技術(shù)。
此外，三星作為HBM制造商，也在悄然調(diào)整關(guān)鍵設(shè)備供應(yīng)鏈。以往三星主要從子公司SEMES與日本新川（SHINKAWA）采購TCB設(shè)備，但近年已逐步將采購重心轉(zhuǎn)向SEMES，并全面替代新川產(chǎn)品，應(yīng)用于包括HBM2E在內(nèi)的多個制程，并以此保障對華為及中國GPU廠的4層HBM供貨。依托三星在存儲領(lǐng)域的強(qiáng)大實力，SEMES在TCB設(shè)備應(yīng)用與推廣方面具有獨(dú)特優(yōu)勢。
新加坡ASMPT則以超500臺TCB的全球裝機(jī)量構(gòu)建護(hù)城河，TCB作為當(dāng)前主力，仍然是該公司先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)訂單和收入的最大貢獻(xiàn)者。目前ASMPT已成功為領(lǐng)先的HBM客戶安裝了HBM3E 12層堆疊的批量TCB設(shè)備，并支持HBM4 12層堆疊的小批量生產(chǎn)（LVM）。其TCB解決方案對于芯片到基板（C2S）邏輯應(yīng)用也至關(guān)重要，ASMPT是領(lǐng)先晶圓代工廠OSAT合作伙伴的獨(dú)家供應(yīng)商。
ASMPT在TCB技術(shù)方面持續(xù)取得進(jìn)展，其FIREBIRD系列TCB設(shè)備提供獨(dú)特功能，包括可無縫升級至12層及以上堆疊的無助焊劑應(yīng)用，并能靈活處理不同的HBM封裝工藝（NCF、MUF助焊劑/無助焊劑），已交付領(lǐng)先HBM客戶用于量產(chǎn)。與領(lǐng)先晶圓代工廠聯(lián)合開發(fā)的用于下一代主動氧化物去除 TCB AOR??的超精細(xì)節(jié)距芯片到晶圓（C2W）邏輯應(yīng)用，正從試生產(chǎn)階段邁向批量生產(chǎn)。
在混合鍵合賽道，全球混合鍵合設(shè)備市場主要由國際龍頭企業(yè)主導(dǎo)，其中荷蘭BESI是該領(lǐng)域的龍頭，市占率高達(dá)67%。其設(shè)備廣泛應(yīng)用于3D IC、MEMS和先進(jìn)封裝等領(lǐng)域，尤其在高端市場具有顯著優(yōu)勢。為搶占先機(jī)，美國的應(yīng)用材料公司今年4月份宣布收購BESI公司9%的股份，并率先將其混合鍵合設(shè)備導(dǎo)入系統(tǒng)級半導(dǎo)體市場，搶占應(yīng)用先機(jī)。奧地利EVG、德國SUSS也是該領(lǐng)域設(shè)備主要供應(yīng)商。
ASMPT同樣將混合鍵合視為未來更高HBM堆疊的關(guān)鍵，在保持其在TCB市場領(lǐng)導(dǎo)地位的同時，正積極開發(fā)和商業(yè)化混合鍵合技術(shù)。該公司在2024年第三季度取得了重要里程碑，向一家邏輯客戶交付了首臺混合鍵合設(shè)備（LITHOBOLT?），并獲得了兩臺用于HBM應(yīng)用的下一代混合鍵合設(shè)備的首次訂單，預(yù)計將于2025年第三季度交付。第二代混合鍵合設(shè)備在對準(zhǔn)、鍵合精度、占地面積和每小時處理單元數(shù)（UPH）方面具有競爭力。
與此同時，韓美半導(dǎo)體與韓華半導(dǎo)體也在加速研發(fā)下一代芯片堆疊設(shè)備，這兩家韓國廠商不僅在迅速推進(jìn)混合鍵合設(shè)備研發(fā)，還在積極開發(fā)無助焊劑鍵合設(shè)備，以此來增強(qiáng)市場競爭力。7月份，LG電子下屬的生產(chǎn)技術(shù)研究所 (PTI) 也傳出已啟動混合鍵合設(shè)備開發(fā)，目標(biāo)在2028年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。
隨著混合鍵合市場的初步開啟，該技術(shù)有望引發(fā)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的一場重大洗牌。一旦成功導(dǎo)入，混合鍵合將可能成為未來20層以上HBM堆疊的主流工藝。
國內(nèi)方面，鍵合設(shè)備出現(xiàn)了百花齊放的局面，多家公司走出了各具特色的道路。
華卓精科針對HBM芯片制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，獨(dú)立研發(fā)了一系列高端設(shè)備，包括混合鍵合設(shè)備（UP-UMA HB300）、熔融鍵合設(shè)備（UP-UMA FB300）、芯粒鍵合設(shè)備（UP-D2W-HB）、激光剝離設(shè)備（UP-LLR-300）和激光退火設(shè)備（UP-DLA-300），打破了國產(chǎn)HBM芯片的發(fā)展瓶頸，為我國存儲產(chǎn)業(yè)的自主化發(fā)展提供了強(qiáng)大的動力。
拓荊科技是國內(nèi)唯一實現(xiàn)混合鍵合設(shè)備量產(chǎn)（W2W）的廠商，其晶圓對晶圓鍵合產(chǎn)品（dione 300）和芯片對晶圓鍵合表面預(yù)處理產(chǎn)品（propus）均達(dá)到國際領(lǐng)先水平，通過頭部晶圓廠驗證。
艾科瑞思(ACCURACY)曾2023年發(fā)布D2W混合鍵合設(shè)備，成為首個被Yole報告收錄的中國D2W設(shè)備供應(yīng)商，后續(xù)發(fā)展不太順利。
青禾晶元在今年3月發(fā)布全球首臺獨(dú)立研發(fā)C2W&W2W雙模式混合鍵合設(shè)備SAB82CWW系列，在存儲器、Micro-LED顯示、CMOS圖像傳感器、光電集成等多個領(lǐng)域展現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用前景。
普萊信智能與客戶聯(lián)合開發(fā)了Loong系列TCB設(shè)備，兼容晶圓級（12英寸）、板級（620×620mm）封裝，支持HBM堆疊等全流程工藝。
邁為股份自主研發(fā)的全自動晶圓級混合鍵合設(shè)備在今年7月成功交付國內(nèi)新客戶。
隨著國產(chǎn)廠商逐步突破關(guān)鍵技術(shù)，有望在未來幾年內(nèi)在TCB鍵合及混合鍵合設(shè)備市場提升市場份額。
未來展望：鍵合設(shè)備的下一個戰(zhàn)場
放眼未來，鍵合設(shè)備的競賽遠(yuǎn)未到終局，反而剛剛進(jìn)入真正的技術(shù)深水區(qū)。
1~2年來HBM仍將以TCB設(shè)備為主要量產(chǎn)方式，而隨著堆疊層數(shù)增加，尤其是16層以后，fluxless TCB會是破局的重要技術(shù)。而3~5年之后，當(dāng)HBM堆疊層數(shù)突破至20層，業(yè)內(nèi)依然在考慮優(yōu)先選用TCB設(shè)備，無助焊劑則是必然的選擇，其次是嘗試處理超薄芯片（<30um）以及更高的貼片精度（0.8um），同時HBM制造商也會在器件結(jié)構(gòu)和材料方面進(jìn)一步優(yōu)化創(chuàng)新。還有業(yè)內(nèi)傳聞HBM有希望繼續(xù)突破目前775um總厚度的限制等，都在為TCB設(shè)備延續(xù)量產(chǎn)生命力鋪設(shè)臺階。
對于TCB而言，其瓶頸主要在于性能和可擴(kuò)展性。隨著芯片互連密度持續(xù)增長，TCB的凸塊尺寸和間距成為限制其進(jìn)一步發(fā)展的主要因素，尤其是間距低于10μm時，TCB面臨材料極限，例如易形成脆弱金屬間化合物、可靠性下降等，這將倒逼成本更高的混合鍵合走上前臺。此外，TCB在極高I/O數(shù)（上萬以上）芯片上操作時間較長，也可能成為生產(chǎn)瓶頸。熱管理與熱阻困境也是一個重要挑戰(zhàn)，隨著堆疊層數(shù)增加（如HBM4 16層），TCB工藝的接合間隙高度限制和熱量滯留問題加劇，難以滿足高功耗堆疊芯片的熱耗散需求，可能導(dǎo)致功耗增加和整體容量受限。
當(dāng)器件達(dá)到物理極限，混合鍵合依然是最終的方案，只不過目前混合鍵合在HBM領(lǐng)域還不成熟，良率和成本效益還達(dá)不到量產(chǎn)的要求。技術(shù)方面主要面臨極端精度與潔凈度壁壘、翹曲與形貌控制難題等。要降低成本，需要提高設(shè)備產(chǎn)出/小時（提升貼片并行度或速度）、簡化工藝步驟以及提高成品率。其中任何一點(diǎn)都有相當(dāng)難度：例如提升速度可能影響精度和良率，需要在機(jī)器和流程上重大創(chuàng)新。目前業(yè)界在嘗試通過晶圓級鍵合和芯粒級鍵合相結(jié)合，優(yōu)化不同尺寸芯片的良率和成本曲線。
由此可見，TCB要繼續(xù)支撐更先進(jìn)封裝將受限于可實現(xiàn)的間距和速度，而混合鍵合要走向大規(guī)模商用則需突破成本高和產(chǎn)能低的障礙?？傮w而言，TCB和混合鍵合在產(chǎn)能上都面臨權(quán)衡：精度越高，速度往往越低，這對大規(guī)模應(yīng)用提出挑戰(zhàn)。而兩者在一定時期內(nèi)也將并存互補(bǔ)：成本敏感且Pitch≥20-30μm的場合傾向沿用TCB，極致性能要求且Pitch<10μm的先進(jìn)產(chǎn)品才會使用混合鍵合。
面對未來戰(zhàn)場，設(shè)備廠商正從多個維度進(jìn)行創(chuàng)新。
首先，先進(jìn)工藝控制是核心方向之一。例如投入開發(fā)創(chuàng)新的芯片鍵合解決方案，以精確解決工藝控制和貼裝精度難題。這包括采用非接觸式測量實現(xiàn)精確點(diǎn)膠、卓越的XY定位精度、鍵合力控制以及實時補(bǔ)償功能，以便在工藝過程中及時驗證和糾正問題。
其次，材料創(chuàng)新是另一個重要方向。行業(yè)正轉(zhuǎn)向使用耐高溫材料，如納米銀漿，以解決功率器件中導(dǎo)電連接因高溫和負(fù)載變化而老化的問題。
另外，ASMPT的無助焊劑鍵合技術(shù)正在開發(fā)中，旨在為2.5D和3D小芯片集成以及具有精細(xì)凸塊節(jié)距路線圖的HBM器件實現(xiàn)無殘留。
最后，隨著AI算力需求持續(xù)釋放，設(shè)備行業(yè)可能會出現(xiàn)技術(shù)路線變革、市場格局重塑以及新興技術(shù)融合的情況，合作與生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展至關(guān)重要。ASMPT正積極與主要客戶和領(lǐng)先材料供應(yīng)商合作，共同開發(fā)最佳封裝解決方案。例如與IBM在推進(jìn)Chiplet封裝的TCB和混合鍵合方法方面的合作；與EV Group的聯(lián)合開發(fā)旨在通過結(jié)合EVG的芯片制備和晶圓鍵合技術(shù)與ASMPT的超高精度芯片鍵合能力，提供C2W混合鍵合的最佳集成客戶解決方案。
值得一提的是，奧芯明作為ASMPT集團(tuán)在中國設(shè)立的本土品牌，正積極攜手國內(nèi)晶圓代工、封測、材料及設(shè)備生態(tài)合作伙伴，構(gòu)建適配本土工藝路徑的先進(jìn)封裝解決方案體系。在HBM關(guān)鍵工藝上，該公司正依托ASMPT成熟的FIREBIRD系列熱壓鍵合平臺，結(jié)合本地客戶在工藝開發(fā)階段的特殊需求，優(yōu)化助焊劑控制、鍵合力學(xué)參數(shù)與多芯片協(xié)同貼合策略。同時，奧芯明也在推動下一代混合鍵合技術(shù)在中國市場的量產(chǎn)導(dǎo)入條件，包括本地化設(shè)備調(diào)試團(tuán)隊、本地供應(yīng)鏈整合，以及針對中試階段的快速響應(yīng)能力建設(shè)等。可以說，奧芯明不僅是設(shè)備提供者，更積極作為系統(tǒng)方案共建方參與國產(chǎn)HBM堆疊工藝路線的早期評估與驗證。通過與國內(nèi)領(lǐng)先IDM、封測廠及研究機(jī)構(gòu)開展聯(lián)合評估，其致力于推動從設(shè)備到材料、工藝到量產(chǎn)的協(xié)同，加快實現(xiàn)具備自主可控能力的HBM國產(chǎn)封裝生態(tài)落地。
展望未來，隨著國內(nèi)HBM制造技術(shù)逐步邁入量產(chǎn)驗證階段，封裝環(huán)節(jié)所需的鍵合精度、熱管理能力與良率保障成為產(chǎn)業(yè)鏈能否落地的關(guān)鍵門檻，對鍵合設(shè)備提出了更極致的對位精度、壓力控制與表面潔凈度要求。隨著AI算力需求持續(xù)呈指數(shù)級增長，設(shè)備廠商也必須在精度、成本、良率的“不可能三角”中取得平衡，才能在這場由算力驅(qū)動的“堆疊競賽”中勝出。
6.偷技術(shù)搶專利撬客戶，忍不了！600億市值設(shè)備巨頭亮劍維權(quán)
在全球高科技企業(yè)角逐日趨激烈的當(dāng)下，知識產(chǎn)權(quán)已成為企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵載體，也是維護(hù)市場公平秩序的關(guān)鍵基石。
8月13日，剛剛上市滿月，坐擁600億市值的國內(nèi)設(shè)備龍頭屹唐股份，以“非法獲取并使用其核心技術(shù)秘密”為由起訴全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭應(yīng)用材料引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。
這起案件不僅是激烈市場環(huán)境下，中美兩家半導(dǎo)體設(shè)備巨頭之間商戰(zhàn)博弈直接交鋒的縮影，更體現(xiàn)出中國半導(dǎo)體企業(yè)在全球化競爭中敢于亮劍，以法律武器捍衛(wèi)創(chuàng)新成果和自身合法權(quán)益的堅定姿態(tài)。
索賠近億：600億市值龍頭維權(quán)
屹唐股份在集成電路制造設(shè)備行業(yè)發(fā)展經(jīng)營多年，面向全球集成電路制造廠商提供包括干法去膠設(shè)備、快速熱處理設(shè)備、干法刻蝕設(shè)備在內(nèi)的集成電路制造設(shè)備及配套工藝解決方案。根據(jù)Gartner統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2023年公司干法去膠設(shè)備及快速熱處理設(shè)備的市場占有率均位居全球第二。
利用高濃度、穩(wěn)定均勻的等離子體進(jìn)行晶圓表面處理是屹唐股份的關(guān)鍵技術(shù)之一，相關(guān)技術(shù)被廣泛應(yīng)用于公司的干法去膠、干法蝕刻、表面處理及改性等半導(dǎo)體加工設(shè)備中。在公告中，屹唐股份指出，“公司在該領(lǐng)域具備領(lǐng)先的原創(chuàng)性技術(shù)能力，并擁有相關(guān)技術(shù)秘密”。
針對此次案件，屹唐股份指出，有證據(jù)顯示應(yīng)用材料招聘的曾在屹唐股份全資子公司Mattson Technology, Inc.（以下簡稱“MTI”）工作的兩名涉案員工，在已簽署保密協(xié)議的情況下，將關(guān)于等離子體的產(chǎn)生和處理方法的核心技術(shù)“泄露”給應(yīng)用材料，并在中國境內(nèi)以申請專利的方式披露了該技術(shù)秘密，將該專利申請權(quán)據(jù)為己有。屹唐股份認(rèn)為，此舉違反了《中華人民共和國反不正當(dāng)競爭法》的規(guī)定，構(gòu)成侵犯商業(yè)秘密的違法行為，對公司的知識產(chǎn)權(quán)和經(jīng)濟(jì)利益造成嚴(yán)重的損害。
此外，經(jīng)查，應(yīng)用材料涉嫌實行將使用涉案技術(shù)秘密的產(chǎn)品向中國境內(nèi)的客戶進(jìn)行推廣銷售的行為，進(jìn)一步造成了對屹唐股份商業(yè)秘密權(quán)益的侵害。
對此，屹唐股份向北京知識產(chǎn)權(quán)法院提起訴訟，提出包括“判令被告停止使用、允許他人使用原告技術(shù)秘密”等6項訴訟請求，其中要求應(yīng)用材料賠償屹唐股份經(jīng)濟(jì)損失以及制止侵權(quán)的各項合理支出（適用3倍的懲罰性賠償）合計9999萬元，目前法院已立案受理。
對于9999萬的金額，屹唐股份表示：“這一金額的確定綜合考慮了實際經(jīng)濟(jì)損失及懲罰性賠償因素，彰顯我們對惡意侵權(quán)行為的零容忍態(tài)度?！?/p>
訴訟交鋒：從容應(yīng)對“惡意指控”
作為應(yīng)用材料在快速熱處理設(shè)備領(lǐng)域的唯一主要競爭對手，屹唐股份近年來在保持國際市場份額穩(wěn)定的情況下，大力開發(fā)國內(nèi)市場，打破了應(yīng)用材料的壟斷地位，并在國內(nèi)市場實現(xiàn)了市場份額的高速增長。
正因如此，近年來，應(yīng)用材料不斷通過訴訟、制造輿論等方式，試圖干擾屹唐股份的發(fā)展，以維持其自身在設(shè)備領(lǐng)域的壟斷地位。
據(jù)公開信息和集微網(wǎng)了解，2022年3月，應(yīng)用材料便在美國法院發(fā)起對一名前員工和MTI的訴訟，指控該員工和MTI“侵犯其商業(yè)秘密”。
而實際情況是，應(yīng)用材料針對該員工的訴訟被法院裁定轉(zhuǎn)為仲裁程序，最終仲裁裁決顯示沒有發(fā)現(xiàn)MTI有任何不當(dāng)行為。而所謂的MTI“侵犯其商業(yè)秘密”一事正在審理中，盡管應(yīng)用材料始終未提交任何證據(jù)支持其對MTI的指控，其仍持續(xù)通過該案對 MTI 進(jìn)行訴訟騷擾，證明了其在該訴訟上的“無中生有”和“別有用心”。
另據(jù)集微網(wǎng)了解，此次屹唐股份在國內(nèi)法院起訴應(yīng)用材料之前， MTI已在美國法院以同案由對應(yīng)用材料發(fā)起訴訟，目前該案件正在審理中。
破局之戰(zhàn)：中國企業(yè)知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)意識覺醒
近年來，伴隨政策、資本的東風(fēng)，國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)取得快速發(fā)展，很多在細(xì)分領(lǐng)域賽道深耕的國內(nèi)龍頭企業(yè)紛紛登陸資本市場并實現(xiàn)突破，有力打破了海外企業(yè)在相關(guān)領(lǐng)域的壟斷格局。
在激烈市場競爭環(huán)境之下，一些海外龍頭，出于對競爭對手的遏阻策略，頻頻在IPO臨門一腳或企業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵時刻，通過以“專利侵權(quán)”或“竊取商業(yè)秘密”等理由發(fā)起惡意訴訟，干擾國內(nèi)企業(yè)的正常發(fā)展。
但實際上，經(jīng)過多年產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新、以及知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)環(huán)境的培育，如今絕大多數(shù)的中國高科技企業(yè)，已經(jīng)不再具有海外企業(yè)一直存在的“拿來主義”刻板印象，而是高度重視自主創(chuàng)新、技術(shù)護(hù)城河的搭建和核心競爭力的構(gòu)筑。
以屹唐股份為例，其多年來持續(xù)保持較高研發(fā)投入，截至2025年2月11日，公司擁有發(fā)明專利445 項、實用新型專利1項，主要設(shè)備相關(guān)技術(shù)達(dá)到國際領(lǐng)先水平。這些具備自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)，正是其躋身全球半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)之列的基石。
此外，近年來國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展有一個顯著變化——面對海外龍頭的騷擾，相關(guān)企業(yè)開始主動拿起法律武器，從被動防守轉(zhuǎn)向主動出擊，同海外巨頭展開博弈，這也依托于強(qiáng)大的自研創(chuàng)新的底氣。比如中微公司訴科林研發(fā)（Lam Research Corporation）、諾思訴安華高、長江存儲訴美光等，都取得了積極的成果。
而此次屹唐股份同樣選擇拿起法律武器，一方面積極應(yīng)訴并獲得美國法院支持，另一方面，在中國法院發(fā)起訴訟，展現(xiàn)了中國企業(yè)運(yùn)用法律武器維護(hù)自身權(quán)益的成熟姿態(tài)。
正如屹唐股份強(qiáng)調(diào)“公司一貫恪守原創(chuàng)性研發(fā)，高度重視知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)”，而此次訴訟正是這一理念的實踐宣言——創(chuàng)新者的合法權(quán)益不容侵犯，公平競爭的市場秩序必須得到維護(hù)。
7.特朗普：芯片關(guān)稅兩周內(nèi)制定，或高達(dá)300%
美國總統(tǒng)特朗普15日表示，他會在未來兩周內(nèi)制定半導(dǎo)體關(guān)稅，稅率有可能高達(dá)200%、甚至300%，象征他正準(zhǔn)備加大力道迫使芯片制造業(yè)回流美國。
據(jù)報道，特朗普在飛往阿拉斯加與俄羅斯總統(tǒng)普京會面途中，于空軍一號上表示：「我會在下周及再下一周，對鋼鐵及芯片制定關(guān)稅?！固乩势找辉俪兄Z，對芯片與藥品關(guān)稅將在數(shù)周內(nèi)實施，但至今仍未宣告。
美國商務(wù)部自4月起針對芯片與藥品業(yè)展開調(diào)查，這是特朗普以國安理由征收關(guān)稅的前置程序。這項程序可能相當(dāng)復(fù)雜，調(diào)查往往需耗時數(shù)月甚至更久才能完成。制造廠商與人工智能（AI）公司一直渴望更明確的半導(dǎo)體關(guān)稅計劃，因為芯片被廣泛應(yīng)用于各種現(xiàn)代消費(fèi)產(chǎn)品。
上周，特朗普在與蘋果公司CEO庫克的同場活動表示，他計劃對半導(dǎo)體征收100%的關(guān)稅，但業(yè)者若將生產(chǎn)轉(zhuǎn)移至美國，制造的產(chǎn)品將不受影響。
白宮尚未進(jìn)一步解釋該豁免機(jī)制如何運(yùn)作，但特朗普暗示，已承諾6000億美元美國制造計劃的蘋果，有可能取得豁免。
特朗普15日指出，起初半導(dǎo)體關(guān)稅將訂定在較低水準(zhǔn)，讓企業(yè)有時間赴美設(shè)廠建置產(chǎn)能，隨后在一段時間后，關(guān)稅稅率將大幅調(diào)升，可能達(dá)到200%或300%。特朗普以不確定的口吻說：「我要設(shè)定的稅率，會是200%、300%嗎？」
他說，他有信心企業(yè)將赴美設(shè)廠，而非選擇支付高額關(guān)稅。
鋼鐵關(guān)稅方面，特朗普在2月將鋼鋁關(guān)稅提高到25%，但在5月表示將提高到50%；目前尚不清楚他是否打算進(jìn)一步調(diào)高鋼鐵關(guān)稅。（來源： 經(jīng)濟(jì)日報）
8.傳英偉達(dá)入局HBM 臺積電仍是合作伙伴中大贏家
英偉達(dá)傳出將跨入HBM base die（堆棧最底層的裸晶）市場，引發(fā)業(yè)界關(guān)注。相關(guān)廠商認(rèn)為，目前該市場競爭激烈，過往掌握在DRAM大廠手中，但隨著制程難度提升，ASIC廠商如創(chuàng)意正在鎖定相關(guān)潛在領(lǐng)域。法人認(rèn)為，對CSP大廠而言，采用英偉達(dá)解決方案機(jī)率不高，但NVLink Fusion合作伙伴有望受惠，其中包括聯(lián)發(fā)科、世芯等廠商，將受惠其模組化設(shè)計，獲得更多商機(jī)。
IC設(shè)計廠商透露，HBM4以上傳輸速率要求到10G以上，需以先進(jìn)制程打造Logic die，因此會委由臺積電制作，而ASIC找創(chuàng)意負(fù)責(zé)。其中，創(chuàng)意HBM4 IP支持高達(dá)12Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率，并納入32Gbps UCIe-A及UCIe-3D IP等解決方案，為目前業(yè)界領(lǐng)先。
法人評估，對創(chuàng)意影響不大，CSP大廠本就需要彈性需求，除了技術(shù)最大的考量點(diǎn)是成本，這正是臺廠所擅長。不過，英偉達(dá)也正針對AI伺服器布局模組化，從Cordelia機(jī)柜架構(gòu)到擴(kuò)大NVLink Fusion生態(tài)系，增加彈性。
英偉達(dá)入局HBM base die，能使HBM與GPU、CPU數(shù)據(jù)傳輸更順暢，客戶也能根據(jù)需求調(diào)整。廠商認(rèn)為，將使英偉達(dá)AI服務(wù)器滲透更多使用者，世芯、聯(lián)發(fā)科等入列臺廠有望受惠。
半導(dǎo)體廠商指出，最大贏家是臺積電，與眾多芯片大廠密切配合，不斷在制程技術(shù)精進(jìn)，滿足AI時代快速進(jìn)步需求。（來源： 工商時報）
