近日，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）發(fā)布了最新的預(yù)測數(shù)據(jù)，為全球半導(dǎo)體制造設(shè)備市場的發(fā)展勾勒出清晰的藍圖。數(shù)據(jù)顯示，2025年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額將實現(xiàn)同比7.4%的增長，達到1255億美元，創(chuàng)下歷史新高。而在先進邏輯、存儲以及技術(shù)轉(zhuǎn)型等多重因素的積極帶動下，2026年半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額有望進一步攀升至1381億美元，展現(xiàn)出強勁的發(fā)展勢頭。
SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha對此表示：“在2024年實現(xiàn)強勁增長之后，預(yù)計今年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額將再次擴大，并且在2026年創(chuàng)下新的紀錄。盡管半導(dǎo)體行業(yè)始終在密切關(guān)注宏觀經(jīng)濟所存在的不確定性，但人工智能推動下的芯片創(chuàng)新需求，正不斷驅(qū)動著對產(chǎn)能擴張和領(lǐng)先生產(chǎn)的投資。”
各國密集出臺扶持政策仍在強化本土產(chǎn)能。美國憑借《芯片與科學(xué)法案》，以390億美元建廠補貼和投資稅抵免吸引臺積電、三星落地，著力構(gòu)建“技術(shù)-產(chǎn)能-市場”閉環(huán)；中國“大基金三期”的3000億元資金精準投向設(shè)備與材料領(lǐng)域，聚焦28nm以下制程突破；歐盟則通過430億歐元芯片法案，計劃2030年將全球市場份額翻倍，并推動設(shè)備采購向本土傾斜。這些政策共同催生了本土半導(dǎo)體設(shè)備的投資熱潮，帶動相關(guān)需求顯著增長，重塑著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局。
后端設(shè)備需求爆發(fā)增長
回顧過往，2024年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額已達到創(chuàng)紀錄的1170億美元，晶圓廠設(shè)備的表現(xiàn)尤為值得關(guān)注。晶圓廠設(shè)備涵蓋了晶圓制程、晶圓廠設(shè)施及光罩設(shè)備等多個方面，在晶圓代工和存儲應(yīng)用銷售增長的有力帶動下，2025年相關(guān)領(lǐng)域銷售額有望實現(xiàn)6.2%的同比增長，達到1108億美元。這一數(shù)據(jù)高于2024年底預(yù)估的1076億美元水平，顯示出市場發(fā)展超出預(yù)期。 
SEMI預(yù)測，雖然晶圓廠設(shè)備的增速保持穩(wěn)健，但后端設(shè)備需求將迎來爆發(fā)式增長。其中，測試設(shè)備銷售額同比增長23.2%，達到93億美元；封裝設(shè)備銷售額同比增長7.7%，至54億美元。
之所以會出現(xiàn)這樣的增長態(tài)勢，主要原因在于HBM產(chǎn)能擴張，對更先進的沉積和刻蝕設(shè)備提出了迫切需求；同時，AI芯片多芯片集成及HBM復(fù)雜堆疊架構(gòu)，推動了CoWoS、硅中介層等先進封裝技術(shù)的快速發(fā)展；而HBM和AI芯片性能驗證復(fù)雜度的提升，又顯著提高了對測試時長與精度的要求。
而且，這種增長趨勢在2026年還將延續(xù)，封裝設(shè)備增速將進一步升至15%，測試設(shè)備則維持5%的增長，實現(xiàn)連續(xù)三年擴張。
在存儲領(lǐng)域，各廠商相關(guān)的資本支出預(yù)計將在2025年有所增加，并在2026年持續(xù)增長。
具體來看，NAND相關(guān)設(shè)備銷售正逐步從2023年的大幅萎縮中恢復(fù)。2024年，NAND設(shè)備銷售已實現(xiàn)4.1%的小幅增長，而在3D NAND堆疊技術(shù)的發(fā)展以及產(chǎn)能擴張的推動下，NAND設(shè)備市場預(yù)計在2025年實現(xiàn)42.5%的增長，銷售額達到137億美元，到2026年將繼續(xù)增長9.7%，達到150億美元；DRAM設(shè)備銷售額在2024年飆升40.2%，達到195億美元，預(yù)計2025年和2026年將分別增長6.4%和12.1%，這一增長將為對HBM和人工智能部署的投資提供有力支持。
不難發(fā)現(xiàn)，AI技術(shù)的興起推動了AI PC、AI手機等新產(chǎn)品的持續(xù)涌現(xiàn)。消費者對這類智能功能強勁的設(shè)備青睞有加，相關(guān)企業(yè)因此擴大生產(chǎn)規(guī)模。汽車行業(yè)在智能化和電動化轉(zhuǎn)型的加速過程中，引發(fā)了車載芯片需求的爆發(fā)，車企與芯片廠商隨之紛紛擴充產(chǎn)能，這一系列變化共同帶動了半導(dǎo)體設(shè)備出貨量的上升。而3D NAND閃存技術(shù)、扇出型晶圓級封裝（FOWLP）、系統(tǒng)級封裝（SiP）以及3nm、5nm制程技術(shù)的革新，同樣是促進半導(dǎo)體設(shè)備出貨量增長的關(guān)鍵推動力。
全球市場發(fā)展分化
在全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額持續(xù)增長的大背景下，不同地區(qū)的表現(xiàn)呈現(xiàn)出顯著差異。中國大陸、韓國、中國臺灣、北美與日本等主要半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聚集地，各自面臨著獨特的機遇與挑戰(zhàn)
當(dāng)前，中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場正處于份額萎縮的階段，雖然在經(jīng)歷著結(jié)構(gòu)性的轉(zhuǎn)型，但仍然是全球最大單一半導(dǎo)體設(shè)備市場，Q1營收達102.6億美元。
2024年由于美國出口管制升級，中國企業(yè)為應(yīng)對潛在風(fēng)險，超前囤積設(shè)備，這一舉動推高了當(dāng)年的基數(shù)。而到了2025年第一季度，市場進入了庫存消化階段，設(shè)備需求相應(yīng)減少。成熟制程方面，受消費電子需求疲軟的影響，頭部晶圓廠商的28nm/45nm產(chǎn)能利用率下降，出現(xiàn)了成熟制程產(chǎn)能過剩的情況。
不過，市場也顯現(xiàn)出一些突圍的信號，本土設(shè)備商在刻蝕、沉積領(lǐng)域取得了顯著進展，市占率大幅突破，其中北方華創(chuàng)、拓荊科技起到了主導(dǎo)作用。同時，長江存儲的國產(chǎn)產(chǎn)線試產(chǎn)啟動，目標是在2025年底實現(xiàn)月產(chǎn)能達15萬片，將拉動高深寬比刻蝕設(shè)備的訂單增長，為相關(guān)本土設(shè)備企業(yè)帶來新的發(fā)展機遇。
韓國半導(dǎo)體設(shè)備市場正迎來爆發(fā)式增長，這主要得益于存儲芯片的復(fù)蘇，從而引爆了設(shè)備需求。HBM擴產(chǎn)是重要的增長引擎。三星、SK海力士加速3D NAND產(chǎn)能建設(shè)，其層數(shù)已突破400+，這使得相關(guān)設(shè)備的單價提升了30%。政策方面，韓國的“K-半導(dǎo)體戰(zhàn)略”為企業(yè)提供30%的稅收抵免，2025年企業(yè)補貼超過50億美元，有力地刺激了企業(yè)在設(shè)備方面的投入。
中國臺灣地區(qū)的半導(dǎo)體設(shè)備市場呈現(xiàn)出高速增長的態(tài)勢，203%的高增背后有三大支撐點。在先進制程擴產(chǎn)方面，臺積電3nm產(chǎn)能在第一季度提升25%，2nm試產(chǎn)線也已啟動，并采購了6臺EUV光刻機，持續(xù)領(lǐng)跑先進制程的競爭。先進封裝領(lǐng)域同樣表現(xiàn)亮眼，CoWoS產(chǎn)能計劃從3.5萬片/月增至2025年底的6.5萬片/月，以滿足市場對先進封裝技術(shù)的旺盛需求。此外，在成熟制程方面，聯(lián)電28nm產(chǎn)能翻倍，碳化硅器件設(shè)備采購增長15%，形成了先進制程與成熟制程互補發(fā)展的良好局面。
在AI芯片的強勁需求推動下，中國臺灣地區(qū)和韓國在先進制程和封裝技術(shù)方面的投入將持續(xù)加大，主導(dǎo)其擴產(chǎn)周期。
北美設(shè)備市場一季度銷售額暴增55%，達到29.3億美元，但環(huán)比下降41%，其波動與英特爾“脈沖式采購”策略密切相關(guān)，但從長期來看，18A制程（GAA技術(shù)）量產(chǎn)在即，這一技術(shù)的突破將支撐起長期的設(shè)備需求。日本半導(dǎo)體設(shè)備市場也同樣呈現(xiàn)“同比高增、環(huán)比回調(diào)”態(tài)勢，本土企業(yè)Rapidus啟動2nm試產(chǎn)線，再加上臺積電熊本工廠的設(shè)備安裝工作推進，共同推動日本半導(dǎo)體設(shè)備市場同比增長20%。
歐洲地區(qū)的情況則相對嚴峻，德國晶圓廠雖然獲得了一定的補貼，但難以抵擋產(chǎn)業(yè)空心化的趨勢。在第一季度市場暴跌之后，Q2的頹勢預(yù)計難以改變，面臨著較大的發(fā)展壓力。
總體來看，Q2全球半導(dǎo)體設(shè)備市場的分化態(tài)勢將持續(xù)，AI需求的強弱以及地緣政治因素的演變，將成為影響各地區(qū)市場發(fā)展的關(guān)鍵變量，推動著全球半導(dǎo)體設(shè)備市場格局的不斷調(diào)整。
國產(chǎn)設(shè)備廠上半年亮點紛呈
根據(jù)2025年中期財報及行業(yè)調(diào)研數(shù)據(jù)，中國半導(dǎo)體設(shè)備頭部企業(yè)從成熟制程（28nm）向先進制程（5nm） 突破，HBM專用設(shè)備及AI需求成新增長點，上半年表現(xiàn)呈現(xiàn)“強者恒強、國產(chǎn)替代加速、新興技術(shù)突破”三大特征。
在刻蝕、薄膜沉積領(lǐng)域，中微公司、拓荊科技表現(xiàn)亮眼。其中，中微公司5nm CCP刻蝕設(shè)備成功通過國內(nèi)存儲頭部廠商驗證，2025年上半年出貨量在國內(nèi)邏輯產(chǎn)線新增設(shè)備中占比大幅提升。更值得關(guān)注的是，應(yīng)用于HBM的高深寬比刻蝕設(shè)備已交付SK海力士無錫封測廠，這是中微公司的首單海外訂單，標志著其設(shè)備獲得國際市場的認可，邁出了全球化布局的重要一步。拓荊科技在薄膜沉積設(shè)備方面成果顯著，14nm SACVD（次常壓化學(xué)氣相沉積）設(shè)備在中芯國際產(chǎn)線成功替代應(yīng)用材料的同類產(chǎn)品，打破了國外企業(yè)在該領(lǐng)域的壟斷局面。
清洗、封裝設(shè)備領(lǐng)域，盛美上海、新益昌緊密綁定AI芯片需求，市場份額持續(xù)攀升。盛美上海單片兆聲波清洗設(shè)備獨供臺積電CoWoS生產(chǎn)線，在先進封裝清洗份額中實現(xiàn)應(yīng)用，充分體現(xiàn)了該設(shè)備的技術(shù)優(yōu)勢和市場認可度，自研的氣相干法刻蝕設(shè)備通過長存200層3D NAND驗證，為其在存儲芯片領(lǐng)域的進一步發(fā)展奠定了基礎(chǔ)；新益昌其高速倒裝芯片（Flip Chip）貼片機獲得通富微電、長電科技的采購訂單，且在HBM封裝訂單中的占比達到32%，顯示出公司在先進封裝設(shè)備市場的強勁增長勢頭。
這些成果不僅推動了國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備的國產(chǎn)化進程，也讓中國半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)在國際舞臺上占據(jù)了更重要的位置，為行業(yè)的持續(xù)發(fā)展注入了強勁動力。
