英特爾一位董事近日表示，隨著晶體管設(shè)計(jì)的演進(jìn)，未來(lái)高端半導(dǎo)體制造可能會(huì)降低對(duì)先進(jìn)光刻設(shè)備的依賴，轉(zhuǎn)而更多地依靠刻蝕技術(shù)。

這位不愿透露姓名的英特爾董事指出，環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GAAFET)和互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(CFET)等新型晶體管設(shè)計(jì)將改變芯片制造的技術(shù)重心。雖然ASML公司的極紫外(EUV)光刻機(jī)目前是先進(jìn)芯片制造的關(guān)鍵設(shè)備，但未來(lái)的制造工藝可能會(huì)減少對(duì)這類(lèi)昂貴設(shè)備的依賴。

在傳統(tǒng)芯片制造流程中，光刻是將設(shè)計(jì)圖案轉(zhuǎn)移到晶圓上的第一步，隨后通過(guò)沉積和刻蝕等工藝將這些設(shè)計(jì)固定下來(lái)。目前主流的FinFET晶體管設(shè)計(jì)正逐漸向更先進(jìn)的結(jié)構(gòu)演進(jìn)，其中GAAFET設(shè)計(jì)將柵極包裹在晶體管周?chē)鳦FET設(shè)計(jì)則將晶體管組堆疊在一起以節(jié)省晶圓空間。

該董事解釋?zhuān)捎谶@些新型晶體管設(shè)計(jì)需要從多個(gè)方向"包裹"柵極，因此橫向去除晶圓上多余材料的刻蝕工藝變得尤為重要。相比增加晶圓在光刻機(jī)上的時(shí)間以減小特征尺寸，芯片制造商可能會(huì)將更多精力放在通過(guò)刻蝕技術(shù)去除材料上。

這一觀點(diǎn)暗示了半導(dǎo)體制造設(shè)備領(lǐng)域可能出現(xiàn)的技術(shù)重心轉(zhuǎn)移，對(duì)于芯片制造設(shè)備供應(yīng)鏈和工藝開(kāi)發(fā)方向可能產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。