英特爾一位董事認(rèn)為，未來(lái)的晶體管設(shè)計(jì)可能會(huì)降低制造高端半導(dǎo)體時(shí)對(duì)先進(jìn)光刻設(shè)備的需求。

ASML公司的極紫外（EUV）光刻機(jī)是現(xiàn)代先進(jìn)芯片制造的支柱，因?yàn)樗鼈兪古_(tái)積電等公司能夠在硅片上打印極小的電路。

然而，這位英特爾董事認(rèn)為，未來(lái)的晶體管設(shè)計(jì)，包括環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAAFET）和互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET），將更多地依賴(lài)光刻后的制造步驟，并降低光刻技術(shù)在制造高端芯片中的整體重要性。

一位不愿透露姓名的英特爾董事表示，未來(lái)的傳輸設(shè)計(jì)將減少對(duì)先進(jìn)光刻設(shè)備的依賴(lài)，而更多地依賴(lài)刻蝕技術(shù)。雖然光刻機(jī)是最受關(guān)注的芯片制造設(shè)備，但制造芯片還涉及其他步驟。

光刻是該工藝的第一步，它將設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)移到晶圓上。然后，這些設(shè)計(jì)通過(guò)沉積和刻蝕等工藝固定下來(lái)。在沉積過(guò)程中，芯片制造商將材料沉積在晶圓上，而刻蝕則選擇性地去除這些材料，從而形成芯片晶體管和電路的圖案。

英特爾董事表示，GAAFET和CFET等新型晶體管設(shè)計(jì)可以降低光刻機(jī)在芯片制造過(guò)程中的重要性。這些機(jī)器，尤其是EUV光刻機(jī)，由于能夠在晶圓上轉(zhuǎn)移或打印小型電路設(shè)計(jì)，在制造7nm及先進(jìn)技術(shù)的芯片方面發(fā)揮了至關(guān)重要的作用。

設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)移后，刻蝕會(huì)去除晶圓上多余的材料，最終完成設(shè)計(jì)。目前大多數(shù)晶體管設(shè)計(jì)遵循FinFET模型，其中晶體管連接到底部的絕緣材料，并通過(guò)控制其內(nèi)部電流的柵極。較新的設(shè)計(jì)，例如GAAFET，將柵極包裹在晶體管周?chē)?，晶體管組并聯(lián)放置。超高端晶體管設(shè)計(jì)，例如CFET，將晶體管組堆疊在一起，從而節(jié)省晶圓上的空間。

英特爾董事表示，由于GaaFET和 CFET 設(shè)計(jì)從四面八方“包裹”柵極，因此去除晶圓上多余的材料至關(guān)重要。這種“包裹”要求芯片制造商橫向去除多余的材料，因此，與其增加晶圓在光刻機(jī)上的時(shí)間以減小特征尺寸，不如將更多精力放在通過(guò)刻蝕去除材料上。（校對(duì)/趙月）