4月25日，由深圳市物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)協(xié)會主辦的“2025深圳市智聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展大會”在深圳順利舉辦。此次大會以“智慧互聯(lián)，共創(chuàng)未來”為主題，吸引了政產(chǎn)學(xué)研用等300多位產(chǎn)業(yè)鏈嘉賓參與。作為新晉協(xié)會成員，超盈智能科技攜旗下KEYMOS科摩思產(chǎn)品為物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備提供存儲解決方案。

錨定物聯(lián)網(wǎng)賽道 共繪產(chǎn)業(yè)藍(lán)圖

大會期間，多位專家共同啟動《深圳市物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)白皮書（2024）》編制儀式。隨后，中國信息通信研究院工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)與物聯(lián)網(wǎng)研究所主任池程在《中國智能物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與應(yīng)用發(fā)展趨勢》報告中強(qiáng)調(diào)：AIoT的實(shí)質(zhì)是通過物聯(lián)網(wǎng)采集數(shù)據(jù)，依托大數(shù)據(jù)分析和人工智能實(shí)現(xiàn)從“萬物互聯(lián)”到“萬物智聯(lián)”的轉(zhuǎn)變。這一發(fā)展趨勢對終端設(shè)備的存儲性能有著更高要求：低功耗、高速率、大容量成為其關(guān)鍵指標(biāo)。

科摩思定制化存儲為物聯(lián)網(wǎng)注入芯動力

2025年是“數(shù)字中國”建設(shè)十周年，從《全國數(shù)據(jù)資源調(diào)查報告（2024年）》報告顯示：2024年全國數(shù)據(jù)生產(chǎn)總量達(dá)到41.06ZB，同比增長25%；其中，智能家居、智能網(wǎng)聯(lián)汽車等智能設(shè)備數(shù)據(jù)增速位居前列，分別為51.43%、29.28%。

作為數(shù)字存儲領(lǐng)域定制化引領(lǐng)者，超盈智能科技深耕存儲行業(yè)14年，旗下KEYMOS科摩思存儲產(chǎn)品線精準(zhǔn)錨定物聯(lián)網(wǎng)終端，為萬物智聯(lián)的數(shù)據(jù)時代提供存儲解決方案。

KEYMOS科摩思嵌入式存儲芯片產(chǎn)品圖

低功耗高性能存儲助力AI設(shè)備升級

隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展，智能家居、OTT盒子、AI電視等終端設(shè)備正加速使用語音交互、圖像識別等功能，低功耗與高性能已成為其對存儲產(chǎn)品的核心需求。KEYMOS科摩思LPDDR4和LPDDR5/5X嵌入式存儲芯片產(chǎn)品以低功耗高性能解決方案助力終端設(shè)備實(shí)現(xiàn)持久續(xù)航與性能飛躍。

KEYMOS科摩思嵌入式存儲芯片產(chǎn)品圖

KEYMOS科摩思LPDDR4X電壓低至0.6V，采用雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu)速率高達(dá)4266Mbps；而LPDDR5/5X嵌入式存儲芯片電壓低至0.5V，提供4GB-16GB多種容量選擇，采用WCK信號設(shè)計速率高達(dá)8533Mbps，為物聯(lián)網(wǎng)AI終端提供持久動力。

KEYMOS科摩思嵌入式存儲芯片產(chǎn)品圖

集成式存儲節(jié)約AI終端主板空間

消費(fèi)電子產(chǎn)品為追求輕薄化和高性能，主板設(shè)計面臨空間壓縮與成本優(yōu)化的雙重挑戰(zhàn)。而KEYMOS科摩思eMMC和UFS嵌入式存儲芯片產(chǎn)品通過高度集成化設(shè)計與FBGA封裝工藝節(jié)約PCB空間，為AI智能手機(jī)、AI智能手表/手環(huán)、平板等設(shè)備縮短開發(fā)周期，快速響應(yīng)市場需求迭代。

KEYMOS科摩思嵌入式存儲芯片產(chǎn)品圖

加入深圳市物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)協(xié)會，超盈智能科技將依托協(xié)會平臺優(yōu)勢深化與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)伙伴的戰(zhàn)略協(xié)作，為5G通信、人工智能等終端設(shè)備的升級提供可靠穩(wěn)定的存儲解決方案。