據(jù)第三方機(jī)構(gòu)研究，預(yù)計(jì)到2027年LPDDR5將達(dá)到200億美元的市場(chǎng)規(guī)模，其增長(zhǎng)主要來(lái)自智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心與云計(jì)算服務(wù)器和車(chē)載存儲(chǔ)系統(tǒng)等，尤其AI手機(jī)和AI服務(wù)器的需求增長(zhǎng)。KEYMOS科摩思緊跟市場(chǎng)趨勢(shì)推出LPDDR5高性能內(nèi)存，滿足各終端對(duì)高性能存儲(chǔ)的需求。目前KEYMOS科摩思LPDDR5已對(duì)客戶送樣并調(diào)整適配中。

KEYMOS科摩思LPDDR5內(nèi)存產(chǎn)品

多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)化 速率提升50%

KEYMOS科摩思LPDDR5內(nèi)存采用WCK信號(hào)設(shè)計(jì)優(yōu)化及NT-ODT技術(shù)， 增強(qiáng)抗干擾能力，確保數(shù)據(jù)在傳輸過(guò)程中減少延遲和數(shù)據(jù)的完整性及準(zhǔn)確性，以此提高LPDDR5的傳輸速率。此外，該內(nèi)存支持多Bank Group模式，不僅增加了并行數(shù)據(jù)通路，同時(shí)降低單次訪問(wèn)的能耗。憑借著多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)化，KEYMOS科摩思LPDDR5速率高達(dá)6400Mbps，相較于LPDDR4X速率4266Mbps提升50%，從而提供更流暢的用戶體驗(yàn)。

KEYMOS科摩思LPDDR5產(chǎn)品介紹圖

低功耗 電壓低至0.5V

通過(guò)E-DVFSC電源管理和Auto TCSR技術(shù)結(jié)合，如自動(dòng)刷新（Auto Refresh）、溫度補(bǔ)償自刷新（Auto TCSR）和深睡眠模式等，KEYMOS科摩思LPDDR5內(nèi)存實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)地調(diào)整其工作電壓和時(shí)鐘頻率，更精細(xì)地進(jìn)行功能控制，減少不必要的能耗，降低內(nèi)存芯片的磨損，從而提高設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。KEYMOS科摩思LPDDR5內(nèi)存電壓低至0.5V，可有效延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)長(zhǎng)。

KEYMOS科摩思LPDDR5產(chǎn)品參數(shù)圖

海力士晶圓封裝穩(wěn)定性強(qiáng)

KEYMOS科摩思LPDDR5內(nèi)存采用海力士晶圓進(jìn)行封裝，以其強(qiáng)穩(wěn)定性和高可靠性適配各應(yīng)用終端。該內(nèi)存還提供4GB和8GB兩種容量選擇，廣泛適用于智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、游戲機(jī)、VR/AR設(shè)備、邊緣計(jì)算、POS機(jī)和商顯等應(yīng)用領(lǐng)域。

KEYMOS科摩思LPDDR5內(nèi)存產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著超盈智能科技在高性能存儲(chǔ)領(lǐng)域取得新突破。目前，集高性能、低功耗和強(qiáng)穩(wěn)定性于一體的KEYMOS科摩思LPDDR5內(nèi)存產(chǎn)品處于送樣調(diào)試階段，將為推動(dòng)高效能設(shè)備的應(yīng)用提供堅(jiān)實(shí)的存儲(chǔ)支撐。