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士蘭微:第Ⅳ代SiC芯片與模塊已送測(cè),預(yù)計(jì)今年上量

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2024年,士蘭微持續(xù)推進(jìn)碳化硅(SiC)芯片技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。4月8日,士蘭微發(fā)布公告稱,截至目前,士蘭明鎵已形成月產(chǎn)9,000片6吋SiCMOS芯片的生產(chǎn)能力?;诠咀灾餮邪l(fā)的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊在4家國(guó)內(nèi)汽車廠家累計(jì)出貨量5萬(wàn)只,客戶端反映良好,隨著6吋SiC芯片生產(chǎn)線產(chǎn)能釋放,已實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)和交付。

目前,士蘭微已完成第Ⅳ代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開(kāi)發(fā),性能指標(biāo)接近溝槽柵SiC器件的水平。第Ⅳ代SiC芯片與模塊已送客戶評(píng)測(cè),基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊預(yù)計(jì)將于2025年上量。

同時(shí),公司加快推進(jìn)“士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項(xiàng)目的建設(shè)。截至2024年底,士蘭集宏8吋SiCminiline已實(shí)現(xiàn)通線,公司Ⅱ代SiC芯片已在8吋miniline上試流片成功,其參數(shù)與公司6吋產(chǎn)品匹配,良品率明顯高于6吋。士蘭集宏主廠房及其他建筑物已全面封頂,正在進(jìn)行凈化裝修,預(yù)計(jì)將在2025年4季度實(shí)現(xiàn)全面通線并試生產(chǎn),以趕上2026年車用SiC市場(chǎng)的快速成長(zhǎng)。

責(zé)編: 黃仁貴
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THE END

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