近日，由中國(guó)集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟主辦的第八屆“集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)”評(píng)選結(jié)果正式揭曉。華潤(rùn)微電子研究院與代工事業(yè)群華潤(rùn)上華新型鉿基鐵電材料器件IP開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化憑借在先進(jìn)垂直型鉿基鐵電存儲(chǔ)器(VFeRAM)領(lǐng)域的技術(shù)突破，榮獲技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)，彰顯了公司在新型存儲(chǔ)器技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化方面的領(lǐng)先地位。

“技術(shù)突破引領(lǐng)新型存儲(chǔ)器創(chuàng)新發(fā)展”

VFeRAM(Vertical Ferroelectric RAM)是一種基于鉿基鐵電材料的新型非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，兼具高速讀寫、低功耗、高穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，被視為下一代嵌入式存儲(chǔ)的關(guān)鍵解決方案。華潤(rùn)微電子自主研發(fā)的VFeRAM技術(shù)，通過創(chuàng)新型垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，成功突破傳統(tǒng)鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM）面臨的集成度瓶頸，顯著提升存儲(chǔ)密度和數(shù)據(jù)保持能力，廣泛適用于人工智能、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、邊緣計(jì)算及高安全性芯片等領(lǐng)域。

“持續(xù)創(chuàng)新推動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)升級(jí)”

作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)，華潤(rùn)微電子始終堅(jiān)持自主可控的創(chuàng)新路線，積極推動(dòng)新型存儲(chǔ)器技術(shù)的國(guó)產(chǎn)化及規(guī)模化應(yīng)用。此次獲獎(jiǎng)，不僅是行業(yè)對(duì)華潤(rùn)微電子技術(shù)創(chuàng)新能力的認(rèn)可，更將激勵(lì)公司加快VFeRAM的商業(yè)化進(jìn)程，助力中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)邁向更高水平。

未來，華潤(rùn)微電子將繼續(xù)深耕高性能存儲(chǔ)器及先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)，與產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴攜手，共同推進(jìn)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的技術(shù)突破與可持續(xù)發(fā)展，為全球科技創(chuàng)新貢獻(xiàn)“中國(guó)智造”力量。