隨著高端科技的不斷發(fā)展，現(xiàn)代工業(yè)、車業(yè)等高端應(yīng)用領(lǐng)域?qū)β势骷岢隽烁吖β拭芏?、更低功耗、體積小、散熱能力強(qiáng)等嚴(yán)苛的要求。為此，華潤微電子功率器件事業(yè)群（以下簡稱PDBG）推出了基于QDPAK&TOLT頂部散熱封裝的SJ&SiC MOSFET產(chǎn)品，高度匹配OBC、AI服務(wù)器電源等高端應(yīng)用領(lǐng)域需求。
頂部散熱剖面圖
QDPAK&TOLT是在華潤微電子先進(jìn)功率器件封裝基地自主研發(fā)成功的新型封裝，采用頂部散熱創(chuàng)新理念，相較于傳統(tǒng)封裝方式，可以優(yōu)化產(chǎn)品的熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率，允許更高的芯片溫度、更高的功率密度并延長系統(tǒng)壽命，不僅克服了傳統(tǒng)貼片封裝只能通過PCB板散熱的限制，還能使PCB設(shè)計具有高度的靈活性，擴(kuò)大了產(chǎn)品的應(yīng)用范圍，提高了產(chǎn)品性能競爭力。
與此同時，QDPAK&TOLT封裝方式允許更大的裝片面積，可進(jìn)一步提升產(chǎn)品的功率。該封裝方式結(jié)合SJ&SiC MOSFET芯片，促使功率器件具有“體積小、重量輕、功率密度高、效率高”等諸多優(yōu)點，滿足高端應(yīng)用場景需求，備受客戶青睞。
01 QDPAK封裝
一、封裝外形
二、應(yīng)用特征
頂部散熱，散熱片面積>120mm2，具有高耗散能力
內(nèi)置Kelvin源配置，低寄生電感
TCOB> 2000個循環(huán)
相比于JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，增加了1mm的爬電距離，滿足高壓應(yīng)用
鷗翼型引腳
三、應(yīng)用優(yōu)勢
減少寄生電感，降低開關(guān)損耗，提高效率和易用性
提供更高功率密度解決方案
低RDS(ON)，高電流能力
將SMD封裝概念擴(kuò)展到高功率/高電流領(lǐng)域
靈活的PCB布局
焊點檢測容易，焊點可靠性高
克服PCB散熱限制，實現(xiàn)高度自動化
四、應(yīng)用領(lǐng)域
OBC、充電樁、儲能設(shè)備、AI服務(wù)器電源、通信設(shè)備等。
02 TOLT封裝
一、封裝外形
二、應(yīng)用特征
頂部散熱，散熱片面積大于45mm2
內(nèi)置Kelvin源配置，低寄生電感
TCOB> 2000個循環(huán)
高額定電流>300A
鷗翼型引腳（較QDPAK體積更小，節(jié)約PCB面積）
三、應(yīng)用優(yōu)勢
提高系統(tǒng)效率
高功率密度
低RDS(ON)，高電流能力
優(yōu)異的熱性能
節(jié)省冷卻系統(tǒng)
大幅降低產(chǎn)品至散熱片熱阻
焊點檢測容易，焊點可靠性高
大電流應(yīng)用
改善溫度循環(huán)壽命（相比于TOLL x2）
改善散熱能力，提高電流處理能力（相比于TOLL提升36%）
四、應(yīng)用領(lǐng)域
通信電源、服務(wù)器電源、工業(yè)電源等。
PDBG目前已有多顆SJ G4系列和SiC G2系列MOSFET采用了頂部散熱封裝，并推向市場應(yīng)用。該系列產(chǎn)品兼顧了芯片低Rsp、開關(guān)損耗低、優(yōu)異體二極管反向恢復(fù)特性、魯棒性強(qiáng)的特點和QDPAK&TOLT封裝高功率密度、低功耗、封裝體積小、高散熱的優(yōu)越特性，是服務(wù)器電源、OBC、充電樁等領(lǐng)域的優(yōu)選，得到客戶高度認(rèn)可。
SJ MOSFET
SiC MOSFET
