1、商務(wù)部回應(yīng)“美國(guó)對(duì)等關(guān)稅”：將堅(jiān)決采取反制措施
2、全球最大規(guī)模二維半導(dǎo)體！復(fù)旦團(tuán)隊(duì)32位RISC-V微處理器“無(wú)極”發(fā)布
3、杰華特新設(shè)科技公司，經(jīng)營(yíng)范圍含集成電路制造
4、簽約！君原電子半導(dǎo)體靜電吸盤(pán)項(xiàng)目簽約落戶武漢光谷
5、華潤(rùn)微電子榮獲第八屆集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)
1、商務(wù)部回應(yīng)“美國(guó)對(duì)等關(guān)稅”：將堅(jiān)決采取反制措施
據(jù)商務(wù)部網(wǎng)站消息，4月3日，商務(wù)部新聞發(fā)言人就美方宣布對(duì)等關(guān)稅發(fā)表談話，商務(wù)部新聞發(fā)言人表示，中方注意到，美東時(shí)間4月2日，美方宣布對(duì)所有貿(mào)易伙伴征收“對(duì)等關(guān)稅”。中方對(duì)此堅(jiān)決反對(duì)，并將堅(jiān)決采取反制措施維護(hù)自身權(quán)益。
商務(wù)部新聞發(fā)言人指出，美方聲稱自己在國(guó)際貿(mào)易中吃了虧，以所謂“對(duì)等”為由提高對(duì)所有貿(mào)易伙伴的關(guān)稅，這種做法罔顧多年來(lái)多邊貿(mào)易談判達(dá)成的利益平衡結(jié)果，也無(wú)視美方長(zhǎng)期從國(guó)際貿(mào)易中大量獲利的事實(shí)。美方在主觀、單方面評(píng)估基礎(chǔ)上，得出所謂“對(duì)等關(guān)稅”，不符合國(guó)際貿(mào)易規(guī)則，嚴(yán)重?fù)p害相關(guān)方的正當(dāng)合法權(quán)益，是典型的單邊霸凌做法。對(duì)此，很多貿(mào)易伙伴已經(jīng)表達(dá)強(qiáng)烈不滿和明確反對(duì)。
商務(wù)部新聞發(fā)言人強(qiáng)調(diào)，歷史證明，提高關(guān)稅解決不了美國(guó)自身問(wèn)題，既損害美國(guó)自身利益，也危及全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展和產(chǎn)供鏈穩(wěn)定。貿(mào)易戰(zhàn)沒(méi)有贏家，保護(hù)主義沒(méi)有出路。中方敦促美方立即取消單邊關(guān)稅措施，與貿(mào)易伙伴通過(guò)平等對(duì)話妥善解決分歧。
2、全球最大規(guī)模二維半導(dǎo)體！復(fù)旦團(tuán)隊(duì)32位RISC-V微處理器“無(wú)極”發(fā)布
據(jù)復(fù)旦大學(xué)消息，復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室周鵬、包文中聯(lián)合團(tuán)隊(duì)成功研制全球首款基于二維半導(dǎo)體材料的32位RISC-V架構(gòu)微處理——“無(wú)極（WUJI）”。
該成果突破二維半導(dǎo)體電子學(xué)工程化瓶頸，首次實(shí)現(xiàn)5900個(gè)晶體管的集成度，是由復(fù)旦團(tuán)隊(duì)完成、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國(guó)產(chǎn)技術(shù)，使我國(guó)在新一代芯片材料研制中占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢(shì)，為推動(dòng)電子與計(jì)算技術(shù)進(jìn)入新紀(jì)元提供有力支撐。相關(guān)成果于北京時(shí)間4月2日晚間，以《基于二維半導(dǎo)體的RISC-V 32比特微處理器》（“A RISC-V 32-Bit Microprocessor Based on Two-dimensional Semiconductors”）為題發(fā)表于《自然》（Nature）期刊。
（來(lái)源：復(fù)旦大學(xué)）
據(jù)復(fù)旦大學(xué)消息，十多年來(lái)，國(guó)際學(xué)術(shù)界與產(chǎn)業(yè)界已掌握晶圓級(jí)二維材料生長(zhǎng)技術(shù)，成功制造出擁有數(shù)百個(gè)原子長(zhǎng)度、若干個(gè)原子厚度的高性能基礎(chǔ)器件。但是在復(fù)旦團(tuán)隊(duì)取得新突破之前，國(guó)際上最高的二維半導(dǎo)體數(shù)字電路集成度僅為115個(gè)晶體管，由奧地利維也納工業(yè)大學(xué)團(tuán)隊(duì)在2017年實(shí)現(xiàn)。
核心難題在于，要將這些原子級(jí)精密元件組裝成完整的集成電路系統(tǒng)，依舊受制于工藝精度與規(guī)模勻性的協(xié)同良率控制。經(jīng)過(guò)五年攻關(guān)，復(fù)旦團(tuán)隊(duì)將芯片從陣列級(jí)或單管級(jí)推向系統(tǒng)級(jí)集成，基于二維半導(dǎo)體材料（二硫化鉬MoS2）制造的32位RISC-V架構(gòu)微處理器“無(wú)極（WUJI）”成功問(wèn)世。
該芯片通過(guò)自主創(chuàng)新的特色集成工藝，以及開(kāi)源簡(jiǎn)化指令集計(jì)算架構(gòu)（RISC-V），集成5900個(gè)晶體管，在國(guó)際上實(shí)現(xiàn)二維邏輯芯片最大規(guī)模驗(yàn)證紀(jì)錄。
據(jù)復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授周鵬介紹，二維材料不像硅晶圓可以通過(guò)直拉法生長(zhǎng)出高質(zhì)量的大尺寸單晶，而是需要通過(guò)化學(xué)氣相沉積（CVD）法來(lái)生長(zhǎng)，這就導(dǎo)致了材料本身的缺陷和不均勻性。本項(xiàng)研究中的反相器良率高達(dá)99.77%，具備單級(jí)高增益和關(guān)態(tài)超低漏電等優(yōu)異性能，這是一個(gè)工程性的突破。
據(jù)論文共同第一作者、微電子學(xué)院直博生敖明睿介紹，團(tuán)隊(duì)制造了900個(gè)反向器陣列，每個(gè)陣列包含30×30個(gè)反向器。經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試，發(fā)現(xiàn)其中898個(gè)反向器的邏輯功能完好無(wú)損，翻轉(zhuǎn)電壓和爭(zhēng)議值都非常理想，領(lǐng)先于同類研究。
RISC-V作為一種開(kāi)源簡(jiǎn)化指令集計(jì)算架構(gòu)，已逐漸成為當(dāng)前芯片研發(fā)領(lǐng)域的主流選擇。本次研發(fā)的芯片正是采用RISC-V架構(gòu)作為設(shè)計(jì)基礎(chǔ)。微電子學(xué)院研究員韓軍在本次工作中負(fù)責(zé)RISC-V架構(gòu)設(shè)計(jì)。他介紹，選擇這一架構(gòu)意味著對(duì)接全球技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)且無(wú)需依賴封閉架構(gòu)，未來(lái)可自主構(gòu)建用戶生態(tài)，不受制于國(guó)外廠商的架構(gòu)和IP專利。
在該團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)的二維半導(dǎo)體集成工藝中，70%左右的工序可直接沿用現(xiàn)有硅基產(chǎn)線成熟技術(shù)，而核心的二維特色工藝也已構(gòu)建包含20余項(xiàng)工藝發(fā)明專利，結(jié)合專用工藝設(shè)備的自主技術(shù)體系，為產(chǎn)業(yè)化落地鋪平道路。下一步，該團(tuán)隊(duì)將進(jìn)一步提高芯片集成度，尋找并搭建穩(wěn)定的工藝平臺(tái)，為未來(lái)開(kāi)發(fā)具體的應(yīng)用產(chǎn)品打下基礎(chǔ)。周鵬提到，在實(shí)時(shí)信號(hào)處理方面，二維半導(dǎo)體芯片有望適用于物聯(lián)網(wǎng)、邊緣算力、AI推理等前沿計(jì)算場(chǎng)景。
3、杰華特新設(shè)科技公司，經(jīng)營(yíng)范圍含集成電路制造
企查查APP顯示，近日，宜欣科技（嘉善）有限公司正式成立，法定代表人為孟慶恒，注冊(cè)資本1000萬(wàn)元，經(jīng)營(yíng)范圍涵蓋集成電路制造、設(shè)計(jì)、芯片及產(chǎn)品制造等核心業(yè)務(wù)，同時(shí)涉及新材料技術(shù)研發(fā)、新興能源技術(shù)研發(fā)等領(lǐng)域。該公司由杰華特旗下無(wú)錫市宜欣科技有限公司全資持股。
此次新設(shè)公司是杰華特在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的進(jìn)一步延伸。此前，杰華特已通過(guò)子公司布局集成電路相關(guān)業(yè)務(wù)，例如2024年5月成立的杭州芯譽(yù)科技有限公司，專注于集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)，由杰華特與合作伙伴共同持股。
財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，杰華特2024年第三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收11.92億元，同比增長(zhǎng)18.62%，但虧損幅度持續(xù)擴(kuò)大，扣非凈虧損為5.33億元。上半年公司營(yíng)收7.51億元，同比增長(zhǎng)15.6%，歸母凈虧損3.37億元，主要因行業(yè)需求疲軟及研發(fā)投入增加。
在業(yè)務(wù)推進(jìn)方面，杰華特DrMOS及多相控制器產(chǎn)品線進(jìn)展顯著，30A~90A DrMOS及6相、8相、12相控制器已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，其他型號(hào)研發(fā)穩(wěn)步進(jìn)行。
4、簽約！君原電子半導(dǎo)體靜電吸盤(pán)項(xiàng)目簽約落戶武漢光谷
據(jù)中國(guó)光谷消息，4月2日，君原電子與武漢東湖高新區(qū)簽約，將在光谷建設(shè)半導(dǎo)體靜電吸盤(pán)項(xiàng)目。
君原電子成立于2020年，具備半導(dǎo)體靜電吸盤(pán)（ESC）從研發(fā)到量產(chǎn)的全流程能力，其產(chǎn)品覆蓋14納米及以上制程的主要刻蝕機(jī)臺(tái)應(yīng)用，已通過(guò)國(guó)內(nèi)12英寸晶圓廠驗(yàn)證。君原電子總經(jīng)理王繼增表示，項(xiàng)目落戶光谷，將進(jìn)一步拉近與光谷集成電路企業(yè)的距離，降低物流成本，提高產(chǎn)品應(yīng)用效率。未來(lái)公司將與當(dāng)?shù)禺a(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)協(xié)同合作，不斷突破半導(dǎo)體靜電吸盤(pán)技術(shù)，力爭(zhēng)成為全球技術(shù)領(lǐng)先的集成電路核心零部件供應(yīng)商。
靜電吸盤(pán)作為晶圓生產(chǎn)設(shè)備的核心部件之一，是利用靜電吸附、搬運(yùn)晶圓的陶瓷托盤(pán)，如同芯片制造的“隱形手”，用在刻蝕機(jī)、光刻機(jī)、鍍膜設(shè)備上，能固定晶圓，確保其紋絲不動(dòng)。由于陶瓷材料和精密電極的制造難度高，半導(dǎo)體靜電吸盤(pán)生產(chǎn)技術(shù)是國(guó)內(nèi)企業(yè)在推進(jìn)芯片制造國(guó)產(chǎn)化中需要攻克的重要技術(shù)之一。
此次簽約項(xiàng)目落戶未來(lái)科技城光谷筑芯科技產(chǎn)業(yè)園，將建設(shè)靜電吸盤(pán)產(chǎn)線，就近為光谷集成電路企業(yè)提供靜電吸盤(pán)生產(chǎn)與維修服務(wù)。
（來(lái)源：中國(guó)光谷，光谷筑芯科技產(chǎn)業(yè)園效果圖）
5、華潤(rùn)微電子榮獲第八屆集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)
近日，由中國(guó)集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟主辦的第八屆“集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)”評(píng)選結(jié)果正式揭曉。華潤(rùn)微電子研究院與代工事業(yè)群華潤(rùn)上華新型鉿基鐵電材料器件IP開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化憑借在先進(jìn)垂直型鉿基鐵電存儲(chǔ)器(VFeRAM)領(lǐng)域的技術(shù)突破，榮獲技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)，彰顯了公司在新型存儲(chǔ)器技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化方面的領(lǐng)先地位。
“技術(shù)突破引領(lǐng)新型存儲(chǔ)器創(chuàng)新發(fā)展”
VFeRAM(Vertical Ferroelectric RAM)是一種基于鉿基鐵電材料的新型非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，兼具高速讀寫(xiě)、低功耗、高穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，被視為下一代嵌入式存儲(chǔ)的關(guān)鍵解決方案。華潤(rùn)微電子自主研發(fā)的VFeRAM技術(shù)，通過(guò)創(chuàng)新型垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，成功突破傳統(tǒng)鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM）面臨的集成度瓶頸，顯著提升存儲(chǔ)密度和數(shù)據(jù)保持能力，廣泛適用于人工智能、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、邊緣計(jì)算及高安全性芯片等領(lǐng)域。
“持續(xù)創(chuàng)新推動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)升級(jí)”
作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)，華潤(rùn)微電子始終堅(jiān)持自主可控的創(chuàng)新路線，積極推動(dòng)新型存儲(chǔ)器技術(shù)的國(guó)產(chǎn)化及規(guī)模化應(yīng)用。此次獲獎(jiǎng)，不僅是行業(yè)對(duì)華潤(rùn)微電子技術(shù)創(chuàng)新能力的認(rèn)可，更將激勵(lì)公司加快VFeRAM的商業(yè)化進(jìn)程，助力中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)邁向更高水平。
未來(lái)，華潤(rùn)微電子將繼續(xù)深耕高性能存儲(chǔ)器及先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)，與產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴攜手，共同推進(jìn)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的技術(shù)突破與可持續(xù)發(fā)展，為全球科技創(chuàng)新貢獻(xiàn)“中國(guó)智造”力量。
