3月11日，青禾晶元在香港隆重舉辦新品發(fā)布會，全球首臺獨立研發(fā)C2W&W2W雙模式混合鍵合設備SAB 82CWW系列震撼亮相！發(fā)布會匯聚半導體行業(yè)頂尖專家、學者及媒體，共同見證這一顛覆性技術的誕生。表面活化鍵合技術之父，混合鍵合技術的首次提出者須賀唯知教授也蒞臨發(fā)布會現(xiàn)場。青禾晶元作為先進封裝領域的核心參與者與推動者，以創(chuàng)新實力再次證明其行業(yè)引領地位。
破局摩爾定律
三維集成技術，重塑芯片未來
隨著制程工藝不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)制程微縮面臨諸多挑戰(zhàn)?；旌湘I合技術可以在三維空間重構芯片架構，實現(xiàn)“功能拼圖”式的性能躍升，為延續(xù)摩爾定律和超越摩爾定律提供了發(fā)展路徑。青禾晶元憑借其在先進封裝技術領域的深厚積累，推出了SAB 82CWW系列雙模式混合鍵合設備，為半導體行業(yè)提供了新的解決方案。
雙模并行，打破邊界
SAB 82CWW系列設備采用了全球先進的一體化設備架構，將C2W和W2W兩種技術路線從“非此即彼”變?yōu)椤皡f(xié)同進化”。這一創(chuàng)新設計不僅提高了設備的通用性和靈活性，還為客戶提供了更大的選擇空間，滿足了不同應用場景的需求。
技術領先，驅(qū)動行業(yè)鍵合創(chuàng)新
SAB 82CWW系列混合鍵合設備具備多項技術亮點：
雙模工藝集成：設備采用高度靈活的模塊化設計，支持C2W和W2W雙模式混合鍵合，實現(xiàn)無縫適配研發(fā)與生產(chǎn)需求，提升設備使用率。
多尺寸兼容：設備可兼容8寸和12寸晶圓，通過更換部件快速切換，提供更大的靈活性，滿足不同尺寸晶圓的鍵合需求。
超強芯片處理能力：設備能夠處理厚度最薄至35μm的超薄芯片，同時具備全尺寸兼容性，從0.5×0.5mm到50×50mm的芯片均可處理，保證生產(chǎn)良率和可靠性。
兼容不同的對準方式：提供片間同軸和紅外穿透兩種對準方式，對準精度優(yōu)于±300nm（同軸）和±100nm（紅外），應對不同尺寸和材質(zhì)的芯片。
創(chuàng)新的鍵合方式：通過鍵合方式創(chuàng)新，最大程度的減少顆粒污染的風險，實現(xiàn)高良率鍵合。
高精度、高效率：C2W和W2W鍵合技術實現(xiàn)±30nm的對準精度和±100nm的鍵合精度，C2W單鍵合頭UPH最高可達1000片/小時。
智能化偏移補償：配備高精度高通量檢測模塊和內(nèi)置算法，實現(xiàn)負反饋偏移補償，確保鍵合精度的穩(wěn)定性和一致性。
賦能多領域應用，推動行業(yè)創(chuàng)新
SAB 82CWW系列混合鍵合設備在存儲器、Micro-LED顯示、CMOS圖像傳感器、光電集成等多個領域展現(xiàn)了廣泛的應用前景。青禾晶元將持續(xù)深耕先進封裝技術，以SAB 82CWW系列為起點，持續(xù)投入研發(fā)，推出更多滿足客戶需求的產(chǎn)品，攜手全球合作伙伴，推動半導體異質(zhì)集成技術邁向新高度。
與會嘉賓合影留念
