盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“盛美上?！保苿?chuàng)板股票代碼：688082），作為一家為半導(dǎo)體前道和先進(jìn)封裝應(yīng)用提供晶圓工藝解決方案的卓越供應(yīng)商，于今日宣布其單晶圓中/高溫硫酸過氧化混合物（SPM）設(shè)備已成功通過一家邏輯芯片制造商的大批量制造驗(yàn)證。

截止目前，該設(shè)備已交付了13家客戶。該系統(tǒng)采用盛美上海全新的專有噴嘴設(shè)計(jì)以消除SPM工藝中的酸霧飛濺問題，有助于提高顆粒控制能力并減少腔體的清洗維護(hù)頻率，從而延長(zhǎng)設(shè)備的正常運(yùn)行時(shí)間（uptime）。該系統(tǒng)能夠應(yīng)對(duì)28納米及以下節(jié)點(diǎn)前道與后道工藝中晶圓所需的多種濕蝕刻與清洗工藝。

盛美上海董事長(zhǎng)王暉博士表示：“作為盛美上海持續(xù)創(chuàng)新的典范，單晶圓中/高溫SPM設(shè)備可有效解決客戶在大批量300毫米半導(dǎo)體制造方面所遇到的挑戰(zhàn)。我們已然看到該設(shè)備在全球范圍內(nèi)獲得廣泛認(rèn)可。單晶圓中/高溫SPM設(shè)備在在晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)中的所占份額不斷增長(zhǎng)，尤其是單晶圓高溫SPM設(shè)備，下一代半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中扮演至關(guān)重要的角色?！?/p>

盛美上海的單晶圓中/高溫SPM設(shè)備能夠應(yīng)對(duì)前道與后道工藝中晶圓所需的多種濕蝕刻與清洗工藝，包括中低溫硫酸90℃清洗處理工藝、高溫硫酸170℃光刻膠（PR）去除工藝，以及超高溫硫酸190℃金屬剝離工藝。隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的不斷推進(jìn)，對(duì)單片高溫硫酸工藝的需求顯著增長(zhǎng)。這一趨勢(shì)對(duì)顆粒管控、腔室氛圍管理以及硫酸溫度穩(wěn)定性提出了更為嚴(yán)格的要求。盛美上海在單晶圓中/高溫SPM設(shè)備中引入了創(chuàng)新設(shè)計(jì)，為滿足更加嚴(yán)苛的需求做好了充分準(zhǔn)備。

該設(shè)備集成的盛美上海專利技術(shù)包括：

• 多級(jí)加熱方式 — 可確保最高混合溫度達(dá)到230℃以上并實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定控制。

• 專有SPM噴嘴設(shè)計(jì) — 可防止SPM飛濺到腔體以外，以顯著提升顆?？刂颇芰?，使得26納米尺度下的平均顆粒數(shù)控制在10顆以內(nèi)。

單晶圓中/高溫SPM設(shè)備腔體配備化學(xué)內(nèi)聯(lián)混合（CIM）系統(tǒng)，可支持各種化學(xué)品的配置。該腔體還可與盛美上海的專利空間交變相位移（SAPS）和時(shí)序能激氣穴震蕩（TEBO）超聲波技術(shù)搭配使用，以提升晶圓清洗效果。

盛美上海單晶圓中/高溫SPM設(shè)備功能和規(guī)格

盛美上海單晶圓中/高溫SPM設(shè)備適用于多種濕蝕刻和單面或雙面清洗工藝，并支持多種化學(xué)品和清洗工藝。相較于大多數(shù)后清洗和光刻膠濕法工藝，該設(shè)備在去除有機(jī)缺陷的同時(shí)，能夠顯著減少薄膜的損失。該設(shè)備主要用于處理150毫米至300毫米晶圓，配備四個(gè)裝載端口、8至12個(gè)腔體、一個(gè)多功能化學(xué)品分配系統(tǒng)以及腔體自清洗功能。