天眼查顯示，上海維安半導(dǎo)體有限公司近日取得一項(xiàng)名為“一種低鉗位內(nèi)嵌降容二極管的新型可控硅器件”的專利，授權(quán)公告號為CN111092117B，授權(quán)公告日為2024年12月31日，申請日為2020年02月21日。
一種低鉗位內(nèi)嵌降容二極管的新型可控硅器件，包括可控硅模塊、二極管模塊，可控硅模塊與二極管模塊形成于硅襯底的異質(zhì)外延層上，可控硅模塊與二極管模塊分別采用深槽DTI隔離。本發(fā)明產(chǎn)品解決了集成二極管的可控硅器件鉗位電壓高的問題，獲得一種在同等面積和同等電容下，鉗位電壓更低的器件。
