天眼查顯示，上海維安半導體有限公司“一種基于錯位觸發(fā)的可控硅保護器件”專利公布，申請公布日為2024年5月14日，申請公布號為CN118039639A。

本發(fā)明提供一種基于錯位觸發(fā)的可控硅保護器件，包括至少一插指單元，每一插指單元包括：襯底以及形成于襯底的第一面的外延層；第一N型阱區(qū)和P型阱區(qū)，分別形成于外延層中；第一N+區(qū)和第一P+區(qū)，分別形成于第一N型阱區(qū)中，第一P+區(qū)與第一N+區(qū)電性連接并作為可控硅保護器件的陽極；第三N+區(qū)，形成于P型阱區(qū)中，第三N+區(qū)的電性輸出端作為可控硅保護器件的陰極；第二N+區(qū)和第二P+區(qū)，形成于外延層中，第二P+區(qū)位于第一N型阱區(qū)遠離P型阱區(qū)的一側，第二P+區(qū)與第二N+區(qū)相接觸。有益效果：通過將導通路徑與觸發(fā)路徑分離，提高器件魯棒性。