天眼查顯示，上海維安半導(dǎo)體有限公司近日取得一項(xiàng)名為“一種雙層側(cè)墻結(jié)構(gòu)的超結(jié)功率MOSFET器件的制備方法及超結(jié)功率MOSFET器件”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN116313807B，授權(quán)公告日為2024年5月28日，申請(qǐng)日為2023年2月28日。 

本發(fā)明提供一種雙層側(cè)墻結(jié)構(gòu)的超結(jié)器件的制備方法及超結(jié)器件，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，包括：步驟S1，提供一超結(jié)器件，超結(jié)器件具有一柵極多晶硅層；步驟S2，于柵極多晶硅層的側(cè)面形成一具有氧化層和多晶硅層的雙層側(cè)墻結(jié)構(gòu)。有益效果：本發(fā)明在超結(jié)器件的柵極多晶硅層側(cè)壁形成了一個(gè)包含有氧化層和多晶硅層的雙層側(cè)墻結(jié)構(gòu)，柵極多晶硅層通過(guò)側(cè)壁的氧化層與側(cè)壁的多晶硅層新形成一個(gè)寄生電容Csr，該寄生電容Csr與原柵源電容并聯(lián)，從而增大了輸入電容，減小了柵極電壓的振蕩，有效改善了產(chǎn)品的抗電磁干擾能力。