捷捷微電“一種SiC基RC-IGBT的結(jié)構(gòu)及其制備方法”專利公布

作者：愛集微 2024-12-28

來源：愛集微 #捷捷微電#

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天眼查顯示，江蘇捷捷微電子股份有限公司“一種SiC基RC-IGBT的結(jié)構(gòu)及其制備方法”專利公布，申請公布日為2024年11月15日，申請公布號為CN118969829A。

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種SiC基RC?IGBT結(jié)構(gòu)及其制備方法。RC?IGBT結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底；所述半導(dǎo)體襯底的正面有元胞結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體襯底的背面有集電極結(jié)構(gòu)。其特點是，所述半導(dǎo)體襯底由SiC材料制備而成。該RC?IGBT結(jié)構(gòu)的內(nèi)置二極管Vf小，反向恢復(fù)時間短。