天眼查顯示，江蘇捷捷微電子股份有限公司“一種縱向變摻雜的IGBT結構及制備方法”專利公布，申請公布日為2024年11月15日，申請公布號為CN118969828A。
本發(fā)明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種混合柵IGBT結構及制備方法?；旌蠔臝GBT結構包括第一導電類型的半導體襯底，半導體襯底的正面生長有第一導電類型的外延層，外延層的正面有元胞結構，半導體襯底的背面有集電極結構。其特點是，所述元胞結構含有依次設置有溝槽柵和平面柵，溝槽柵和平面柵間有發(fā)射極結構。該混合柵IGBT結構短路能力強，EMI噪聲低，折中特性更優(yōu)。
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