11月19日上午，北京市人民政府召開(kāi)全市科技大會(huì)暨科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)。北京航空航天大學(xué)作為第一完成單位，榮獲2023年度北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)項(xiàng)目獎(jiǎng)4項(xiàng)

其中我院趙巍勝教授團(tuán)隊(duì)，榮獲北京市自然科學(xué)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)。

2023年度北京市自然科學(xué)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)名錄

獲獎(jiǎng)項(xiàng)目

獲獎(jiǎng)項(xiàng)目：自旋存儲(chǔ)芯片及器件基礎(chǔ)研究

第一完成人趙巍勝

集成電路科學(xué)與工程學(xué)院

項(xiàng)目介紹

存儲(chǔ)芯片是電子信息產(chǎn)業(yè)的基石。然而我國(guó)在該領(lǐng)域嚴(yán)重依賴進(jìn)口，部分產(chǎn)品遭受禁運(yùn)?；陔娮幼孕拇糯鎯?chǔ)芯片具有非易失、高速讀寫、低功耗和抗輻照等優(yōu)勢(shì)，是“后摩爾時(shí)代”集成電路領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)。然而，當(dāng)前自旋存儲(chǔ)芯片和器件面臨數(shù)據(jù)讀取裕度不足、寫入功耗偏高、存儲(chǔ)可靠性偏低和傳輸效率低下等基礎(chǔ)科學(xué)問(wèn)題。在核高基國(guó)家科技重大專項(xiàng)、北京市科技計(jì)劃等項(xiàng)目的連續(xù)支持下，項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)深入開(kāi)展自旋存儲(chǔ)芯片及器件基礎(chǔ)研究，取得以下重要科學(xué)發(fā)現(xiàn)，為研制國(guó)產(chǎn)高性能存儲(chǔ)芯片提供支撐。

1、針對(duì)自旋存儲(chǔ)芯片及器件的高靈敏度數(shù)據(jù)讀取，成功實(shí)現(xiàn)249%隧穿磁電阻效應(yīng)，較IBM、IMEC及高通等國(guó)際領(lǐng)先機(jī)構(gòu)此前公布的數(shù)據(jù)提高30%，獲中國(guó)電子學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)成果鑒定。相關(guān)論文發(fā)表于Nat. Commun.，入選ESI高被引論文、熱點(diǎn)論文和2018年中國(guó)百篇最具影響國(guó)際學(xué)術(shù)論文。

2、針對(duì)自旋存儲(chǔ)芯片及器件的低功耗數(shù)據(jù)寫入，發(fā)現(xiàn)自旋協(xié)同矩效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了自旋存儲(chǔ)器件的全電學(xué)寫入，被國(guó)際集成電路領(lǐng)軍企業(yè)格羅方德列入自旋存儲(chǔ)芯片未來(lái)發(fā)展路線圖，獲中國(guó)電子學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)成果鑒定。相關(guān)論文發(fā)表于Nat.Electron.，得到編輯重點(diǎn)評(píng)論，入選ESI高被引論文和北京地區(qū)廣受關(guān)注學(xué)術(shù)論文；進(jìn)一步，提出將電子運(yùn)動(dòng)壓縮至二維平面以提高寫入效率的技術(shù)方案，相關(guān)論文發(fā)表于Nat.Electron.，入選 ESI高被引論文和熱點(diǎn)論文。

3、針對(duì)自旋存儲(chǔ)芯片及器件的高密度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，發(fā)現(xiàn)自旋軌道矩對(duì)界面垂直偏置的電學(xué)調(diào)控效應(yīng)。相關(guān)論文發(fā)表于Nat.Electron.，為研制面向10 nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的超高密度自旋存儲(chǔ)芯片提供了有效技術(shù)路徑。

4. 針對(duì)自旋存儲(chǔ)芯片及器件的高能效數(shù)據(jù)傳輸，提出了超短波長(zhǎng)自旋波激發(fā)方法，實(shí)現(xiàn)了國(guó)際上相干激發(fā)自旋波的最短波長(zhǎng)紀(jì)錄（50nm）。相關(guān)論文發(fā)表于Nat.Commun.，入選ESI高被引論文。

本項(xiàng)目5篇代表作近五年SCI嚴(yán)格他引740次。成果受到來(lái)自瑞士ETH、比利時(shí)IMEC、美國(guó)斯坦福大學(xué)和日本東北大學(xué)等研究機(jī)構(gòu)數(shù)十位APS/IEEE Fellow的正面評(píng)價(jià)。通過(guò)與華為、致真存儲(chǔ)（北京）等公司深度合作，本項(xiàng)目在高可靠、高速度、低功耗自旋存儲(chǔ)芯片及器件的科學(xué)發(fā)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)了轉(zhuǎn)化和應(yīng)用，支撐我國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的自主可控和快速發(fā)展。項(xiàng)目完成人入選IEEE Fellow（2019）、教育部長(zhǎng)江學(xué)者（2020）和青年長(zhǎng)江學(xué)者（2022），榮獲中國(guó)電子學(xué)會(huì)自然科學(xué)一等獎(jiǎng)（2021）、科學(xué)探索獎(jiǎng)（2021）和華為奧林帕斯先鋒獎(jiǎng)（2022）。