天眼查顯示，上海積塔半導(dǎo)體有限公司近日取得一項(xiàng)名為“基于BCD工藝的全隔離LDNMOS的制作方法及芯片”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN112968060B，授權(quán)公告日為2024年8月13日，申請(qǐng)日為2019年11月27日。

本發(fā)明公開了一種基于BCD工藝的全隔離LDNMOS的制作方法及芯片，全隔離LDNMOS包括P型襯底、高壓N阱、N型漂移區(qū)、若干STI、P型體區(qū)、源區(qū)、漏區(qū)、閘極和N型漂移區(qū)的全隔離區(qū)；制作方法包括以下步驟：利用LDPMOS的P型漂移區(qū)的制作步驟生成N型漂移區(qū)的全隔離區(qū)。本發(fā)明利用LDPMOS的P型漂移區(qū)的制作步驟生成全隔離LDNMOS的N型漂移區(qū)的全隔離區(qū)，省去了傳統(tǒng)全隔離LDNMOS中需要利用一層光罩采用高能注入的形式單獨(dú)形成P型埋層作為N型漂移區(qū)的全隔離區(qū)的步驟，通過簡化工藝步驟降低了制造成本，并且通過RESURF效應(yīng)改善了LDNMOS的導(dǎo)通電阻，保證擊穿電壓以及導(dǎo)通電阻均可以匹配傳統(tǒng)全隔離LDNMOS的表現(xiàn)。