積塔半導(dǎo)體“用于制造半導(dǎo)體裝置的方法以及半導(dǎo)體裝置”專利公布

作者：愛集微 2024-08-02

來源：愛集微 #積塔半導(dǎo)體# #積塔半導(dǎo)#

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天眼查顯示，上海積塔半導(dǎo)體有限公司“用于制造半導(dǎo)體裝置的方法以及半導(dǎo)體裝置”專利公布，申請公布日為2024年7月19日，申請公布號為CN118366850A。

本公開涉及用于制造半導(dǎo)體裝置的方法以及半導(dǎo)體裝置。一種用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括：提供半導(dǎo)體基底，在半導(dǎo)體基底中形成有溝槽；用飛秒激光束照射半導(dǎo)體基底的與溝槽的第一部分鄰接的第二部分，使得半導(dǎo)體基底的第二部分發(fā)生非熱熔化；以及在完成飛秒激光束的照射之后，對半導(dǎo)體基底進(jìn)行熱氧化處理，使得半導(dǎo)體基底的第二部分形成氧化層。