積塔半導(dǎo)體“極板電容器及其制造方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)”專利公布

作者：愛集微 2024-07-25

來源：愛集微 #積塔半導(dǎo)體# #積塔半導(dǎo)#

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天眼查顯示，上海積塔半導(dǎo)體有限公司“極板電容器及其制造方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)”專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年7月23日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118380417A。

本公開實(shí)施例提供了一種極板電容器及其制造方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該極板電容器，包括：在第一方向上相對(duì)設(shè)置的第一極板和第二極板，以及設(shè)置于所述第一極板和所述第二極板之間的介質(zhì)層；所述介質(zhì)層包括沿所述第一方向?qū)盈B的第一子層、第二子層和第三子層；其中，所述第一子層與所述第一極板接觸，所述第三子層與所述第二極板接觸，所述第一子層、所述第二子層和所述第三子層的材料組成元素相同，且所述第一子層和所述第三子層中的硅元素含量均小于所述第二子層中的硅元素含量。本公開用于改善MIM電容器的可靠性。