4月9日，陜西省人民政府發(fā)布《陜西省人民政府關(guān)于2023年度陜西省科學(xué)技術(shù)獎勵的決定》。

其中，西安紫光國芯SeDRAM技術(shù)成果“三維異質(zhì)集成高帶寬低功耗動態(tài)隨機存儲器芯片關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用”獲得陜西省科學(xué)技術(shù)進步獎二等獎。

據(jù)悉，針對當前計算體系架構(gòu)中普遍存在的處理器與存儲器性能不平衡的“存儲墻”困境，西安紫光國芯創(chuàng)新性地提出了一種三維異質(zhì)集成DRAM架構(gòu)。該架構(gòu)顯著提高了訪存帶寬，降低了單位比特能耗，使得訪存效率獲得大幅提升，為海量數(shù)據(jù)搬運速度慢、搬運能耗大的性能瓶頸提供了領(lǐng)先的解決方案。

同時，西安紫光國芯提出的規(guī)范化芯片設(shè)計流程，有效解決了三維異質(zhì)集成領(lǐng)域中系統(tǒng)、電路與封裝協(xié)同設(shè)計的難題。圍繞該技術(shù)成果，公司已布局了超百項相關(guān)專利，并取得了累計超十億的經(jīng)濟效益。此外，由業(yè)界權(quán)威專家組成的成果評價委員會對該技術(shù)的先進性和創(chuàng)新性給予了高度評價，并一致認為該技術(shù)“整體達到國際先進水平，為國產(chǎn)化高性能計算芯片的發(fā)展提供了新思路”。

目前，西安紫光國芯SeDRAM技術(shù)已實現(xiàn)產(chǎn)品化、規(guī)模化應(yīng)用。（校對/韓秀榮）