在剛剛閉幕的2024世界人工智能大會暨人工智能全球治理高級別會議（WAIC 2024）上，西安紫光國芯半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱“紫光國芯”，證券代碼：874451）憑借其業(yè)界領(lǐng)先的超大帶寬、超低功耗的堆疊嵌入式DRAM技術(shù)（SeDRAM?）和CXL內(nèi)存擴展主控技術(shù)方案，吸引了諸多與會嘉賓高度關(guān)注并駐足交流。此次盛會不僅見證了紫光國芯在存儲技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累，更彰顯了其在AI時代存儲解決方案領(lǐng)域創(chuàng)新引領(lǐng)者的地位。

AI時代的存儲挑戰(zhàn)與紫光國芯的破局之道

隨著AI技術(shù)的迅猛發(fā)展，在硬件領(lǐng)域，AI算力芯片與AI服務(wù)器平臺的存儲系統(tǒng)性能成為制約AI性能提升的關(guān)鍵因素之一，由來已久的“存儲墻”難題也愈發(fā)凸顯。紫光國芯憑借其敏銳的市場洞察力和深厚的技術(shù)積累，通過自主研發(fā)的SeDRAM?技術(shù)和CXL技術(shù)，為突破“存儲墻”難題提供強有力的技術(shù)方案支持。

SeDRAM?技術(shù)：實現(xiàn)片內(nèi)數(shù)十TB訪存帶寬、數(shù)十GB存儲容量

紫光國芯SeDRAM?技術(shù)，創(chuàng)新性地通過Wafer-to-Wafer（WoW）3D堆疊，實現(xiàn)了數(shù)十TB的內(nèi)存訪問帶寬和數(shù)十GB的存儲容量，突破了傳統(tǒng)存儲方案的性能瓶頸。該技術(shù)摒棄了HBM或DDR存儲方案中的PHY-PHY互連結(jié)構(gòu)，采用金屬層垂直互連的方式，大幅降低了訪存延遲和功耗。目前，紫光國芯的SeDRAM?技術(shù)已演進(jìn)至第三代，其技術(shù)水平及應(yīng)用案例均處于行業(yè)領(lǐng)先地位，為AI、高性能計算(HPC)等應(yīng)用場景提供了卓越的高性能存儲解決方案。

堆疊嵌入式DRAM（SeDRAM?）技術(shù)

紫光國芯SeDRAM?技術(shù)可為用戶提供“帶寬+容量”的差異化存儲組合方案，采用標(biāo)準(zhǔn)IP化交付形式，完全兼容傳統(tǒng)的SoC設(shè)計流程，有效縮短了產(chǎn)品研發(fā)周期，并助力用戶產(chǎn)品性能實現(xiàn)最大化提升。

片內(nèi)超大帶寬、超低功耗存儲解決方案：SeDRAM?

過去五年間，紫光國芯憑借其在堆疊嵌入式DRAM領(lǐng)域的技術(shù)積累，成功支持了二十余款產(chǎn)品的研發(fā)或量產(chǎn)，進(jìn)一步鞏固了其在行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位。

CXL內(nèi)存擴展主控技術(shù)：容量及帶寬擴展技術(shù)賦能高性能服務(wù)器

紫光國芯作為CXL技術(shù)的早期布局者，積極參與了技術(shù)探索與產(chǎn)品應(yīng)用推進(jìn)。在此次展會上，紫光國芯展出了其行業(yè)領(lǐng)先的CXL內(nèi)存擴展主控技術(shù)方案，該方案旨在滿足高性能服務(wù)器平臺在系統(tǒng)主存的容量和帶寬擴展、內(nèi)存池化等方面的應(yīng)用需求，為大數(shù)據(jù)處理、AI計算等多應(yīng)用場景提供了高性能的存儲解決方案。

紫光國芯的CXL內(nèi)存擴展主控技術(shù)方案具有出色的兼容性和可擴展性，已適配多型號主流處理器并支持多種存儲介質(zhì)，通過與行業(yè)上下游頭部廠商的緊密合作，該方案在訪存延遲、帶寬等方面均表現(xiàn)出色。

CXL內(nèi)存擴展主控技術(shù)方案

持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)引領(lǐng)

據(jù)了解，紫光國芯一直以來持續(xù)投入高性能存儲方案的研發(fā)，尤其在堆疊嵌入式DRAM領(lǐng)域，有著深厚的技術(shù)積累。近兩年，隨著人工智能各類場景的快速落地，采用SeDRAM技術(shù)的算力芯片能夠?qū)崿F(xiàn)性能的極致釋放。在CXL技術(shù)領(lǐng)域，紫光國芯作為行業(yè)的先行者，緊跟市場和生態(tài)的發(fā)展，其提供的解決方案將有效助力高性能服務(wù)器進(jìn)一步提升產(chǎn)品的競爭力。