天眼查顯示，比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司“半導(dǎo)體功率器件的元胞結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體功率器件”專利獲授權(quán)，授權(quán)公告日為10月17日，授權(quán)公告號為CN219842992U。

圖片來源：天眼查

專利摘要顯示，本實用新型公開了一種半導(dǎo)體功率器件的元胞結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體功率器件。所述元胞結(jié)構(gòu)包括：第一導(dǎo)電類型的漂移區(qū)，其具有相對設(shè)置的第一表面和第二表面；第二導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)，其形成在漂移區(qū)的第一表面上；第一導(dǎo)電類型的源區(qū)，其形成在第二導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)的遠離漂移區(qū)的表面上；陰極金屬層，其形成在源區(qū)的遠離漂移區(qū)的表面上；溝槽柵結(jié)構(gòu)，溝槽柵結(jié)構(gòu)自源區(qū)的所述表面延伸到漂移區(qū)中；層間介質(zhì)層，其位于溝槽柵結(jié)構(gòu)與陰極金屬層之間；陽極金屬層，其位于漂移區(qū)的第二表面上；以及多個第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)，彼此間隔開地位于漂移區(qū)中且位于溝槽柵結(jié)構(gòu)的下方。（校對/劉沁宇）