在半導(dǎo)體周期性下行背景下，5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)等新興市場(chǎng)的出現(xiàn)為半導(dǎo)體行業(yè)注入了生機(jī)。伴隨新興應(yīng)用客戶(hù)對(duì)芯片設(shè)計(jì)與工藝創(chuàng)新提出更多新的需求，以及國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)逐步走向縱深，國(guó)內(nèi)芯片廠(chǎng)商因此迎來(lái)重要的市場(chǎng)機(jī)遇，有望在創(chuàng)新應(yīng)用的帶動(dòng)下進(jìn)一步突破既有市場(chǎng)格局。
10月18日，集微網(wǎng)舉辦了第70期“集微公開(kāi)課”活動(dòng)，東芯半導(dǎo)體股份有限公司副總經(jīng)理陳磊進(jìn)行“以創(chuàng)芯動(dòng)能構(gòu)建存儲(chǔ)市場(chǎng)新維度”的主題分享，詳細(xì)介紹了行業(yè)下行周期下的機(jī)遇與挑戰(zhàn)，分析了存儲(chǔ)市場(chǎng)及下游市場(chǎng)需求，并闡述了東芯半導(dǎo)體在新形勢(shì)下的戰(zhàn)略布局。
東芯半導(dǎo)體作為本土擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、專(zhuān)注于中小容量存儲(chǔ)芯片的Fabless公司，聚焦中小容量NAND Flash、NOR Flash、DRAM的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售，是目前國(guó)內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的存儲(chǔ)設(shè)計(jì)公司之一。
下行周期疊加新興應(yīng)用，存儲(chǔ)廠(chǎng)商的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
2022年是我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存的一年。一方面，2022年我國(guó)集成電路產(chǎn)量為3241.89億塊，同比下降9.8%，在市場(chǎng)需求景氣度影響下，遭遇了多年來(lái)首次下滑；另一方面，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模突破1.2萬(wàn)億元，創(chuàng)下新高，仍在芯片產(chǎn)品和產(chǎn)能領(lǐng)域占據(jù)重要地位。
陳磊分析指出，數(shù)據(jù)背后可以看出，我國(guó)是存儲(chǔ)器在內(nèi)的多種芯片產(chǎn)品的最大消耗國(guó)，有著優(yōu)沃的市場(chǎng)環(huán)境；但終端需求下降導(dǎo)致的庫(kù)存調(diào)整、國(guó)際環(huán)境動(dòng)蕩等不利因素，使得芯片企業(yè)也面臨諸多挑戰(zhàn)。
目前，伴隨IC設(shè)計(jì)、晶圓代工、封裝測(cè)試等全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)在發(fā)展中經(jīng)受住考驗(yàn)，正在走向新的高度。存儲(chǔ)芯片作為集成電路產(chǎn)業(yè)的核心賽道之一，近年來(lái)，在國(guó)家政策支持、市場(chǎng)培育下，也逐漸發(fā)展壯大。
作為存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司，東芯半導(dǎo)體與產(chǎn)業(yè)同頻共振，面臨挑戰(zhàn)之余，也迎來(lái)了自己的歷史發(fā)展機(jī)遇。
據(jù)悉，東芯半導(dǎo)體的產(chǎn)品主要集中在以DRAM為代表的易失性存儲(chǔ)芯片和NAND Flash、NOR Flash為代表的非易失性芯片產(chǎn)品兩大類(lèi)，廣泛覆蓋消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通訊、汽車(chē)電子、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)等諸多應(yīng)用領(lǐng)域。
陳磊表示：“圍繞客戶(hù)對(duì)存儲(chǔ)器的高傳輸速率、低延時(shí)、高可靠性、自主可控等需求，東芯半導(dǎo)體正在積極布局。例如，高傳輸速率方面，因?yàn)槎藗?cè)MCU/MPU/CPU性能的提升，對(duì)外側(cè)存儲(chǔ)器的要求會(huì)有相應(yīng)的提高，因此東芯半導(dǎo)體針對(duì)這一需求領(lǐng)域開(kāi)發(fā)支持DTR傳輸模式的NOR Flash；低延時(shí)方面，因?yàn)椴糠?G、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用對(duì)延時(shí)要求非?？量?，所以我們針對(duì)性?xún)?yōu)化這部分性能表現(xiàn)；高可靠性方面，宏基站等網(wǎng)絡(luò)通訊領(lǐng)域與工業(yè)控制等領(lǐng)域客戶(hù)對(duì)NOR Flash、NAND Flash和DRAM都有高可靠性要求；此外，自主可控是客戶(hù)非常看重的一點(diǎn)，而目前東芯半導(dǎo)體所有產(chǎn)品均具有全國(guó)產(chǎn)化IP知識(shí)產(chǎn)權(quán)。”
貼近市場(chǎng)需求，“差異化”打造存儲(chǔ)產(chǎn)品矩陣
目前，根據(jù)客戶(hù)需求的差異化，東芯半導(dǎo)體打造了SPI NAND Flash、PPI NAND Flash、NOR Flash、DDR3（L）、LPDDR和MCP六大系列產(chǎn)品矩陣。
陳磊介紹，東芯半導(dǎo)體SPI NAND Flash、PPI NAND Flash兩類(lèi)，均隸屬于公司SLC NAND Flash產(chǎn)品，目前已經(jīng)處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。
其中，SPI NAND Flash為單顆粒芯片設(shè)計(jì)的串行通信方案，目前，該類(lèi)產(chǎn)品單Die存儲(chǔ)容量可以覆蓋512Mb至4Gb，面向網(wǎng)絡(luò)通訊、Wifi、監(jiān)控安防、工業(yè)等領(lǐng)域應(yīng)用。陳磊介紹，產(chǎn)品至今已經(jīng)從38nm迭代到了2xnm制程，并已推進(jìn)至1xnm工藝制程。
PPI NAND Flash即并行NAND Flash產(chǎn)品，目前制程包括38、2xnm工藝，單Die存儲(chǔ)容量可達(dá)8Gb，疊封可以做到16Gb，可以提供包括工業(yè)＋級(jí)別在內(nèi)的高可靠產(chǎn)品，穩(wěn)定工作在-40℃到105℃溫度范圍內(nèi)。
陳磊指出，東芯半導(dǎo)體NOR Flash產(chǎn)品主要集中在中大容量低功耗需求，目前工藝已經(jīng)從65nm過(guò)渡到了55nm、48nm，已出貨產(chǎn)品包括64Mb、128Mb和256Mb低功耗產(chǎn)品，出樣的包括512Mb和1Gb產(chǎn)品。他提到，NOR Flash都是基于ETOX工藝，該工藝可以確保NOR Flash的高性能指標(biāo)，而面向包括藍(lán)牙耳機(jī)等客戶(hù)，東芯半導(dǎo)體可以提供WLCSP晶圓級(jí)封裝，使得它更適合低功耗、小空間場(chǎng)景應(yīng)用。此外，NOR Flash全系列均支持DTR模式，可實(shí)現(xiàn)高性能傳輸。
東芯半導(dǎo)體的DRAM產(chǎn)品主要包括標(biāo)準(zhǔn)接口的DDR3產(chǎn)品和自主設(shè)計(jì)的低功耗產(chǎn)品LPDDR。前者分為2Gb和4Gb兩種規(guī)格，主要應(yīng)用在消費(fèi)電子、安防等領(lǐng)域；后者單Die設(shè)計(jì)最大可以做到2Gb，預(yù)計(jì)2024年將出樣LPDDR4X產(chǎn)品，主要應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)、基帶等場(chǎng)景。
東芯半導(dǎo)體創(chuàng)新布局的第六類(lèi)MCP產(chǎn)品，即把PPI NAND Flash與LPDDR封裝在一顆芯片上，則可為客戶(hù)提供小封裝、大容量、高可靠性和高性能產(chǎn)品，滿(mǎn)足物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)載等領(lǐng)域客戶(hù)需求。
貼近客戶(hù)需求，東芯半導(dǎo)體基于自主創(chuàng)新能力，可以依據(jù)客戶(hù)需求進(jìn)行定制化能力提升。陳磊指出，如工業(yè)控制領(lǐng)域的PLC控制需求，東芯半導(dǎo)體可以通過(guò)自主IP設(shè)計(jì)提高SPI NAND Flash的可靠性；而東芯半導(dǎo)體的DRAM產(chǎn)品不僅可以做到整體布局的優(yōu)化，還能在功耗、可靠性等方面也做到優(yōu)化。
加速車(chē)規(guī)產(chǎn)品布局
跟進(jìn)汽車(chē)市場(chǎng)蓬勃需求，陳磊表示，未來(lái)公司的主要產(chǎn)品都將向車(chē)規(guī)方向延申發(fā)展。目前，東芯半導(dǎo)體已有通過(guò)AEC-Q100 Automotive Grade 2（-40℃~105℃）認(rèn)證的SLC NAND Flash產(chǎn)品，以及通過(guò)AEC-Q100 Automotive Grade 1（-40℃~125℃）認(rèn)證的NOR Flash產(chǎn)品。
陳磊分析指出，東芯半導(dǎo)體面向ECU應(yīng)用打造的NOR Flash產(chǎn)品，面向儀表盤(pán)打造的NAND Flash產(chǎn)品以及我們的MCP已經(jīng)在做T-Box、V2X車(chē)聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的設(shè)計(jì)，“我們的產(chǎn)品是具有前瞻性的”。
不僅僅是產(chǎn)品設(shè)計(jì)，東芯半導(dǎo)體也在通過(guò)晶圓代工、封裝測(cè)試等Foundry層面的布局，實(shí)現(xiàn)對(duì)產(chǎn)能的保障。陳磊介紹，目前東芯半導(dǎo)體有兩家晶圓代工廠(chǎng)，以保障當(dāng)下和未來(lái)的產(chǎn)能供應(yīng)。
陳磊表示，東芯半導(dǎo)體以先進(jìn)的技術(shù)水平、多元的市場(chǎng)布局、嚴(yán)格的品質(zhì)管控和自主的創(chuàng)新能力為核心優(yōu)勢(shì)，正在積極圍繞客戶(hù)的潛在需求開(kāi)發(fā)前沿產(chǎn)品，包括車(chē)規(guī)級(jí)高可靠性產(chǎn)品的布局等。東芯半導(dǎo)體也致力于通過(guò)產(chǎn)品研發(fā)、產(chǎn)品生產(chǎn)、客戶(hù)服務(wù)強(qiáng)化質(zhì)量管理，為客戶(hù)提供優(yōu)質(zhì)可靠的存儲(chǔ)產(chǎn)品。（校對(duì)/劉沁宇）
