7月8日，2024上海慕尼黑電子展盛大開幕，東芯半導(dǎo)體股份有限公司帶來了全系列包含NAND/NOR/DRAM以及我們MCP的產(chǎn)品亮相展會現(xiàn)場，同時各大熱門領(lǐng)域存儲應(yīng)用解決方案引人注目，現(xiàn)在就帶大家來看一看東芯半導(dǎo)體究竟在上海慕尼黑電子展給大家展示了什么吶？
五大產(chǎn)品系列選擇多樣化
01
SPI NAND Flash
單芯片設(shè)計的串行通信方案，引腳少、封裝尺寸小，且在同一顆粒上集成了存儲陣列和控制器，并帶有內(nèi)部ECC模塊，使其在滿足數(shù)據(jù)傳輸效率的同時，既節(jié)約了空間，又提升了穩(wěn)定性。產(chǎn)品現(xiàn)擁有38nm及2xnm的成熟工藝制程，目前工藝制程已經(jīng)推進至1xnm先進工藝制程。
產(chǎn)品規(guī)格
電壓
1.8V，3.3V
溫度
-40℃ ~ 85℃ / 105℃
容量
512Mb/1Gb / 2Gb / 4Gb
封裝
WSON8x6，WSON6x5，BGA24
速度
83MHz，104MHz
線寬
x1/x2/x4
02
PPI NAND Flash
兼容傳統(tǒng)的并行接口標(biāo)準(zhǔn)，高可靠性?？商峁┤萘繌?Gb到16G，1.8V / 3.3V兩種電壓，多種封裝方式的產(chǎn)品，以滿足不同應(yīng)用場景。在網(wǎng)絡(luò)通信，智能音箱，機頂盒等領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
電壓
1.8V，3.3V
溫度
-40℃ ~ 85℃ / 105℃
容量
1Gb / 2Gb / 4Gb/ 8Gb/ 16Gb
封裝
TSOP48，F(xiàn)BGA63，F(xiàn)BGA67
速度
20ns/25ns，30ns/45ns
線寬
x8/ x16
03
NOR Flash
容量從64Mb到2Gb，1.8V/3.3V 兩種電壓，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四種指令模式、DTR傳輸模式和多種封裝方式?？蓮V泛應(yīng)用于各種應(yīng)用場景。
產(chǎn)品規(guī)格
電壓
1.8V，3.3V
溫度
-40℃ ~ 85℃/105℃/125℃
容量
64Mb/128Mb/256Mb
/512Mb/1Gb/2Gb
封裝
SOP，WSON，USON，
VSOP，WLCSP
速度
83MHz，104MHz
線寬
x1/x2/x4
04
DRAM
DDR3(L)產(chǎn)品具備高傳輸速率以及低工作電壓。可提供1.5V/1.35V兩種電壓模式，具有標(biāo)準(zhǔn)SSTL接口、8n-bit prefetch DDR架構(gòu)和8個內(nèi)部bank的DDR3 SDRAM。
產(chǎn)品規(guī)格
電壓
1.5V，1.35V
溫度
-40℃/0℃ ~ 95℃
容量
1Gb/2Gb/4Gb
封裝
FBGA 78，F(xiàn)BGA 96
速度
800MHz，933MHz，1066MHz
線寬
x8/ x16
東芯的LPDDR系列產(chǎn)品具有LPDDR1, LPDDR2, LPDDR4X三個系列。 LPDDR1的核心電壓與IO電壓均低至1.8V，LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V，LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V，因此非常適合應(yīng)用在各種移動設(shè)備中。LPDDR系列產(chǎn)品將廣泛應(yīng)用于可穿戴/遙控設(shè)備等便攜式產(chǎn)品。
產(chǎn)品規(guī)格
電壓
LPDDR1 1.8V
LPDDR2 1.8V/1.2V
LPDDR4X 1.1V/0.6V
溫度
-40℃ ~ 85℃
容量
LPDDR1 512Mb/1Gb/2Gb
LPDDR2 1Gb/2Gb/4Gb
LPDDR4X 1Gb/2Gb/8Gb
封裝
LPDDR1 60/90ball FBGA
LPDDR2 134ball FBGA
LPDDR4X 200ball FBGA
速度
LPDDR1 166MHz/200MHz
LPDDR2 400MHz/533MHz
LPDDR4X 1600MHz/1866MHz/2133MHz
線寬
LPDDR1 x16/x32
LPDDR2 x16/x32
LPDDR4X x16/x32
05
MCP
產(chǎn)品具有NAND Flash和DDR多種容量組合，F(xiàn)lash和DDR均為低電壓的設(shè)計，核心電壓1.8V可滿足目前移動互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)對低功耗的需求。其中DDR包含LPDDR1 / LPDDR2 / LPDDR4X 多種規(guī)格使其選擇更加靈活豐富。MCP可將Flash和DDR合二為一進行封裝，簡化走線設(shè)計，節(jié)省組裝空間，高效集成電路，提高產(chǎn)品穩(wěn)定性。
產(chǎn)品規(guī)格
電壓
1.8V
溫度
-40℃ ~ 85℃
容量
Flash 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb
LPDDR 512Mb/1Gb/2Gb/4Gb/8Gb
封裝
FBGA 130，F(xiàn)BGA 162，
FBGA 149
速度
Flash 30ns/45ns
LPDDR1 200MHz
LPDDR2 400MHz
LPDDR4X 2133MHz
線寬
Flash x8/x16
LPDDR1 X16
LPDDR2 x16/x32
LPDDR4X x16
存儲賦能七大熱門領(lǐng)域
同時，我們也帶來七大應(yīng)用領(lǐng)域的存儲解決方案，
讓觀眾們更直觀解存儲產(chǎn)品如何高效可靠地賦能終端應(yīng)用。
簡單為大家羅列一些正在展出的存儲應(yīng)用方案
網(wǎng)絡(luò)通訊：5G CPE/路由器/ 企業(yè)網(wǎng)關(guān)
汽車電子：車載娛樂系統(tǒng)/行車記錄儀
物聯(lián)網(wǎng)：掃地機器人/ 智能音箱/共享單車
安防監(jiān)控：高清攝像頭/嬰兒監(jiān)護儀
也歡迎大家多多咨詢了解！
預(yù)告： 8月深圳國際電子展再見面?。?！
