美國商務(wù)部下屬的美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院（NIST）于3月21日正式發(fā)布“防止不當(dāng)使用芯片法案資金”細(xì)則（“Preventing the Improper Use of CHIPS Act Funding）。細(xì)則中對傳統(tǒng)芯片（Legacy Semiconductor）做了詳細(xì)說明。

(1)28納米或更成熟的數(shù)字或模擬邏輯半導(dǎo)體（即平面晶體管的柵極長度為28納米或更長）；

(2)半間距大于18納米的DRAM或小于128層的NAND半導(dǎo)體，不使用新興存儲器技術(shù)，例如過渡金屬氧化物、相位-改變與高級存儲器制造相關(guān)的存儲器、鈣鈦礦或鐵磁體；或者

(3)商務(wù)部根據(jù)15U.S.C.4652(a)(6)(A)(ii)條目的規(guī)定；

(b)盡管有本節(jié)(a)段的規(guī)定，但以下不是傳統(tǒng)邏輯半導(dǎo)體：

(1)對國家安全至關(guān)重要的半導(dǎo)體，如§231.120所定義；

(2)具有后平面晶體管結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體如FinFET或GAA結(jié)構(gòu)和(3)以封裝設(shè)施為目的，利用3D集成封裝的半導(dǎo)體。

231.120條目規(guī)定的對國家安全至關(guān)重要的半導(dǎo)體設(shè)定為：

(a) 化合物半導(dǎo)體；

(b) 利用納米材料的半導(dǎo)體，包括一維和二維碳同素異形體，例如石墨烯和碳納米管；

(c) 寬帶隙/超寬帶隙半導(dǎo)體；

(d) RHBP（具有抗輻射處理的）半導(dǎo)體；

(e) FD-SOI半導(dǎo)體；

(f) 硅光子半導(dǎo)體；

(g) 為量子信息系統(tǒng)設(shè)計的半導(dǎo)體；和

(h) 設(shè)計用于低溫環(huán)境（等于或低于77 Kelvin）的半導(dǎo)體。