純晶圓代工廠 X-Fab 和 Soitec 將開(kāi)始合作，在 X-Fab 位于德克薩斯州拉伯克的工廠提供 Soitec 的 SmartSiC 技術(shù)用于生產(chǎn)碳化硅功率器件。

此次合作是在評(píng)估階段成功完成之后進(jìn)行的，在此期間，X-Fab Texas 在 6英寸SmartSiC 晶圓上制造了碳化硅 (SiC) 功率器件。Soitec 將通過(guò)聯(lián)合供應(yīng)鏈寄售模式為X-Fab的客戶提供 SmartSiC襯底的使用權(quán)。

SmartSiC是 Soitec的一項(xiàng)專有技術(shù)，基于該公司的SmartCut 工藝，其中將一層薄薄的高質(zhì)量單晶 (mono-SiC)“供體”晶圓分離出來(lái)，并將其粘合到低電阻率多晶 (poly-SiC)“處理”晶圓上。由此產(chǎn)生的襯底可提高設(shè)備性能和制造產(chǎn)量。該工藝允許多次重復(fù)使用單個(gè)供體晶片，從而降低成本和相關(guān)的二氧化碳排放。

在這個(gè)快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)中，Soitec 正在其位于法國(guó)格勒諾布爾附近貝爾南的新工廠加大 SmartSiC 襯底的產(chǎn)量。X-Fab 正在拉伯克工廠提高 SiC 器件的生產(chǎn)能力。