1月26日，科創(chuàng)板上市委2021年第10次審議會議結果顯示，普冉半導體（上海）股份有限公司（下稱“普冉半導體”）（首發(fā)）符合發(fā)行條件、上市條件和信息披露要求。
這也意味著，歷時9個月，存儲器芯片廠商普冉半導體成功闖關科創(chuàng)板，即將登陸資本市場的舞臺。
據(jù)悉，普冉半導體主要從事集成電路產(chǎn)品的研發(fā)設計和銷售，專注于NOR Flash和EERPOM兩大非易失性存儲器業(yè)務，致力于成為新型應用領域中小容量非易失性存儲器的產(chǎn)品和服務提供商。
大客戶優(yōu)勢顯著，研發(fā)實力強勁
作為一家專注于存儲器芯片研發(fā)和應用的廠商，目前普冉半導體已逐漸形成以 NOR Flash和 EEPROM 存儲器芯片為主的產(chǎn)品矩陣。其中，NOR Flash 產(chǎn)品在讀寫功耗、靜態(tài)功耗、擦寫速度和芯片面積等關鍵指標方面表現(xiàn)優(yōu)異，產(chǎn)品廣泛應用于低功耗藍牙模塊、TWS耳機、手機觸控和指紋、TDDI(觸屏)、AMOLED 面板、可穿戴設備和安全芯片等領域。同時，伴隨著下游5G手機存量替換和手機多攝像頭配置趨勢，攝像頭模組及其存儲器芯片需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，其EEPROM出貨量呈現(xiàn)明顯的增長趨勢。
基于此，2017至2020年第三季度，普冉半導體分別實現(xiàn)營業(yè)收入7,780.11萬元、17,825.27萬元、36,298.96萬元、46,369.32萬元，收入三年復合增長率為116.00%，分別實現(xiàn)凈利潤371.79萬元、1,337.37萬元、3,232.08萬元、4,702.39萬元，凈利潤三年復合增長率194.84%。
可以說，普冉半導體近年來在業(yè)績層面的突飛猛進，也得益于其在NOR Flash和EERPOM兩大業(yè)務領域的優(yōu)質客戶資源的加持。
據(jù)悉，在NOR Flash業(yè)務方面，普冉半導體已經(jīng)和匯頂科技、恒玄科技、杰理科技、中科藍訊等主控原廠，深天馬、合力泰、華星光電等手機屏幕廠商建立了穩(wěn)定的業(yè)務合作關系，產(chǎn)品應用于三星、OPPO、vivo、華為、小米、聯(lián)想、惠普等品牌廠商。
在EEPROM業(yè)務方面，普冉半導體已經(jīng)和舜宇、歐菲光、丘鈦、信利、合力泰、三星電機、三贏興、盛泰等行業(yè)內領先的手機攝像頭模組廠商以及聞泰科技、華勤通訊、龍旗科技等ODM廠商形成了穩(wěn)定的合作關系，產(chǎn)品廣泛應用于OPPO、vivo、華為、小米、美的等知名廠商的終端產(chǎn)品中。
除此之外，值得關注的是，普冉半導體在研發(fā)領域的持續(xù)投入，不僅保障了其收入和利潤的快速增長，也是進行技術升級，保持競爭力的重要法寶。
報告期內，普冉半導體的研發(fā)投入分別為1,290.91萬元、1,345.79萬元、3,114.11萬元和2,984.00萬元，累計研發(fā)投入金額占報告期公司累計營業(yè)收入比例為8.07%，研發(fā)投入占比較高。
普冉半導體基于自有知識產(chǎn)權和研發(fā)設計平臺，在NOR Flash和EEPROM領域都具有優(yōu)秀的設計能力，是目前市場上少數(shù)能夠利用SONOS工藝平臺完成NOR Flash存儲器芯片的研發(fā)設計的企業(yè)之一。
縱觀整個行業(yè)，近年來集成電路行業(yè)按照摩爾定律繼續(xù)發(fā)展演變，芯片的集成度和性能不斷改善升級。存儲器芯片產(chǎn)品的標準化程度較高，差異化競爭較小，因此技術升級是存儲器芯片公司間競爭的主要策略，研發(fā)實力則尤為關鍵。
在上述研發(fā)積淀之上，普冉半導體在研發(fā)層面也有著更長遠更深入的戰(zhàn)略布局。
募資加碼，持續(xù)深耕存儲芯片
世界半導體貿易統(tǒng)計組織(WSTS)曾預測，存儲芯片將成為推動半導體行業(yè)增長的主要力量，而2021年存儲芯片將成為增長最快的品類，銷售額預計增長13.3%。
眾所周知，存儲芯片市場由DRAM、NAND Flash和NOR Flash、EEPROM 等細分市場組成，其中NOR Flash和EEPROM 市場也已經(jīng)歷數(shù)十年的發(fā)展，其市場競爭日趨激烈。近年來，受藍牙耳機出貨量上升、智能手機多攝像頭配置趨勢等因素的影響，NOR Flash 和 EEPROM 市場規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)定增長態(tài)勢，2019年全球NOR Flash和EEPROM市場規(guī)模約36億美元。
在此背景下，基于NOR Flash和EEPROM的市場需求空間不斷增長，作為此領域的新進入者，為加速技術、產(chǎn)品等迭代進程和發(fā)揮專利技術的先發(fā)優(yōu)勢，普冉半導體再次發(fā)力，持續(xù)深耕存儲芯片領域，并不斷募資加碼。
據(jù)悉，此次普冉半導體登陸科創(chuàng)板，擬募資3.45億元，將投向于閃存芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、EEPROM芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目和總部基地及前沿技術研發(fā)項目。
在閃存芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目項目中，普冉半導體將采用領先于業(yè)界的工藝制程，對NOR Flash存儲器芯片開展設計研究，實現(xiàn)公司在先進制程、大容量Flash存儲器芯片領域的產(chǎn)業(yè)化。項目具體研發(fā)的產(chǎn)品包括：40nmNOR Flash系列存儲器芯片；NewGenNOR Flash系列存儲器芯片。本項目的產(chǎn)品將被應用于物聯(lián)網(wǎng)、藍牙、智能穿戴設備、指紋識別、智能家居、智能手機等領域。
在EEPROM芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目中，普冉半導體將對工業(yè)和消費級以及車載級EEPROM存儲器芯片開展設計研究，實現(xiàn)公司EEPROM存儲器芯片在多維下游應用領域的產(chǎn)業(yè)化。項目具體研發(fā)產(chǎn)品包括兩部分：其一，公司擬在當前技術積累下，對手機攝像頭模組等消費類EEPROM以及智能電表、智慧通信等工業(yè)類EEPROM存儲器芯片進行升級研發(fā)，使其達到更低工作電壓和更低功耗；其二，公司擬開發(fā)車載EEPROM產(chǎn)品，通過運用糾錯校驗（ECC）和差分存儲技術，使其具備超高擦寫能力、超長數(shù)據(jù)保存時間等特點。
普冉半導體表示，閃存芯片的升級研發(fā)是完善公司在閃存芯片產(chǎn)品布局的必然選擇；EEPROM芯片的更新?lián)Q代將有利于鞏固公司在細分領域的領先地位；總部基地及前沿技術研發(fā)項目是解決公司實驗場地和辦公場地不足問題的必然舉措，有助于公司在現(xiàn)有技術儲備的基礎上突破原有存儲器芯片性能并持續(xù)進行優(yōu)化。
談及未來發(fā)展戰(zhàn)略，普冉半導體表示，公司將專注于集成電路設計領域的科技創(chuàng)新，圍繞非易失存儲器領域，以NOR Flash和EEPROM為核心，不斷滿足客戶對高性能存儲器芯片的需求，在持續(xù)經(jīng)營中實現(xiàn)企業(yè)的技術積累，保障公司經(jīng)營業(yè)務的可持續(xù)發(fā)展。（校對/Lee）
