9月4日，中微公司發(fā)布公告稱，公司近日推出六款半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品。這些設(shè)備覆蓋等離子體刻蝕、原子層沉積及外延等關(guān)鍵工藝，為中微公司加速向高端設(shè)備平臺(tái)化公司轉(zhuǎn)型注入新動(dòng)能。

在刻蝕技術(shù)方面，中微公司此次發(fā)布的兩款新品分別在極高深寬比刻蝕及金屬刻蝕領(lǐng)域?yàn)榭蛻籼峁┝祟I(lǐng)先和高效的解決方案。

中微公司新一代極高深寬比等離子體刻蝕設(shè)備——CCP電容性高能等離子體刻蝕機(jī)PrimoUD-RIE?基于成熟的PrimoHD-RIE?設(shè)計(jì)架構(gòu)并全面升級(jí)，配備六個(gè)單反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)腔，通過更低頻率、更大功率的射頻偏壓電源，提供更高離子轟擊能量，可以滿足極高深寬比刻蝕的嚴(yán)苛要求，兼顧刻蝕精度與生產(chǎn)效率。

Primo UD-RIE?引入了多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，自主研發(fā)的動(dòng)態(tài)邊緣阻抗調(diào)節(jié)系統(tǒng)通過調(diào)節(jié)晶圓邊緣等離子體殼層調(diào)節(jié)邊緣深孔刻蝕的垂直性，大大提高了晶圓邊緣的合格率。其上電極多區(qū)溫控系統(tǒng)，優(yōu)化了高射頻功率下的散熱管理，有效提升了設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。同時(shí)，PrimoUD-RIE?還采用了全新的溫度可切換多區(qū)控溫靜電吸盤和主動(dòng)控溫邊緣組件，不僅提高了抗電弧放電能力，還顯著提升了晶圓邊緣的良率，為生產(chǎn)先進(jìn)存儲(chǔ)芯片提供了有力保障。

Primo Menova? 12 寸ICP 單腔刻蝕設(shè)備專注于金屬刻蝕領(lǐng)域，擅長金屬Al線、Al塊刻蝕，廣泛適用于功率半導(dǎo)體、存儲(chǔ)器件及先進(jìn)邏輯芯片制造，是晶圓廠金屬化工藝的核心設(shè)備。該設(shè)備在刻蝕均一性控制方面表現(xiàn)卓越，可實(shí)現(xiàn)高速率、高選擇比及低底層介質(zhì)損傷等優(yōu)異性能。同時(shí)，其高效腔體清潔工藝能有效減少腔室污染、延長持續(xù)運(yùn)行時(shí)間；集成的高溫水蒸氣除膠腔室可高效清除金屬刻蝕后晶圓表面殘留的光刻膠及副產(chǎn)物。此外，主刻蝕腔體與除膠腔體可根據(jù)客戶工藝需求靈活組合，最大限度滿足高生產(chǎn)效率要求，確保高負(fù)荷生產(chǎn)中的穩(wěn)定性與良率。

在薄膜沉積技術(shù)方面，中微公司此次發(fā)布的四款新品，包括三款原子層沉積產(chǎn)品以及一款外延產(chǎn)品。

其中，中微公司推出的12英寸原子層沉積產(chǎn)品PreformaUniflash?金屬柵系列，涵蓋Preforma Uniflash? TiN、Preforma Uniflash? TiAl及Preforma Uniflash? TaN 三大產(chǎn)品，能夠滿足先進(jìn)邏輯與先進(jìn)存儲(chǔ)器件在金屬柵方面的應(yīng)用需求。

Preforma Uniflash?金屬柵系列產(chǎn)品采用中微公司獨(dú)創(chuàng)的雙反應(yīng)臺(tái)設(shè)計(jì)，系統(tǒng)可靈活配置多達(dá)五個(gè)雙反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)腔，滿足高真空系統(tǒng)工藝集成需求的同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的生產(chǎn)效率。該系列產(chǎn)品搭載中微公司獨(dú)有的多級(jí)勻氣混氣系統(tǒng)，融合基于模型算法的加熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)，以及可實(shí)現(xiàn)高效原子層沉積反應(yīng)的反應(yīng)腔流導(dǎo)設(shè)計(jì)等核心技術(shù)，不僅能滿足先進(jìn)邏輯客戶的性能需求，其設(shè)備在薄膜均一性、污染物控制能力及生產(chǎn)效率方面均達(dá)到世界先進(jìn)水平。

外延設(shè)備方面，中微公司推出的雙腔減壓外延設(shè)備PRIMIOEpita?RP，作為目前市場(chǎng)上獨(dú)有的雙腔設(shè)計(jì)外延減壓設(shè)備，其反應(yīng)腔體積為全球最小，且可靈活配置多至6個(gè)反應(yīng)腔，在顯著降低生產(chǎn)成本與化學(xué)品消耗的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了高生產(chǎn)效率。該設(shè)備搭載擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的雙腔設(shè)計(jì)、多層獨(dú)立控制氣體分區(qū)，以及具備多個(gè)徑向調(diào)節(jié)能力的溫場(chǎng)和溫控設(shè)計(jì)，確保了優(yōu)秀的流場(chǎng)與溫場(chǎng)均勻性及調(diào)節(jié)能力。憑借卓越的工藝適應(yīng)性和兼容性，該設(shè)備可滿足從成熟到先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的邏輯、存儲(chǔ)和功率器件等多領(lǐng)域外延工藝需求。

中微公司表示，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迭代升級(jí)，等離子體刻蝕、原子層沉積及外延等技術(shù)的應(yīng)用需求持續(xù)攀升。公司近日推出六款半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品，覆蓋等離子體刻蝕、原子層沉積及外延等關(guān)鍵工藝，可進(jìn)一步滿足客戶需求，拓展公司產(chǎn)品布局，為加速向高端設(shè)備平臺(tái)化公司轉(zhuǎn)型注入新動(dòng)能，對(duì)公司未來半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)拓展和業(yè)績成長性預(yù)計(jì)都將產(chǎn)生積極的影響。