英諾賽科(Innoscience)，全球氮化鎵(GaN)功率半導體領導者今日宣布其第三代(Gen3) 700V 增強型氮化鎵功率器件系列正式全面上市！該系列憑借更小尺寸、更快開關速度、更高效率的顯著優(yōu)勢，在關鍵性能指標上實現突破性進展，為電源系統(tǒng)設計樹立新標桿。
核心性能躍升 (相較Gen2.5)
芯片面積縮減30%：通過先進的工藝優(yōu)化與結構創(chuàng)新，顯著提升硅片利用率，助力實現更高功率密度設計
開關性能提升20-30%，電容降低20-30%：有效降低開關損耗與驅動損耗，顯著提升系統(tǒng)整體效率
熱性能優(yōu)化：在同等應用條件下，芯片殼溫可降低3-6°C，大幅增強系統(tǒng)長期運行可靠性
豐富封裝，滿足多元需求
全新Gen3 700V系列提供豐富的標準封裝選項，滿足多元化應用場景需求：
DFN5x6 (極致緊湊)
DFN8x8 (平衡性能與尺寸)
TO252 (通用性強，散熱佳)
SOT223 (經典封裝)
其中，采用TO252封裝的旗艦型號INN700TK100E，其典型導通電阻(Ron)低至74mΩ，突破了傳統(tǒng)TO252封裝器件的性能極限，可高效支持高達500W的應用功率等級。
應用拓展與升級
得益于更低的導通電阻(Ron)和開關損耗，Gen3 700V系列為以下應用領域帶來更高效率、更小尺寸的解決方案：
PD快充/適配器 (尤其高功率)
LED照明驅動電源
智能家電電源
數據中心服務器電源
工業(yè)開關電源(SMPS)
為設計創(chuàng)造核心價值
英諾賽科第三代700V GaN技術通過實質性的核心參數優(yōu)化，為電源設計工程師帶來多重價值：
提升系統(tǒng)能效：顯著降低開關損耗與導通損耗
優(yōu)化熱管理：降低器件工作溫度，提升系統(tǒng)可靠性
節(jié)省空間與成本：縮小芯片及系統(tǒng)整體尺寸，減少外圍元件需求
簡化設計升級：提供與現有方案兼容的標準封裝和平滑升級路徑
英諾賽科Gen3 700V氮化鎵功率器件系列，以其可量化的性能優(yōu)勢——更小的尺寸、更快的速度、更高的效率以及優(yōu)化的熱管理，為電源設計工程師提供了創(chuàng)新的高性能解決方案，是實現更高功率密度、更高系統(tǒng)效率設計目標的理想選擇。
