近期，英偉達官網更新了800V直流電源架構合作商名錄，英諾賽科成為本次入選英偉達合作伙伴中唯一的中國芯片企業(yè)。雙方將攜手推動800V直流（800 VDC）電源架構在AI數據中心的規(guī)?；瘧?，單機房算力密度將提升10倍以上，助力單機柜功率密度突破300kW。

AI工作負載的指數級增長正在推高數據中心的電力需求。而傳統(tǒng)54V低壓架構在單機柜功率超200kW時遭遇物理極限，傳統(tǒng)供電架構已難以負荷高密度算力集群的龐大能源需求，效率瓶頸與能耗壓力成為阻礙AI產業(yè)邁向新高度的核心制約因素。

英偉達正在引領數據中心向800 VDC電源基礎設施的轉型，以支持從2027年開始的1MW及更高功率的IT機架。為了加速該技術的普及，英偉達正在與數據中心電氣生態(tài)系統(tǒng)中的關鍵行業(yè)合作伙伴攜手合作，其中包括英諾賽科。該計劃將推動創(chuàng)新，旨在為下一代AI工作負載建立高效、可擴展的電力輸送，以確保更高的可靠性并降低基礎設施的復雜性。

英偉達主導的800 VDC架構通過兩大變革破解困局：電網直連高壓化，可將13.8kV交流電直接轉換為800V直流，減少AC/DC轉換環(huán)節(jié)，端到端能效提升5%；材料與空間優(yōu)化，使得電壓提升使銅纜用量減少45%，機房占地面積縮減40%，單機柜功率密度支持600kW以上。

當前AI訓練集群單GPU功耗突破10kW，英偉達Rubin Ultra等下一代平臺更將機柜總功率推至600kW以上。傳統(tǒng)硅基器件因開關頻率低、耐壓能力弱，難以支撐高功率密度下的高效電能轉換。作為第三代半導體核心材料，氮化鎵（GaN）憑借獨特性能成為800V架構的理想載體。對于追求極致能效與緊湊設計的新一代AI供電系統(tǒng)而言，氮化鎵成為突破傳統(tǒng)供電方案技術瓶頸的最佳材料方案。

通過本次合作，英諾賽科為英偉達Kyber機架系統(tǒng)提供全鏈路氮化鎵電源解決方案，其技術路徑已獲微軟、谷歌等科技巨頭跟進。英諾賽科的IDM模式與工程化能力，正加速800V高壓直流技術發(fā)展。（校對/張杰）