近期，英偉達(dá)官網(wǎng)更新了800V直流電源架構(gòu)合作商名錄，英諾賽科成為本次入選英偉達(dá)合作伙伴中唯一的中國芯片企業(yè)。雙方將攜手推動800V直流（800 VDC）電源架構(gòu)在AI數(shù)據(jù)中心的規(guī)?；瘧?yīng)用，單機(jī)房算力密度將提升10倍以上，助力單機(jī)柜功率密度突破300kW。

AI工作負(fù)載的指數(shù)級增長正在推高數(shù)據(jù)中心的電力需求。而傳統(tǒng)54V低壓架構(gòu)在單機(jī)柜功率超200kW時遭遇物理極限，傳統(tǒng)供電架構(gòu)已難以負(fù)荷高密度算力集群的龐大能源需求，效率瓶頸與能耗壓力成為阻礙AI產(chǎn)業(yè)邁向新高度的核心制約因素。

英偉達(dá)正在引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心向800 VDC電源基礎(chǔ)設(shè)施的轉(zhuǎn)型，以支持從2027年開始的1MW及更高功率的IT機(jī)架。為了加速該技術(shù)的普及，英偉達(dá)正在與數(shù)據(jù)中心電氣生態(tài)系統(tǒng)中的關(guān)鍵行業(yè)合作伙伴攜手合作，其中包括英諾賽科。該計劃將推動創(chuàng)新，旨在為下一代AI工作負(fù)載建立高效、可擴(kuò)展的電力輸送，以確保更高的可靠性并降低基礎(chǔ)設(shè)施的復(fù)雜性。

英偉達(dá)主導(dǎo)的800 VDC架構(gòu)通過兩大變革破解困局：電網(wǎng)直連高壓化，可將13.8kV交流電直接轉(zhuǎn)換為800V直流，減少AC/DC轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)，端到端能效提升5%；材料與空間優(yōu)化，使得電壓提升使銅纜用量減少45%，機(jī)房占地面積縮減40%，單機(jī)柜功率密度支持600kW以上。

當(dāng)前AI訓(xùn)練集群單GPU功耗突破10kW，英偉達(dá)Rubin Ultra等下一代平臺更將機(jī)柜總功率推至600kW以上。傳統(tǒng)硅基器件因開關(guān)頻率低、耐壓能力弱，難以支撐高功率密度下的高效電能轉(zhuǎn)換。作為第三代半導(dǎo)體核心材料，氮化鎵（GaN）憑借獨特性能成為800V架構(gòu)的理想載體。對于追求極致能效與緊湊設(shè)計的新一代AI供電系統(tǒng)而言，氮化鎵成為突破傳統(tǒng)供電方案技術(shù)瓶頸的最佳材料方案。

通過本次合作，英諾賽科為英偉達(dá)Kyber機(jī)架系統(tǒng)提供全鏈路氮化鎵電源解決方案，其技術(shù)路徑已獲微軟、谷歌等科技巨頭跟進(jìn)。英諾賽科的IDM模式與工程化能力，正加速800V高壓直流技術(shù)發(fā)展。（校對/張杰）