近日，英偉達(dá)傳出將進(jìn)入HBM base die市場(chǎng)，引發(fā)業(yè)界廣泛關(guān)注。據(jù)悉，英偉達(dá)計(jì)劃自研HBM（高頻寬存儲(chǔ)器）Base Die，制程節(jié)點(diǎn)鎖定3nm，預(yù)計(jì)將于2027年下半年開(kāi)始小量試產(chǎn)。此舉意在提升HBM與GPU、CPU數(shù)據(jù)傳輸?shù)捻槙承?，為客戶提供更多模塊化選擇，進(jìn)一步強(qiáng)化其NVLink Fusion開(kāi)放架構(gòu)生態(tài)系的掌控力。

目前，HBM市場(chǎng)主要由DRAM大廠主導(dǎo)，其中SK海力士占據(jù)最高市占率。然而，隨著HBM傳輸速度要求提升至10Gbps以上，制程難度也隨之增加，需借助臺(tái)積電等先進(jìn)制程技術(shù)。據(jù)悉，HBM4以上傳輸速率要求達(dá)到10G以上，需以先進(jìn)制程打造Logic die，因此會(huì)委由臺(tái)積電制作，而ASIC部分則由創(chuàng)意負(fù)責(zé)。創(chuàng)意的HBM4 IP支持高達(dá)12Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率，并納入32Gbps UCIe-A及UCIe-3D IP等解決方案，處于業(yè)界領(lǐng)先地位。

英偉達(dá)的入局被視為對(duì)ASIC市場(chǎng)的挑戰(zhàn)，但其解決方案被CSP大廠采用的可能性不高。業(yè)界分析，CSP大廠投入ASIC正是為了避免受制于英偉達(dá)，因此對(duì)其HBM Base Die的接受度有限。不過(guò)，英偉達(dá)的模組化設(shè)計(jì)有望使聯(lián)發(fā)科、世芯等合作伙伴受益，獲得更多商機(jī)。

整體來(lái)看，HBM4世代將迎來(lái)更高速、更高堆棧、更復(fù)雜封裝整合的新局面。隨著英偉達(dá)擬自制Base Die與SK海力士加速HBM4量產(chǎn)，HBM市場(chǎng)將迎來(lái)新一波競(jìng)爭(zhēng)與變革。