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芯聯(lián)集成“WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)及WAT測(cè)試方法”專(zhuān)利公布

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天眼查顯示,芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司“WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)及WAT測(cè)試方法”專(zhuān)利公布,申請(qǐng)公布日為2025年3月18日,申請(qǐng)公布號(hào)為CN119650549A。

本發(fā)明提供一種WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)及WAT測(cè)試方法,所述WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)包括:第一金屬層、第二金屬層和接觸孔結(jié)構(gòu),所述第一金屬層與所述第二金屬層層疊間隔設(shè)置,且兩者之間通過(guò)所述接觸孔結(jié)構(gòu)電性連接,其中,所述第一金屬層包括一公用組件以及與所述公用組件分別電性連接的多個(gè)測(cè)試組件,不同的所述測(cè)試組件具有不同的面積。本發(fā)明提供的WAT測(cè)試結(jié)構(gòu),由于所述第一金屬層不同的所述測(cè)試組件具有不同的面積,在不同的所述測(cè)試組件與所述接觸孔結(jié)構(gòu)電性連接而與所述第二金屬層電性導(dǎo)通時(shí),對(duì)WAT結(jié)構(gòu)進(jìn)行監(jiān)測(cè)將會(huì)得到不同的測(cè)試電阻,根據(jù)測(cè)試電阻的大小便可判斷出與所述接觸孔結(jié)構(gòu)電性連接的具體的所述測(cè)試組件,進(jìn)而可以判斷出所述第一金屬層的偏移狀態(tài)。

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