概要：
近日，美國BroadPak Corporation總裁兼首席執(zhí)行官Farhang訪問芯德半導(dǎo)體，專程為其頒發(fā) “高端光電DSP芯片超高密度先進(jìn)封裝”杰出獎項，以表彰芯德半導(dǎo)體在2.5D先進(jìn)封測領(lǐng)域?qū)υ摴竞诵难邪l(fā)項目的全力支持。
圖1 芯德半導(dǎo)體獲美國BroadPak杰出獎項證書
美國BroadPak一行為芯德半導(dǎo)體頒獎
8月5日，總部位于美國加利福尼亞州圣何塞的BroadPak（全球2.5D/3D異構(gòu)芯粒集成與共封裝光學(xué)領(lǐng)域封裝設(shè)計服務(wù)企業(yè)）一行到訪芯德半導(dǎo)體，專程為芯德半導(dǎo)體頒發(fā)獎項，此次頒獎源于雙方合作的高端光電2.5D封裝項目。該項目面臨三大技術(shù)難點：需要采用RDL Interposer代替?zhèn)鹘y(tǒng)基板滿足產(chǎn)品嚴(yán)苛的內(nèi)生電阻及界面接觸電阻要求；需在晶圓表面密集貼裝電容器件以適配直流阻斷等電路；DSP芯片36μm觸點間距需匹配7P7M復(fù)雜互聯(lián)方案。
圖2 美國BroadPak總裁兼首席執(zhí)行官Farhang和芯德半導(dǎo)體總經(jīng)理潘明東合影(從左至右)
芯德半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊通過技術(shù)創(chuàng)新逐一攻克：采用中介層替代基板，實現(xiàn)7P7M interposer設(shè)計與5μm/5μm超窄線寬線間距RDL工藝；突破18μm凸點尺寸、36μm凸點間距的微凸塊加工技術(shù)；達(dá)成單片晶圓超40000個元器件的晶圓級表面貼裝；采用±3μm精度的熱壓焊工藝，成功實現(xiàn)國際頭部FAB超先進(jìn)晶圓制程芯片封裝，最終順利通過終端客戶測試驗證。
雙方負(fù)責(zé)人表態(tài)
BroadPak Corporation總裁Farhang，芯德半導(dǎo)體總經(jīng)理潘明東、副總經(jīng)理劉怡、研發(fā)副總張中及核心技術(shù)團(tuán)隊成員共同出席本次頒獎儀式。活動現(xiàn)場，雙方負(fù)責(zé)人就芯德半導(dǎo)體在2.5D先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域的突破性成果分別表態(tài)，并達(dá)成共識——未來將圍繞光電合封及高性能芯片封裝技術(shù)展開深度合作，攜手推動行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新。
BroadPak Corporation總裁Farhang：
“該2.5D項目初期技術(shù)立項時，因產(chǎn)品設(shè)計需應(yīng)用全新技術(shù)，我們曾聯(lián)絡(luò)全球多家知名先進(jìn)封裝廠商，均未獲得解決方案，而芯德半導(dǎo)體是唯一接下該項目的企業(yè)，并成功在終端客戶測試中實現(xiàn)芯片點亮與驗證，憑借技術(shù)突破攻克了項目面臨的多重挑戰(zhàn)，成為推動這一高端封裝項目落地的關(guān)鍵力量?！?/p>
芯德半導(dǎo)體總經(jīng)理潘明東：
“在光通信行業(yè)高速發(fā)展的當(dāng)下，高集成度、高性能的芯片封裝技術(shù)已成為驅(qū)動行業(yè)進(jìn)步的核心動力。芯德半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊?wèi){借高密度中介層與晶圓級封裝工藝，成功實現(xiàn)了產(chǎn)品性能與成本的突破性優(yōu)化。特別感謝客戶的信任與支持，公司未來將持續(xù)深耕技術(shù)創(chuàng)新，在高端封裝領(lǐng)域不斷突破，為行業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)更多力量。”
芯德半導(dǎo)體研發(fā)副總張中：
“該產(chǎn)品歷經(jīng)一年研發(fā)，全球首創(chuàng)在有限空間內(nèi)通過晶圓級方式封裝88顆電容與邏輯芯片，有效提升光通信系統(tǒng)性能、削減延遲并降低功耗，標(biāo)志著芯德半導(dǎo)體在2.5/3D晶圓級封裝領(lǐng)域再獲重大突破，彰顯其在高端封裝技術(shù)領(lǐng)域的卓越研發(fā)實力與創(chuàng)新活力；芯德半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊會繼續(xù)深入推進(jìn)CAPiC技術(shù)平臺的建設(shè)，為客戶帶來全方面的先進(jìn)封裝解決方案；同時特別感謝ASM-SMT 軟件和硬件技術(shù)團(tuán)隊，協(xié)助芯德半導(dǎo)體在全球范圍內(nèi)首次完成了這種高端芯片的封裝，實現(xiàn)了技術(shù)突破?！?/p>
