隨著全球研發(fā)下一代半導(dǎo)體技術(shù)的競賽加速，美國和日本正通過公私合作模式大舉投資極紫外（EUV）光刻設(shè)備。相比之下，受限于預(yù)算規(guī)模，韓國在部署尖端設(shè)備方面進度滯后，業(yè)界擔憂韓國可能在半導(dǎo)體霸權(quán)爭奪中落于下風。

美國國家半導(dǎo)體技術(shù)中心（NSTC）已在紐約Albany NanoTech Complex安裝EUV設(shè)備。從2025年7月起，NSTC將向行業(yè)合作伙伴提供EUV研發(fā)服務(wù)。其計劃于2026年引入價值近5000億韓元（約合3.68億美元）的先進高數(shù)值孔徑（High NA）EUV系統(tǒng)，以支持更前沿的芯片制造研究。

NSTC于2024年2月成立，獲50億美元美國聯(lián)邦資金支持，定位為協(xié)作研究中心，向加入為成員的半導(dǎo)體制造商、材料供應(yīng)商及設(shè)備企業(yè)開放。

日本也在推進EUV技術(shù)能力建設(shè)。日本政府正于日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（AIST）新建研發(fā)設(shè)施，配備EUV設(shè)備，并計劃到2027年投入運營。目標是在日本重新確立自己在全球芯片行業(yè)的地位之際，增強日本的技術(shù)優(yōu)勢。

盡管韓國兩年前宣布計劃建立類似比利時IMEC（全球知名先進微電子研究中心）的本土機構(gòu)，但該計劃此后陷入停滯。由佛蘭德斯地區(qū)政府支持的IMEC獨立運營，近期與ASML等行業(yè)巨頭簽署戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，以推進EUV創(chuàng)新并向2nm以下制程突破。

盡管韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部（MOTIE）已與廠商合作，在龍仁市建設(shè)“小型晶圓廠”，但該設(shè)施配備的是較舊的ArF浸潤式光刻系統(tǒng)，而非EUV設(shè)備。ArF設(shè)備雖仍被廣泛使用，卻缺乏生產(chǎn)10nm以下芯片架構(gòu)所需的分辨率，而這正是EUV技術(shù)旨在填補的空白。

由于成本高昂，全球僅有少數(shù)企業(yè)——臺積電、三星電子、SK海力士、英特爾和美光——投資EUV光刻技術(shù)。每臺EUV設(shè)備均由ASML獨家生產(chǎn)，成本可能超過2000億韓元，年度維護費用高達300億韓元。

對于材料供應(yīng)商、零部件制造商和半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)而言，獲取EUV技術(shù)通常需要與已擁有相關(guān)設(shè)備的機構(gòu)合作。若缺乏這種渠道，許多中小型企業(yè)將被擋在芯片研究的最前沿領(lǐng)域之外。

韓國“小型晶圓廠”項目的設(shè)備預(yù)算預(yù)計僅為3000億韓元，這使得采購EUV設(shè)備不切實際。這一資金缺口可能導(dǎo)致半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)出現(xiàn)兩極分化——僅有大型企業(yè)能在尖端技術(shù)領(lǐng)域競爭，而中小企業(yè)則被甩在身后。

行業(yè)專家警告稱，若不在EUV基礎(chǔ)設(shè)施上進行大膽投資，韓國可能在定義下一代半導(dǎo)體制造技術(shù)的競賽中落后于美國、日本和歐洲。目前，越來越多的人士呼吁韓國政府采取果斷行動，確保國內(nèi)企業(yè)能夠獲得保持全球競爭力所需的設(shè)備。（校對/趙月）