三星電子正積極推進(jìn)重奪DRAM市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位的戰(zhàn)略，此前由于在AI半導(dǎo)體高帶寬內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域面臨的挑戰(zhàn)，該公司在第一季度失去了市場(chǎng)領(lǐng)先地位，被SK海力士超越。隨著下一代DRAM良率的顯著提升，三星迅速轉(zhuǎn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段，這一進(jìn)展也被視為三星計(jì)劃年內(nèi)量產(chǎn)HBM4的積極信號(hào)。

據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，三星電子上個(gè)月在10nm級(jí)第六代DRAM晶圓性能測(cè)試中實(shí)現(xiàn)了50-70%的良率。與去年同一產(chǎn)品不到30%的良率相比，這標(biāo)志著重大進(jìn)步。這一改進(jìn)的關(guān)鍵在于重新設(shè)計(jì)，三星研發(fā)團(tuán)隊(duì)實(shí)施了多項(xiàng)結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，以提高芯片效率和生產(chǎn)力。

值得一提的是，三星原計(jì)劃是在去年年底開(kāi)始量產(chǎn)10nm級(jí)第六代DRAM，但冒險(xiǎn)重新設(shè)計(jì)了芯片，可能導(dǎo)致超過(guò)一年的延遲。據(jù)報(bào)道，目前三星正迅速投資建設(shè)量產(chǎn)線，采取提前準(zhǔn)備生產(chǎn)線的策略，以便在今年內(nèi)最終測(cè)試完成后立即投入生產(chǎn)。這次DRAM大規(guī)模生產(chǎn)預(yù)計(jì)將顯著提升三星第六代HBM(HBM4)的競(jìng)爭(zhēng)力。

此次三星投資目標(biāo)平澤工廠4號(hào)DRAM生產(chǎn)線生產(chǎn)的產(chǎn)品將供應(yīng)移動(dòng)設(shè)備(LPDDR)和服務(wù)器應(yīng)用，用于HBM4的10nm級(jí)第六代DRAM生產(chǎn)設(shè)施位于平澤工廠3號(hào)。

一位行業(yè)人士表示：“DRAM的核心——存儲(chǔ)單元的核心結(jié)構(gòu)，在移動(dòng)/服務(wù)器DRAM和HBM之間非常相似，因此這將對(duì)HBM用DRAM的完成產(chǎn)生積極影響?！?基于此次DRAM的成功量產(chǎn)，三星可能會(huì)在平澤3號(hào)工廠進(jìn)一步加大對(duì)HBM4工藝的投資?！?/p>