天眼查顯示，江蘇長電科技股份有限公司“半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利公布，申請公布日為2025年3月14日，申請公布號為CN119626913A。

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法，該方法包括提供玻璃基板，玻璃基板中具有若干分立的玻璃通孔互連結(jié)構(gòu)；采用半導(dǎo)體前段制程中的BEOL工藝在玻璃基板的上表面形成無機(jī)介質(zhì)層和位于無機(jī)介質(zhì)層中的第一互連結(jié)構(gòu)，形成的第一互連結(jié)構(gòu)的密度大于后續(xù)在玻璃基板下表面形成的第二互連結(jié)構(gòu)的密度，第一互連結(jié)構(gòu)的特征尺寸小于后續(xù)形成的第二互連結(jié)構(gòu)的特征尺寸；采用半導(dǎo)體后段制程中的RDL工藝在玻璃基板下表面形成有機(jī)鈍化層和位于有機(jī)鈍化層中的第二互連結(jié)構(gòu)；在無機(jī)介質(zhì)層的上表面貼裝至少一個(gè)第一半導(dǎo)體芯片。該方法提高了玻璃基板上表面的第一互連結(jié)構(gòu)的布線密度。