英偉達(dá)已選擇美國(guó)芯片制造商美光科技作為其下一代內(nèi)存解決方案SOCAMM的首家供應(yīng)商，此舉或?qū)⒅厮苋騼?nèi)存行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局。

SOCAMM是小型壓縮附加內(nèi)存模塊（SCM）的縮寫，是一種用于數(shù)據(jù)中心人工智能（AI）服務(wù)器的新型高性能、低功耗內(nèi)存。該技術(shù)備受業(yè)界關(guān)注，一些人將其稱為“第二代HBM”（高帶寬存儲(chǔ)器），因?yàn)樗趯?shí)現(xiàn)AI加速方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

據(jù)知情人士透露，英偉達(dá)委托內(nèi)存制造商三星電子和美光等開(kāi)發(fā)SOCAMM原型。美光科技是首家獲得英偉達(dá)量產(chǎn)批準(zhǔn)的公司，憑借其在低功耗DRAM性能方面的優(yōu)勢(shì)，超越了規(guī)模更大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

三星等韓國(guó)內(nèi)存供應(yīng)商已開(kāi)發(fā)出SOCAMM芯片，但尚未獲得英偉達(dá)的認(rèn)證。

與垂直堆疊并與圖形處理器（GPU）緊密集成的HBM不同，SOCAMM支持中央處理器（CPU），并在優(yōu)化AI工作負(fù)載方面發(fā)揮著關(guān)鍵的支撐作用。

首批由英偉達(dá)設(shè)計(jì)、基于堆疊式LPDDR5X芯片的SOCAMM模塊將應(yīng)用于英偉達(dá)即將推出的AI加速器平臺(tái)Rubin，該平臺(tái)計(jì)劃于2026年發(fā)布。

SOCAMM采用引線鍵合和銅互連技術(shù)，每個(gè)模塊連接16個(gè)DRAM芯片——這與HBM的硅通孔技術(shù)形成鮮明對(duì)比。這種基于銅的結(jié)構(gòu)增強(qiáng)了散熱性能，對(duì)于AI系統(tǒng)的性能和可靠性至關(guān)重要。

美光公司聲稱，其最新的LPDDR5X芯片比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的能效高出20%，這是英偉達(dá)做出這一決定的關(guān)鍵因素。每臺(tái)AI服務(wù)器將搭載四個(gè)SOCAMM模塊，總共256個(gè)DRAM芯片，這進(jìn)一步凸顯了熱效率的重要性。

分析師指出，美光公司較晚采用極紫外（EUV）光刻技術(shù)是意料之外的優(yōu)勢(shì)。他們表示，與三星等利用EUV提高良率和密度不同，美光公司專注于架構(gòu)創(chuàng)新，從而實(shí)現(xiàn)了卓越的熱管理能力。

SOCAMM芯片的量產(chǎn)標(biāo)志著美光公司更廣泛的復(fù)蘇，此前該公司在先進(jìn)DRAM市場(chǎng)一直落后于韓國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

分析師表示，SOCAMM的可擴(kuò)展性意味著它可能出現(xiàn)在更廣泛的英偉達(dá)產(chǎn)品中，包括其即將推出的個(gè)人超級(jí)計(jì)算機(jī)項(xiàng)目DIGITS。

美光在低發(fā)熱量?jī)?nèi)存方面的增強(qiáng)能力也有望提升其在競(jìng)爭(zhēng)激烈的HBM領(lǐng)域的地位。隨著內(nèi)存制造商紛紛布局HBM4（需要堆疊12層甚至16層DRAM），熱管理已成為日益關(guān)鍵的差異化因素。

美光科技今年已承諾投入140億美元資本支出，包括在新加坡、日本、中國(guó)臺(tái)灣和紐約州新建HBM晶圓廠。

一位業(yè)內(nèi)高管表示：“如此積極的投資表明，美光科技可能已經(jīng)與大型超大規(guī)模廠商簽訂長(zhǎng)期供應(yīng)合同?！保ㄐ?duì)/趙月）