6月6日，日本NAND閃存制造商鎧俠宣布了一項(xiàng)雄心勃勃的中長(zhǎng)期業(yè)務(wù)規(guī)劃，計(jì)劃在未來(lái)5年內(nèi)將其N(xiāo)AND閃存產(chǎn)能提升至當(dāng)前水平的兩倍，以滿(mǎn)足人工智能數(shù)據(jù)中心日益增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求。

根據(jù)鎧俠的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，公司將通過(guò)擴(kuò)大在日本四日市和北上工廠的產(chǎn)線(xiàn)投資，到2029財(cái)年實(shí)現(xiàn)NAND閃存產(chǎn)能較2024財(cái)年翻番。這一舉措旨在應(yīng)對(duì)全球AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)帶來(lái)的存儲(chǔ)需求激增，尤其是大模型訓(xùn)練、邊緣計(jì)算及高性能計(jì)算等應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)高速、高密度存儲(chǔ)方案的更高要求。

除了產(chǎn)能擴(kuò)張，鎧俠還計(jì)劃于2026年下半年開(kāi)始量產(chǎn)下一代存儲(chǔ)技術(shù)產(chǎn)品。雖然公司尚未披露具體技術(shù)細(xì)節(jié)，但業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為這可能涉及更高堆疊層數(shù)的3D NAND或其他先進(jìn)架構(gòu)，旨在提升性能并降低成本。

鎧俠此次擴(kuò)產(chǎn)決策正值全球存儲(chǔ)市場(chǎng)逐步回暖之際。此前，NAND市場(chǎng)曾因供需失衡而經(jīng)歷價(jià)格下跌與減產(chǎn)調(diào)整。如今，在AI應(yīng)用帶動(dòng)下，市場(chǎng)需求明顯回升，促使頭部廠商重啟擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏。世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)預(yù)測(cè)，2025年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模有望同比增長(zhǎng)16.2%，其中NAND閃存將成為主要增長(zhǎng)動(dòng)力之一。

然而，分析人士也指出了潛在風(fēng)險(xiǎn)：若未來(lái)幾年AI發(fā)展不及預(yù)期或終端市場(chǎng)需求放緩，可能再次引發(fā)產(chǎn)能過(guò)剩風(fēng)險(xiǎn)。如何在擴(kuò)張與市場(chǎng)變化之間保持平衡，將是包括鎧俠在內(nèi)的存儲(chǔ)企業(yè)面臨的重要課題。