1.中荷外交部長同意就半導(dǎo)體技術(shù)等多領(lǐng)域合作保持密切溝通

2.總投資7億 蘇州“高端半導(dǎo)體封測項(xiàng)目”正式開工

3.電子科技大學(xué)“柵控二維電子氣數(shù)字編碼超表面太赫茲高速調(diào)控技術(shù)”入選首屆年度中國超材料十大進(jìn)展

4.猜一猜這款3nm機(jī)型里藏有幾顆艾為芯？

5.徹底顛覆芯片制造！揭秘ASML如何打造“天價(jià)光刻機(jī)”？

6.總投資50億元！先導(dǎo)科技集成電路零部件基地項(xiàng)目落地上海臨港

1.中荷外交部長同意就半導(dǎo)體技術(shù)等多領(lǐng)域合作保持密切溝通

據(jù)外交部官網(wǎng)消息，2025年5月22日，中共中央政治局委員、外交部長王毅在北京同荷蘭外交大臣費(fèi)爾德坎普舉行會(huì)談，雙方同意通過現(xiàn)有渠道，就包括半導(dǎo)體技術(shù)在內(nèi)的多領(lǐng)域合作保持密切溝通。

在會(huì)談中，王毅強(qiáng)調(diào)，無論外部環(huán)境如何變化，中國將繼續(xù)堅(jiān)持高水平對(duì)外開放。中荷雙邊貿(mào)易額連續(xù)4年超過千億美元，雙方在農(nóng)業(yè)、水利、綠色發(fā)展、高科技等領(lǐng)域合作成果豐碩，充分反映了中荷關(guān)系的韌性和活力。

王毅指出，中國已出臺(tái)多項(xiàng)開放新舉措，歡迎荷方抓住機(jī)遇，結(jié)合自身優(yōu)勢，積極挖掘清潔能源、綠色發(fā)展、人工智能、銀發(fā)經(jīng)濟(jì)等領(lǐng)域合作潛力，同時(shí)希望荷方為中國企業(yè)在荷投資興業(yè)提供公正、公平、非歧視營商環(huán)境。（校對(duì)/趙月）

2.總投資7億 蘇州“高端半導(dǎo)體封測項(xiàng)目”正式開工

據(jù)高端制造與國際貿(mào)易區(qū)發(fā)布消息，5月19日，耶普（蘇州）塑技有限公司“高端半導(dǎo)體封測項(xiàng)目”正式取得施工許可證，項(xiàng)目全面進(jìn)入建設(shè)階段。

據(jù)悉，該項(xiàng)目位于蘇州工業(yè)園區(qū)青丘街158號(hào)，占地25.08畝，原為復(fù)合材料生產(chǎn)廠房，2024年3月完成股權(quán)轉(zhuǎn)讓后轉(zhuǎn)型集成電路領(lǐng)域，計(jì)劃總投資7億元。 項(xiàng)目將拆除原有舊廠房，新建1棟建筑面積近3.5萬平方米的現(xiàn)代化廠區(qū)，重點(diǎn)突破半導(dǎo)體集成電路芯片背面金屬化、封測等關(guān)鍵技術(shù)，全面達(dá)產(chǎn)后可新增封測產(chǎn)能11.36億顆，預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)年銷售額6.7億元。

此前耶普（蘇州）塑技有限公司采購了步進(jìn)光刻機(jī)、顯影機(jī)、全自動(dòng)研磨機(jī)、助焊劑清洗機(jī)、塑封機(jī)等生產(chǎn)設(shè)備以及空調(diào)、空壓機(jī)、冷卻塔和純水制備設(shè)備等共計(jì)1195臺(tái)（套），打造國內(nèi)一流封測工廠，產(chǎn)品主要服務(wù)于國內(nèi)一線的集成電路設(shè)計(jì)和芯片制造廠商。

3.電子科技大學(xué)“柵控二維電子氣數(shù)字編碼超表面太赫茲高速調(diào)控技術(shù)”入選首屆年度中國超材料十大進(jìn)展

5月15-18日，第四屆全國超材料大會(huì)在深圳召開，大會(huì)組委會(huì)評(píng)選出首屆年度中國超材料十大進(jìn)展，電子科技大學(xué)航空航天學(xué)院與電子科學(xué)與工程學(xué)院張雅鑫教授和楊梓強(qiáng)教授帶領(lǐng)的太赫茲調(diào)控與通信技術(shù)團(tuán)隊(duì)聯(lián)合東南大學(xué)崔鐵軍院士團(tuán)隊(duì)、中國電科第十三研究所馮志紅研究員團(tuán)隊(duì)研發(fā)的成果“柵控二維電子氣數(shù)字編碼超表面太赫茲高速調(diào)控技術(shù)”入選。 

該成果提出利用HEMT異質(zhì)結(jié)二維電子氣濃度高、運(yùn)動(dòng)速度快的輸運(yùn)特性、動(dòng)態(tài)超表面電磁諧振可控特性與柵控?cái)?shù)字編碼電路均勻可靠的特性三者相融合，構(gòu)筑了全新的二維電子氣-動(dòng)態(tài)超表面-柵控編碼電路三元融合設(shè)計(jì)的太赫茲波束調(diào)控結(jié)構(gòu)。基于GaN-2DEG動(dòng)態(tài)諧振模式切換機(jī)制，結(jié)合“陣列子群”架構(gòu)與分?jǐn)?shù)階編碼策略，實(shí)現(xiàn)電子輸運(yùn)-電磁響應(yīng)-編碼邏輯的深度協(xié)同，在亞納秒級(jí)（5ns）完成了太赫茲波束狀態(tài)切換。同時(shí)，基于柵控2DEG的有源相位動(dòng)態(tài)梯度陣列的透/反雙模可編程太赫茲波束調(diào)控新方法，研制出0.14THz、0.22THz、0.34THz系列頻率的掃描范圍±60°、掃描精度1°的高精度透A-反雙模工作的太赫茲被動(dòng)相控陣波束掃描器件，插入損耗從10dB降低至3dB。面向未來6G/B6G應(yīng)用場景，研制出基于自主研制波束調(diào)控器件的太赫茲感通一體系統(tǒng)，首次在無人車高動(dòng)態(tài)移動(dòng)平臺(tái)上同時(shí)實(shí)現(xiàn)了對(duì)目標(biāo)的精確定位和10Gbps的大容量信息傳輸。

進(jìn)展名稱：柵控二維電子氣數(shù)字編碼超表面太赫茲高速調(diào)控技術(shù)

完成單位：電子科技大學(xué)、東南大學(xué)、天津大學(xué)、中國電科13所

完成人：張雅鑫、曾泓鑫、蘭峰、叢宣、張浩馳、王蘭、梁世雄、馮志紅、楊梓強(qiáng)、崔鐵軍*（來源： 電子科技大學(xué)）

4.猜一猜這款3nm機(jī)型里藏有幾顆艾為芯？

5月22日，小米科技發(fā)布新一代旗艦手機(jī)15S Pro備受矚目。這款手機(jī)作為小米15周年獻(xiàn)禮之作，其搭載自研“玄戒 O1采用第二代3nm工藝”旗艦處理器成為最大看點(diǎn)。這一消息意味著小米在核心技術(shù)領(lǐng)域跨出了具有里程碑意義的一步。歷經(jīng)多年技術(shù)沉淀與戰(zhàn)略布局，小米以全球第四家、國產(chǎn)第二家掌握核心自研芯片的手機(jī)品牌之姿，在芯片研發(fā)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了質(zhì)的飛躍。

針對(duì)新平臺(tái)對(duì)極致低功耗的追求，據(jù)悉“玄戒 O1 3nm” SoC 芯片采用1.2V IO 設(shè)計(jì)。但當(dāng)前主流手機(jī)基帶芯片、攝像頭模組、音頻 PA、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等外設(shè) IC，大多仍采用1.8V 數(shù)字 IO 口。為實(shí)現(xiàn)主平臺(tái)與外設(shè)之間的信號(hào)通信，需通過電平轉(zhuǎn)換芯片對(duì)主平臺(tái)輸出的電平信號(hào)進(jìn)行轉(zhuǎn)換，使其適配外設(shè)的電平標(biāo)準(zhǔn)。這一環(huán)節(jié)的技術(shù)適配，將成為保障新平臺(tái)與外圍組件協(xié)同工作的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

圖1 小米15S Pro

艾為在信號(hào)鏈產(chǎn)品線深耕多年，其中電平轉(zhuǎn)換芯片布局已久，該系列產(chǎn)品豐富多樣，涵蓋2通道、4通道、6通道、8通道等多種規(guī)格。在性能方面，其Data Rate最高可達(dá)500Mbps，信號(hào)轉(zhuǎn)換電平范圍支持0.8V - 5.5V，還具備雙向自動(dòng)方向識(shí)別，方向可控功能，同時(shí)支持開漏open drain和推挽Push Pull 信號(hào)轉(zhuǎn)換，能滿足多種場景的信號(hào)轉(zhuǎn)換需求。

艾為積極布局車規(guī)市場，電平轉(zhuǎn)換系列目前已有3個(gè)車規(guī)型號(hào)。其中，有對(duì)應(yīng)4通道高速和低速信號(hào)轉(zhuǎn)換型號(hào)，還有6通道高速信號(hào)電平轉(zhuǎn)換型號(hào)。在汽車市場中，艾為電平轉(zhuǎn)換系列應(yīng)用廣泛，已深入TBOX、智能座艙等領(lǐng)域，為汽車智能化發(fā)展提供有力支持。

艾為量產(chǎn)level shift型號(hào)

表1 自適應(yīng)方向電平轉(zhuǎn)換選型表

表2 方向可控電平轉(zhuǎn)換選型表

表3 專用電平轉(zhuǎn)換選型表

表4 車規(guī)電平轉(zhuǎn)換選型表

1.2V IO I2C應(yīng)用電平轉(zhuǎn)換

艾為提供適用于I2C電平轉(zhuǎn)換的系列芯片，包含雙通道、四通道、八通道規(guī)格，支持開漏和推挽設(shè)備接入，支持雙向信號(hào)傳輸，且滿足VCCA≤VCCB的電平適配條件。

圖2 I2C信號(hào)電平轉(zhuǎn)換典型應(yīng)用框圖

1.2V IO SPI應(yīng)用電平轉(zhuǎn)換

1.2V SPI等信號(hào)電平轉(zhuǎn)換支持高速信號(hào)推挽應(yīng)用，是一款自動(dòng)識(shí)別方向的4通道，支持雙向傳輸（即A→B，B→A）的電平轉(zhuǎn)換。

內(nèi)部集成one shot模塊，能夠提升傳輸速率至百M(fèi)bps以上，得益于這一點(diǎn)，其非常適合攝像頭模組的MCLK，RESET，SYNC信號(hào)從1.2V轉(zhuǎn)1.8V的應(yīng)用，也適合于主平臺(tái)下發(fā)的I2S指令給到數(shù)字PA的1.2V轉(zhuǎn)1.8V的應(yīng)用，以及通用的SPI，PWM信號(hào)的應(yīng)用，并有豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。

圖3 SPI應(yīng)用電平轉(zhuǎn)換典型應(yīng)用框圖

艾為針對(duì)芯片 1.2V IO 的戰(zhàn)略布局

隨著主芯片平臺(tái)制程工藝的持續(xù)升級(jí)，1.2V及更低電壓的IO接口需求日益凸顯。作為國內(nèi)模擬IC領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商，艾為深度聚焦高性能數(shù)模混合信號(hào)、電源管理、信號(hào)鏈三大核心產(chǎn)品賽道，率先在多款器件中布局對(duì)1.2V IO電平的支持，以下為幾款通用型產(chǎn)品的技術(shù)亮點(diǎn)：

AW95124FOR：24bit GPIO拓展（1.08V-3.6V）

AW39103FOR: SIM卡電平轉(zhuǎn)換，支持1.2V IO，帶EMI濾波器和ESD防護(hù)，CSP-9B封裝0.35mmpitch

AW86938CSR：高壓線性馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，1.2V IO, 11v/8kB Sram，5W驅(qū)動(dòng)能力，支持AAE閉環(huán)控制,csp小尺寸封裝

AW36515EFCR：升壓架構(gòu)，單路2A，1.2V IO，I2C控制，256階調(diào)光閃光燈驅(qū)動(dòng)

艾為憑借在模擬芯片領(lǐng)域的技術(shù)積累與前瞻布局，通過優(yōu)化器件架構(gòu)與工藝設(shè)計(jì)，精準(zhǔn)匹配新一代手機(jī)主芯片平臺(tái)的低電壓、低功耗需求，為終端廠商提供更高效、更可靠的芯片級(jí)解決方案。（來源： 艾為之家）

5.徹底顛覆芯片制造！揭秘ASML如何打造“天價(jià)光刻機(jī)”？

在荷蘭一個(gè)巨型實(shí)驗(yàn)室里，嚴(yán)密的大門后，一臺(tái)機(jī)器正在徹底改變微芯片的制造方式——這就是ASML耗時(shí)近十年研發(fā)出高數(shù)值孔徑（High NA）光刻機(jī)。這臺(tái)機(jī)器造價(jià)超過4億美元，是世界上最先進(jìn)、最昂貴的芯片制造機(jī)器。

CNBC于4月份前往荷蘭參觀了該實(shí)驗(yàn)室。在此之前，High NA從未被拍攝過，即使是ASML的內(nèi)部團(tuán)隊(duì)也沒有。

在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)，High NA認(rèn)證團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Assia Haddou近距離展示了High NA機(jī)器，她稱這些機(jī)器“比雙層巴士還要大”。

該機(jī)器由四個(gè)模塊組成，分別在美國康涅狄格州、加利福尼亞州、德國和荷蘭制造，然后在荷蘭費(fèi)爾德霍芬的實(shí)驗(yàn)室組裝，并進(jìn)行測試和批準(zhǔn)，之后再次拆卸運(yùn)出。Haddou表示，這需要七架部分裝載的波音飛機(jī)747飛機(jī)，或者至少25輛卡車，才能將一套系統(tǒng)送到客戶手中。

全球首個(gè)High NA機(jī)器的商業(yè)化應(yīng)用于2024年在英特爾位于俄勒岡的芯片制造工廠完成。迄今為止，這種巨型機(jī)器只有五臺(tái)被交付使用。

目前，只有少數(shù)幾家能夠負(fù)擔(dān)得起這些機(jī)器的廠商，包括臺(tái)積電、三星和英特爾，他們正在加快生產(chǎn)步伐，以生產(chǎn)數(shù)百萬顆芯片。

High NA機(jī)器是ASML極紫外光刻機(jī)（EUV）的最新一代產(chǎn)品。ASML是EUV的獨(dú)家制造商，EUV是全球唯一能夠投射構(gòu)成最先進(jìn)微芯片的最小藍(lán)圖的光刻設(shè)備。英偉達(dá)、蘋果和AMD等巨頭的芯片設(shè)計(jì)離不開EUV。

ASML表示，其所有EUV客戶最終都將采用High NA技術(shù)，其中包括美光、SK海力士和 Rapidus等其他先進(jìn)芯片制造商。

全球科技研究與咨詢公司Futurum集團(tuán)的首席執(zhí)行官 Daniel Newman表示：“ASML已經(jīng)完全壟斷了該市場?！?/p>

CNBC記者詢問ASML總裁兼首席執(zhí)行官傅恪禮（Christophe Fouquet），是什么阻止了ASML進(jìn)一步提高其設(shè)備的價(jià)格”。他解釋稱，隨著設(shè)備不斷升級(jí)，芯片生產(chǎn)成本也隨之降低。傅恪禮表示：“摩爾定律告訴我們，我們需要不斷降低持有成本。人們普遍認(rèn)為，若能降低成本，就能創(chuàng)造更多機(jī)會(huì)，因此我們必須參與這場競賽。”

ASML的兩家主要客戶已經(jīng)證實(shí)，High NA相比ASML之前的EUV機(jī)器，性能有了顯著提升。在2月份的一次會(huì)議上，英特爾表示，迄今為止已使用High NA生產(chǎn)了約3萬片晶圓，其可靠性大約是前代產(chǎn)品的兩倍。在同一次會(huì)議上，三星表示，High NA可以將其生產(chǎn)周期縮短 60%，這意味著其芯片每秒可以完成更多操作。

“一項(xiàng)非常冒險(xiǎn)的投資”

由于速度和性能的提升，High NA可以降低芯片價(jià)格，同時(shí)還能提高良率，這意味著每片晶圓上可用的芯片數(shù)量更多。

這是因?yàn)樗軌蛞愿叩姆直媛释渡湫酒O(shè)計(jì)圖形。High NA延續(xù)了與EUV機(jī)器相同的工藝流程，但采用了更高數(shù)值孔徑的光學(xué)系統(tǒng)，使其能夠以更少的工序，實(shí)現(xiàn)更小尺寸的芯片圖形投影。

“High NA意味著兩點(diǎn)。首先，也是最重要的，就是圖形微縮能力的提升。這意味著每片晶圓上能容納更多芯片單元，”ASML技術(shù)執(zhí)行副總裁Jos Benschop說道，“其次，通過避免多次曝光，可以加快生產(chǎn)速度，并提高良率。”

Benschop于1997年加入ASML，當(dāng)時(shí)該公司剛剛上市兩年。Benschop推動(dòng)了ASML全力投入EUV的決策，這項(xiàng)技術(shù)耗時(shí)20多年才得以開發(fā)。

“但是我們幾乎未能成功推動(dòng)這項(xiàng)技術(shù)，人們往往忽視了這一點(diǎn)，”Benschop說?！斑@是一項(xiàng)非常冒險(xiǎn)的前瞻性投資，因?yàn)樵陧?xiàng)目啟動(dòng)之初，我們并無法確認(rèn)這項(xiàng)技術(shù)最終是否可行?！?/p>

2018年，ASML證明了EUV的可行性，各大芯片制造商開始大批量訂購。這個(gè)想法在二十年前似乎遙不可及，即制造大量微小的極紫外光，并將其穿過芯片設(shè)計(jì)越來越小的掩模版，投射到經(jīng)過光刻膠處理過的硅晶圓上。

為了產(chǎn)生極紫外光，ASML會(huì)以每秒5萬滴的速度從噴嘴中噴出熔融的錫液，每一滴錫液都用強(qiáng)大的激光噴射，產(chǎn)生比太陽更熱的等離子體。這些微小的爆炸正是EUV光子發(fā)射的來源，其波長僅為13.5納米。

極紫外光的寬度約為五條DNA鏈，非常小，以至于所有已知物質(zhì)都可以吸收它，因此整個(gè)過程必須在真空中進(jìn)行。極紫外光經(jīng)過反射鏡反射，再通過鏡頭對(duì)準(zhǔn)目標(biāo)，就像相機(jī)的工作原理一樣。為了解決極紫外光被鏡面吸收的問題，德國光學(xué)公司蔡司專為ASML制造了專用反射鏡，這些鏡面擁有世界上最平坦的表面。

ASML的早一代DUV光刻機(jī)使用的是波長為193納米、精度相對(duì)較低的深紫外光。ASML仍在生產(chǎn)這些光刻機(jī)，與日本的尼康和佳能競爭DUV技術(shù)，但它是全球唯一一家在EUV光刻領(lǐng)域取得成功的公司。

ASML于2016年左右開始研發(fā)價(jià)值4億美元的High NA機(jī)器，該機(jī)器的工作原理與深紫外（DUV）相同，使用相同的極紫外（EUV）光源。但有一個(gè)關(guān)鍵的區(qū)別。

High NA光刻機(jī)配備了更大的鏡頭開口，使其能夠以更大的入射角捕捉更多光線。這意味著鏡面可以接受來自更陡角度的光束，從而實(shí)現(xiàn)更高精度的圖形轉(zhuǎn)移。借助這一優(yōu)勢，HigNA設(shè)備能夠在一次曝光中將極小尺寸的芯片設(shè)計(jì)圖形精確轉(zhuǎn)印至晶圓表面。相比之下，傳統(tǒng)的低數(shù)值孔徑光刻機(jī)則需要多次曝光和多個(gè)掩模版，才能完成同樣的圖形轉(zhuǎn)移過程。

“隨著次數(shù)的增加，工藝變得非常復(fù)雜，良率也會(huì)下降?！备点《Y說道。

分辨率隨著數(shù)值孔徑（NA）的增加而提高，從而減少了對(duì)多個(gè)掩模版和曝光的需求，節(jié)省了時(shí)間和成本。然而，高數(shù)值孔徑機(jī)器的成本也會(huì)上升。

“你需要使用的鏡面越大，系統(tǒng)也就越大?！备点《Y說道。

這些機(jī)器還會(huì)消耗大量電力。

“如果我們不逐步提高AI芯片的能效，那么模型的訓(xùn)練可能在2035年左右會(huì)消耗掉全球的能源?！备点《Y說道。他表示，正因如此，ASML自2018年以來已將每片晶圓的曝光所需電力降低了60%以上。

中國市場、美國關(guān)稅成不確定因素

ASML以其突破性的EUV光刻機(jī)而聞名，但其較早型號(hào)的DUV光刻機(jī)在2024年仍占其業(yè)務(wù)的60%。ASML去年售出了44臺(tái)起價(jià)2.2億美元的EUV光刻機(jī)。DUV光刻機(jī)價(jià)格低得多，價(jià)格從500萬美元到9000萬美元不等，但ASML在2024年售出了374臺(tái)DUV光刻機(jī)。

中國是這些DUV光刻機(jī)的主要買家，占ASML 2024年第二季度業(yè)務(wù)的49%。傅恪禮表示，“中國市場銷售額達(dá)到峰值的原因是ASML直到去年才能夠交付大量積壓訂單。到2025年，中國市場的業(yè)務(wù)應(yīng)該會(huì)恢復(fù)到20%至25%之間的歷史正常水平”。

美國出口管制禁止ASML向中國出售EUV光刻機(jī)。這項(xiàng)禁令始于特朗普第一任政府時(shí)期。Futurum集團(tuán)的Newman表示，中國自主研發(fā)EUV光刻機(jī)的可能性非常小，相反，他們會(huì)使用DUV光刻機(jī)來制造智能手機(jī)等設(shè)備。

在人工智能的競爭中，美國對(duì)先進(jìn)技術(shù)流入中國的擔(dān)憂加劇。這種繁榮也推動(dòng)了芯片股的飆升，其中包括ASML的股價(jià)在7月份創(chuàng)下歷史新高。

Benschop表示，“ASML尚且無法明確關(guān)稅會(huì)對(duì)公司產(chǎn)生什么影響。ASML在全球擁有約800家供應(yīng)商，關(guān)稅對(duì)公司的影響非常復(fù)雜?！?/strong>

制造一臺(tái)High NA光刻機(jī)需要經(jīng)過許多進(jìn)出口環(huán)節(jié)，該設(shè)備的四個(gè)模塊分別在美國、荷蘭和德國制造，然后運(yùn)往荷蘭進(jìn)行組裝和測試，在那里再次拆卸，最后運(yùn)往美國或亞洲等地的芯片廠。

多年來，亞洲一直占據(jù)ASML業(yè)務(wù)的80%以上。到2024年，美國市場份額約為17%，但增長迅速。ASML在全球擁有4.4萬名員工，其中8500名員工在美國18個(gè)辦事處工作。

2024年，ASML的大部分北美市場出貨量都流向了英特爾，該公司正在美國俄亥俄州和亞利桑那州建設(shè)新的晶圓廠。英特爾近年來舉步維艱，但傅恪禮表示，英特爾仍然是ASML的強(qiáng)大合作伙伴，并且對(duì)美國半導(dǎo)體的獨(dú)立發(fā)展至關(guān)重要。

臺(tái)積電在芯片節(jié)點(diǎn)發(fā)展方面遙遙領(lǐng)先于英特爾。臺(tái)積電位于菲尼克斯北部的新晶圓廠目前已投入量產(chǎn)。作為美國本土最先進(jìn)的芯片廠，那里對(duì)High NA機(jī)器的需求可能很快就會(huì)到來。

與此同時(shí)，ASML正在美國亞利桑那州建設(shè)其在美國的首個(gè)培訓(xùn)中心。傅恪禮透露，該中心將在未來幾個(gè)月內(nèi)投入使用，目標(biāo)是每年培訓(xùn)1200名EUV和DUV人員。該產(chǎn)能不僅能滿足美國的需求，還能用于在全球范圍內(nèi)培訓(xùn)更多人才?！?/p>

另外，ASML計(jì)劃進(jìn)一步提高其下一代機(jī)器Hyper NA的數(shù)值孔徑。

傅恪禮表示，ASML已經(jīng)為下一代機(jī)器設(shè)計(jì)了一些光學(xué)草圖，并且它不一定是一個(gè)難以制造的產(chǎn)品。他預(yù)計(jì)，對(duì)Hyper NA的需求將在2032年至2035年之間出現(xiàn)。不過他不愿對(duì)價(jià)格進(jìn)行預(yù)估。

目前，ASML專注于滿足對(duì)High NA光刻機(jī)的需求，該公司計(jì)劃今年至少再出貨五臺(tái)High NA光刻機(jī)，并在幾年內(nèi)將產(chǎn)能提升至20臺(tái)。

參考鏈接：https://www.cnbc.com/2025/05/22/exclusive-look-at-high-na-asmls-new-400-million-chipmaking-colossus.html

本文作者：CNBC專欄作家KatieTarasov

6.總投資50億元！先導(dǎo)科技集成電路零部件基地項(xiàng)目落地上海臨港

上海臨港發(fā)文稱，5月22日上午，臨港新片區(qū)管委會(huì)、臨港集團(tuán)、先導(dǎo)科技集團(tuán)在廣州共同簽署項(xiàng)目投資協(xié)議，先導(dǎo)科技集成電路核心零部件及系統(tǒng)總部基地項(xiàng)目正式落地臨港新片區(qū)。

據(jù)介紹，此次項(xiàng)目投資50億元，用地108畝，在臨港新片區(qū)建設(shè)集成電路核心零部件基地，包括質(zhì)量流量控制器、半導(dǎo)體核心金屬、真空系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)及微納加工、缺陷檢測及在線檢測等標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)線。項(xiàng)目的落地不僅標(biāo)志著先導(dǎo)科技集團(tuán)從稀散金屬龍頭逐漸實(shí)現(xiàn)向半導(dǎo)體核心零部件平臺(tái)化企業(yè)的轉(zhuǎn)型，同時(shí)也對(duì)上海臨港集成電路核心零部件產(chǎn)業(yè)發(fā)展有著重要意義。從初次接洽到5月22日簽約，項(xiàng)目落地僅用了兩個(gè)月時(shí)間，再次詮釋了“臨港速度”，同時(shí)也體現(xiàn)了臨港新片區(qū)堅(jiān)定發(fā)展硬核制造業(yè)的信心和決心。

資料顯示，先導(dǎo)科技集團(tuán)成立于1995年，是一家起源于稀散金屬業(yè)務(wù)，領(lǐng)先的半導(dǎo)體高端材料、器件、模組和系統(tǒng)研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及回收服務(wù)的國家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)集團(tuán)，旗下?lián)碛袃杉疑鲜泄尽?024年集團(tuán)營收規(guī)模達(dá)400億，員工超過1萬人，網(wǎng)點(diǎn)遍布全球共17個(gè)國家。