1、4年狂砸900億美元，英特爾代工的明日構(gòu)想

2、士蘭微Q1凈利潤(rùn)1.49億元 同比扭虧為盈

3、臺(tái)灣高管：臺(tái)積電供應(yīng)鏈外移可能在八年后

4、英特爾搶先用新EUV 臺(tái)積電考量成本效益策略大不同

5、新川新材料獲得B+輪融資5000萬(wàn)，系國(guó)產(chǎn)高端MLCC鎳粉制造商

1、4年狂砸900億美元，英特爾代工的明日構(gòu)想

當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月29日，intel foundry Direct Connect 2025在美國(guó)圣何塞舉辦，英特爾新任CEO陳立武首次公開(kāi)肯定了對(duì)英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)的支持，將全力推動(dòng)intel foundry成為一家世界級(jí)晶圓代工廠，同時(shí)加大投資和創(chuàng)新力度、深化改革和協(xié)同發(fā)展。

這場(chǎng)大會(huì)不僅揭開(kāi)了intel foundry過(guò)去四年投資900億美元的價(jià)值所在，更通過(guò)18A、14A等前沿技術(shù)節(jié)點(diǎn)的突破性進(jìn)展，以及聯(lián)電、聯(lián)發(fā)科技等重量級(jí)合作伙伴的加持，昭示著這家半導(dǎo)體巨頭正在完成向系統(tǒng)級(jí)代工的突破和跨越。

從英特爾全球首席技術(shù)與運(yùn)營(yíng)官Naga Chandrasekaran和英特爾代工服務(wù)總經(jīng)理Kevin O’Buckley的現(xiàn)場(chǎng)演講，一個(gè)清晰的戰(zhàn)略輪廓逐漸顯現(xiàn)——英特爾正在構(gòu)建技術(shù)領(lǐng)先、全球布局、生態(tài)開(kāi)放三位一體的"鐵三角"戰(zhàn)略，試圖在臺(tái)積電主導(dǎo)的代工格局中開(kāi)辟一條新的道路。這場(chǎng)轉(zhuǎn)型既是英特爾對(duì)自身陳舊積弊的徹底清算，也是對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的重構(gòu)宣言。

昨日之困：IDM模式的自我革命

英特爾的代工轉(zhuǎn)型始于一場(chǎng)宏大的技術(shù)覺(jué)醒。2018年的10納米制程危機(jī)，暴露了這家老牌IDM企業(yè)在技術(shù)迭代上的系統(tǒng)性脆弱。作為始終堅(jiān)守垂直整合模式的半導(dǎo)體巨頭，其研發(fā)體系在FinFET向EUV過(guò)渡的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)陷入僵局，錯(cuò)過(guò)了移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代催生的代工紅利。

這種技術(shù)挫敗迫使英特爾直面現(xiàn)實(shí)：曾經(jīng)的“鐘擺式創(chuàng)新”節(jié)奏已無(wú)法適應(yīng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的分工深化，摩爾定律的延續(xù)需要更開(kāi)放的生態(tài)協(xié)作。于是，過(guò)去四年間，一場(chǎng)耗資900億美元的救贖之路悄然鋪開(kāi)。

據(jù)Naga Chandrasekaran指出，其中20%投向研發(fā)端的“補(bǔ)課”——從以色列團(tuán)隊(duì)的10納米技術(shù)攻堅(jiān)，到愛(ài)爾蘭工廠的EUV技術(shù)落地，再到俄勒岡州High NA EUV的超前部署，每個(gè)環(huán)節(jié)都在重塑技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力；而剩余的80%則用于全球產(chǎn)能擴(kuò)張，包括新墨西哥州封裝基地、馬來(lái)西亞先進(jìn)封裝工廠，加速構(gòu)建制造版圖的地緣平衡。

從客戶的反饋來(lái)看，英特爾正在經(jīng)歷的轉(zhuǎn)型，是一場(chǎng)觸及靈魂的文化改革。正如陳立武在演講中所說(shuō)，英特爾要塑造“工程至上”的文化，滿足客戶各種各樣的需要。

當(dāng)聯(lián)發(fā)科副總裁Vince Hu評(píng)價(jià)“英特爾團(tuán)隊(duì)?wèi)?yīng)對(duì)挑戰(zhàn)的反應(yīng)非常出色”時(shí)，折射出的正是英特爾在服務(wù)意識(shí)上的艱難蛻變，包括從“精確復(fù)制”到“持續(xù)改進(jìn)”的思維轉(zhuǎn)變，從“技術(shù)導(dǎo)向”到“客戶至上”的價(jià)值重構(gòu)。這不僅是生產(chǎn)線的升級(jí)，更是組織基因的重編碼。這種文化轉(zhuǎn)型的難度，甚至超越了任何晶體管架構(gòu)的革新，因?yàn)樗笠蝗毫?xí)慣了定義行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)精英，學(xué)會(huì)傾聽(tīng)客戶需求、適應(yīng)代工市場(chǎng)的游戲規(guī)則。

今日之戰(zhàn)：三位一體的突破路徑

技術(shù)鐵壁的構(gòu)筑，正在重繪半導(dǎo)體制造的競(jìng)爭(zhēng)版圖。18A節(jié)點(diǎn)的背水一戰(zhàn)，標(biāo)志著英特爾在晶體管架構(gòu)上的絕地反擊。

作為首個(gè)集成PowerVia背面供電和RibbonFET全環(huán)繞柵極技術(shù)的制程節(jié)點(diǎn)，正在風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)的18A節(jié)點(diǎn)有著30%的芯片密度提升和15%的性能改進(jìn)，其不僅是對(duì)臺(tái)積電N2節(jié)點(diǎn)的正面挑戰(zhàn)，更是對(duì)傳統(tǒng)FinFET路線的超越宣言。

除了即將量產(chǎn)的18A，英特爾即將在明年推出的18AP進(jìn)一步提升8%性能，有額外的功能和更加緊湊的布局。更長(zhǎng)遠(yuǎn)的未來(lái)，英特爾還將推出采用TSV技術(shù)的18APT工藝，18APT 作為首款帶背面電源的 3D 底 Die，針對(duì)數(shù)據(jù)中心和 XPU 應(yīng)用，相比前代技術(shù)，計(jì)算密度提升 20-25%，功耗降低 25-35%，芯片間帶寬密度提升 9 倍。

18A技術(shù)的開(kāi)發(fā)為intel 14A節(jié)點(diǎn)的布局提供了相當(dāng)大的助力，隨著戰(zhàn)火燒向埃米時(shí)代的前沿——High NA EUV光刻機(jī)的調(diào)試速度超越行業(yè)預(yù)期，直接供電的引入預(yù)示著供電方式的范式革命，這些技術(shù)組合拳正在構(gòu)建區(qū)別于臺(tái)積電的技術(shù)話語(yǔ)體系。

在封裝維度，EMIB-T通過(guò)硅通孔技術(shù)實(shí)現(xiàn)HBM4與UCIe 3.2的無(wú)縫對(duì)接，F(xiàn)overos系列在成本與靈活性上的突破，則重新定義了先進(jìn)封裝的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，使英特爾在三維集成領(lǐng)域建立起獨(dú)特的系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)。

全球產(chǎn)能的棋盤(pán)上，英特爾正演繹著地緣政治的精密平衡術(shù)。亞利桑那州的18A產(chǎn)線、俄勒岡州的14A研發(fā)中心、新墨西哥州的封裝基地，構(gòu)成北美本土制造的“黃金三角”，試圖在高端制造領(lǐng)域重建供應(yīng)鏈閉環(huán)。而海外的愛(ài)爾蘭EUV工廠，不僅承載著歐洲首個(gè)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)使命，更在地緣貿(mào)易壁壘加劇的背景下，為全球客戶提供地緣風(fēng)險(xiǎn)對(duì)沖選項(xiàng)。

在亞洲板塊，馬來(lái)西亞封裝廠的硅中介層能力建設(shè)、與聯(lián)華電子的12納米技術(shù)聯(lián)姻，則展現(xiàn)出對(duì)區(qū)域供應(yīng)鏈的深度嵌入。這種橫跨三大洲的產(chǎn)能布局，既是對(duì)CHIPS法案的政策響應(yīng)，更是對(duì)臺(tái)積電“集中化制造”模式的戰(zhàn)略反制——當(dāng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在效率與安全之間搖擺時(shí)，英特爾試圖用地理分散的彈性供應(yīng)鏈，打造安全和效率兼顧的全新模式。

生態(tài)系統(tǒng)的重構(gòu)上，Naga Chandrasekaran重申了陳立武在開(kāi)場(chǎng)演講中提到的上下游協(xié)作。他表示：“我們必須合作，這是我們獲勝的唯一途徑”。包括與Cadence、新思科技和西門(mén)子EDA等公司的合作，確保符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，也包括和PDK供應(yīng)商的深度合作，實(shí)現(xiàn)18AP工藝和18A工藝實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)規(guī)則兼容，實(shí)現(xiàn)史無(wú)前例的開(kāi)放姿態(tài)。

此外，封裝設(shè)計(jì)套件的公開(kāi)發(fā)布、與AmKor的EMIB外包協(xié)議，標(biāo)志著先進(jìn)封裝技術(shù)從封閉實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)協(xié)同的轉(zhuǎn)折。而聯(lián)發(fā)科16納米項(xiàng)目從流片到量產(chǎn)的短周期驗(yàn)證，不僅證明著制程能力的成熟，更揭示出客戶服務(wù)體系的質(zhì)變——曾經(jīng)只與頂級(jí)客戶對(duì)話的英特爾，開(kāi)始學(xué)會(huì)為中小設(shè)計(jì)公司提供交鑰匙解決方案。

明日之局：系統(tǒng)代工的終極構(gòu)想

技術(shù)路線的升維競(jìng)爭(zhēng)，正在突破物理極限的桎梏。14A節(jié)點(diǎn)之后，intel在Ribbon FET與High NA EUV的組合將開(kāi)啟埃米時(shí)代的深水區(qū)探險(xiǎn)。

將于2027 年風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)的intel 14A/14AE 制程，通過(guò)第二代 RibbonFET（RibbonFET 2）和 PowerDirect 技術(shù)，實(shí)現(xiàn) 15-20% 的能效比提升與 1.3 倍密度增益，并針對(duì)高頻、功耗敏感等不同場(chǎng)景提供三種庫(kù)優(yōu)化方案，搭配 Turbocells 技術(shù)提升驅(qū)動(dòng)電流效率。

直接供電的電源傳輸架構(gòu)對(duì)晶體管級(jí)供電方式的重構(gòu)，可能引發(fā)能效革命的連鎖反應(yīng)；硅光集成技術(shù)的布局，則試圖用光子取代電子，在共封裝光學(xué)領(lǐng)域開(kāi)辟后摩爾時(shí)代的新戰(zhàn)場(chǎng)。

而在三維集成方面，Kevin O’Buckley表示，英特爾致力于打造的系統(tǒng)級(jí)代工終極形態(tài)——通過(guò)EMIB、Foveros、3DIC等技術(shù)矩陣，將計(jì)算、存儲(chǔ)、互聯(lián)模塊在三維空間重組，這種超越單芯片思維的架構(gòu)創(chuàng)新，或?qū)⒅厮蹵I芯片的設(shè)計(jì)哲學(xué)。而英特爾實(shí)驗(yàn)室里那些正在測(cè)試的TSV硅通孔技術(shù)、混合鍵合方案，都在為這場(chǎng)系統(tǒng)級(jí)革命積蓄能量。

會(huì)議期間，英特爾還帶來(lái)了機(jī)器人巡檢系統(tǒng)，展現(xiàn)出智能制造革命的決心和信心。AI驅(qū)動(dòng)的預(yù)測(cè)性維護(hù)系統(tǒng)，通過(guò)實(shí)時(shí)分析十萬(wàn)個(gè)傳感器數(shù)據(jù)，將設(shè)備故障預(yù)測(cè)精度提升至98%；自動(dòng)化缺陷檢測(cè)平臺(tái)，借助深度學(xué)習(xí)算法，使晶圓檢測(cè)效率提升40%。這些數(shù)字化能力，正在將傳統(tǒng)晶圓廠改造成“會(huì)思考的工廠”。

而在綠色制造維度，愛(ài)爾蘭工廠的液態(tài)冷卻系統(tǒng)、High NA EUV光刻機(jī)的能效優(yōu)化，則預(yù)示著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)碳中和路徑的技術(shù)突破。

結(jié)語(yǔ)

英特爾的代工轉(zhuǎn)型，本質(zhì)上是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)演進(jìn)史的濃縮樣本。它回答著三個(gè)根本性命題：當(dāng)摩爾定律逼近物理極限，技術(shù)創(chuàng)新該向何處尋找突破口？當(dāng)全球化遭遇逆流，制造網(wǎng)絡(luò)該如何平衡效率與安全？當(dāng)行業(yè)集中度不斷提高，暫時(shí)劣勢(shì)一方該以何種姿態(tài)破局？在這場(chǎng)豪賭中，技術(shù)領(lǐng)先、全球布局、生態(tài)開(kāi)放構(gòu)成的“鐵三角”，既是對(duì)過(guò)往教訓(xùn)的總結(jié)，也是對(duì)產(chǎn)業(yè)未來(lái)的預(yù)判。

英特爾儼然已經(jīng)進(jìn)入了一個(gè)新的階段，一個(gè)客戶至上、工程至上的嶄新英特爾重新回到跑道中央，用系統(tǒng)級(jí)思維開(kāi)辟晶圓代工產(chǎn)業(yè)的新大陸。這場(chǎng)自我革命的成功與否，不僅關(guān)乎一家企業(yè)的命運(yùn)，更牽動(dòng)著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的價(jià)值鏈重構(gòu)。

英特爾代工的今日之戰(zhàn)成功與否，對(duì)晶圓代工產(chǎn)業(yè)未來(lái)的構(gòu)圖意義非凡。

2、士蘭微Q1凈利潤(rùn)1.49億元 同比扭虧為盈

4月29日，士蘭微發(fā)布公告稱，2025年第一季度，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入29.99億元，同比增長(zhǎng)21.70%。歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為1.49億元，同比扭虧為盈。

關(guān)于業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的原因，士蘭微表示，今年初以來(lái)，面對(duì)國(guó)家政策拉動(dòng)、芯片國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加快的有利時(shí)機(jī)，公司憑借通過(guò)長(zhǎng)期堅(jiān)持IDM（設(shè)計(jì)制造一體化）發(fā)展模式所建立的產(chǎn)品品類(lèi)豐富、生產(chǎn)鏈條完備、產(chǎn)能規(guī)模領(lǐng)先、品牌卓越的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，以起跑就沖刺的姿態(tài)，全力搶抓市場(chǎng)機(jī)遇，持續(xù)加大對(duì)大型白電、通訊、工業(yè)、新能源、汽車(chē)等高門(mén)檻市場(chǎng)的拓展力度，使公司總體營(yíng)收繼續(xù)保持了較快的增長(zhǎng)勢(shì)頭。同時(shí)，公司通過(guò)持續(xù)的技術(shù)提升和成本費(fèi)用管控，規(guī)模優(yōu)勢(shì)正在顯現(xiàn)，產(chǎn)品綜合毛利率明顯回升。

2024 年，士蘭微集成電路的營(yíng)業(yè)收入為41.05億元，較上年同期增長(zhǎng)約31%，公司集成電路營(yíng)業(yè)收入增加的主要原因是：公司IPM模塊、AC-DC電路、32位MCU電路、快充電路等產(chǎn)品的出貨 量明顯加快。

士蘭微表示，2024 年，公司的電源管理芯片取得較大的進(jìn)展，在汽車(chē)、大型白電、服務(wù)器、高端消費(fèi)電子等領(lǐng)域推出了一批新產(chǎn)品，應(yīng)用于服務(wù)器的DrMOS電路和Efuse電路、應(yīng)用于汽車(chē)的帶功能安全的電源管理電路和低壓預(yù)驅(qū)電路、以及創(chuàng)新的高性能快充電路等都已在客戶端測(cè)試或已量產(chǎn)。2025 年，以上產(chǎn)品將會(huì)有較好的成長(zhǎng)，公司還將持續(xù)推出新的產(chǎn)品品類(lèi)，不斷豐富產(chǎn)品矩陣。 2024 年，公司32位MCU電路產(chǎn)品繼續(xù)保持較快的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，其營(yíng)業(yè)收入較去年同期增長(zhǎng)約36%。公司推出了基于M0內(nèi)核的更大容量Flash更多管腳的通用高性能控制器產(chǎn)品，以滿足智能家電、伺服變頻、工業(yè)自動(dòng)化、光伏逆變等多領(lǐng)域高性能控制的需求。經(jīng)過(guò)多年持續(xù)發(fā)展與積累， 公司電控類(lèi)及主控類(lèi)產(chǎn)品已形成系列化，與公司豐富的功率器件、IPM 模塊一起為白電及工業(yè)客 戶提供一站式服務(wù)。創(chuàng)新的全士蘭方案的變頻空調(diào)（包含室內(nèi)外MCU、電源管理、IPM模塊、功率 器件等）已在快速上量。

3、臺(tái)灣高管：臺(tái)積電供應(yīng)鏈外移可能在八年后

臺(tái)積電加碼投資美國(guó)千億美元，外界關(guān)切半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)是否外流、供應(yīng)鏈?zhǔn)欠裢庖啤?/p>

臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)主管部門(mén)負(fù)責(zé)人郭智輝昨（29）日表示，以臺(tái)積電目前產(chǎn)量還無(wú)法誘使供應(yīng)鏈移到美國(guó)，除非美國(guó)六座晶圓廠都蓋好，供應(yīng)鏈才可能過(guò)去，但不是現(xiàn)在，可能是七、八年后。

郭智輝表示，臺(tái)積電（2330）技術(shù)領(lǐng)先三星、英特爾約四到六年，未來(lái)十年內(nèi)臺(tái)積電是「一個(gè)人的武林」，先進(jìn)技術(shù)不可能外流。臺(tái)積電若用臺(tái)灣資金赴美投資，一定要經(jīng)過(guò)經(jīng)濟(jì)部投審會(huì)審查。

郭智輝昨日接受節(jié)目專(zhuān)訪，談及臺(tái)積電赴美投資議題。

他強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電赴美投資，主要是滿足美國(guó)六大客戶需求，但美國(guó)生產(chǎn)成本高，美國(guó)客戶也會(huì)要求臺(tái)積電持續(xù)在臺(tái)生產(chǎn)，以供應(yīng)美國(guó)以外市場(chǎng)。

郭智輝表示，臺(tái)積電現(xiàn)在先進(jìn)制程是跑3奈米，未來(lái)是跑2奈米，近日臺(tái)積電對(duì)全世界公告，2026年要做1.6奈米，這也是在向三星、英特爾等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手宣示。（經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)）

4、英特爾搶先用新EUV 臺(tái)積電考量成本效益策略大不同

臺(tái)積電、英特爾與三星競(jìng)逐制程技術(shù)，持續(xù)受到各界矚目。相較于英特爾將于2026年量產(chǎn)18A時(shí)導(dǎo)入高數(shù)值孔徑極紫外光技術(shù)，臺(tái)積電2028年量產(chǎn)A14制程仍不會(huì)采用，兩大廠策略大不同，主要是臺(tái)積電基于成本效益考量。

英特爾（Intel）前執(zhí)行長(zhǎng)季辛格（Pat Gelsinger）先前認(rèn)為，反對(duì)使用艾司摩爾（ASML）的極紫外光（EUV）設(shè)備是錯(cuò)誤決策，拖累英特爾晶圓代工事業(yè)欠缺能力。使得外界高度關(guān)注英特爾與臺(tái)積電導(dǎo)入高數(shù)值孔徑極紫外光（High-NA EUV）設(shè)備進(jìn)展，并視為雙方競(jìng)逐制程技術(shù)的指標(biāo)。

臺(tái)積電在去年技術(shù)論壇釋出A16制程不會(huì)采用High-NA EUV設(shè)備的消息，當(dāng)時(shí)全球業(yè)務(wù)資深副總經(jīng)理暨副共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)張曉強(qiáng)說(shuō)，他喜歡High-NA EUV設(shè)備的性能，但不喜歡它的價(jià)格，成本非常高。

英特爾則傳出已全數(shù)包下ASML當(dāng)年預(yù)計(jì)制造的5臺(tái)High-NA EUV設(shè)備，與臺(tái)積電策略大相徑庭，引發(fā)各界矚目。

臺(tái)積電在日前的技術(shù)論壇進(jìn)一步釋出A14制程也不會(huì)采用High-NA EUV設(shè)備；反觀英特爾預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)18A時(shí)就將導(dǎo)入High-NA EUV技術(shù)，再度引發(fā)熱議。

張曉強(qiáng)說(shuō)明，臺(tái)積電在每代制程技術(shù)都試圖將光罩增加數(shù)量控制在最低，這對(duì)成本效益至關(guān)重要。 A14制程不采用High-NA EUV設(shè)備關(guān)鍵就在于成本效益；若使用High-NA EUV技術(shù)，制程成本可能比傳統(tǒng)EUV高出多達(dá)2.5倍。

據(jù)半導(dǎo)體業(yè)者表示，臺(tái)積電與三星（Samsung）在改采環(huán)繞閘極（GAA）架構(gòu)的策略也大不同。臺(tái)積電決定今年下半年量產(chǎn)的2奈米制程才改采GAA架構(gòu)，三星則搶先在3奈米制程改采GAA架構(gòu)。

業(yè)者指出，外界原先預(yù)期三星在GAA架構(gòu)發(fā)展將挾經(jīng)驗(yàn)優(yōu)勢(shì)，可望在2奈米制程超前臺(tái)積電，結(jié)果臺(tái)積電3奈米制程穩(wěn)定度高，充分掌握近幾年AI龐大商機(jī)，2奈米也進(jìn)展順利，將如期于今年下半年量產(chǎn)，并持續(xù)居領(lǐng)先地位。因此單以英特爾搶先使用High-NA EUV技術(shù)，仍難以論定英特爾就能搶回領(lǐng)導(dǎo)地位。（中央社）

5、新川新材料獲得B+輪融資5000萬(wàn)，系國(guó)產(chǎn)高端MLCC鎳粉制造商

近日，超細(xì)粉末材料及設(shè)備廠商杭州新川新材料有限公司（簡(jiǎn)稱“新川新材料”）宣布獲得5000萬(wàn)元B+輪融資，由浙創(chuàng)投（領(lǐng)投），科發(fā)資本跟投。本輪資金將主要用于新型電子元器件和光伏用核心材料的開(kāi)發(fā)與量產(chǎn)，以及新一期產(chǎn)能投建。

官方資料顯示，新川新材料成立于2017年8月，總部位于杭州市蕭山區(qū)，致力于成為全球性高端球形超細(xì)金屬粉末材料等電子信息和綠色能源的基礎(chǔ)材料公司，其自主研發(fā)的MLCC（片式多層陶瓷電容）內(nèi)電極用鎳粉，解決了高端MLCC內(nèi)電極材料的國(guó)產(chǎn)化難題。

MLCC是目前需求最大的電子元器件，是集成電路中不可或缺的基礎(chǔ)元件，保障了電子設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行，廣泛應(yīng)用于在智能手機(jī)、5G基站、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域。鎳粉憑借高球形度、高分散性、高導(dǎo)電率、抗氧化性以及耐熱性強(qiáng)等特性，成為MLCC內(nèi)電極的核心材料。當(dāng)前日本和韓國(guó)占據(jù)MLCC市場(chǎng)70%以上的份額，與之相應(yīng)的日企主導(dǎo)著鎳粉供應(yīng)市場(chǎng)。

新川新材料自主研發(fā)超細(xì)MLCC用200nm以下成品鎳粉，推動(dòng)國(guó)內(nèi)MLCC向小型高容化方向發(fā)展，解決了高端MLCC用鎳粉卡脖子問(wèn)題，打破日本企業(yè)的壟斷，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子信息、航空航天以及能源、醫(yī)藥等領(lǐng)域。

目前，新川新材料已實(shí)現(xiàn)MLCC用鎳粉、AI用超細(xì)軟磁粉量產(chǎn)，并持續(xù)推進(jìn)光伏銅粉、制氫賤金屬催化劑等高端粉體材料的規(guī)?；瘧?yīng)用，覆蓋電子信息、綠色能源、汽車(chē)電子、通信等應(yīng)用領(lǐng)域。