基于華潤微電子12吋功率器件晶圓產(chǎn)線的先進(jìn)工藝能力，華潤微電子功率器件事業(yè)群（以下簡稱PDBG）快速開發(fā)并成功推出第七代(Trench FS Ⅶ)高性能IGBT系列產(chǎn)品，覆蓋650/750/1200V電壓平臺，為光伏逆變器及儲能系統(tǒng)、UPS、SVG等應(yīng)用領(lǐng)域提供了有效的提頻增效解決方案。

圖1.產(chǎn)品封裝外形

PDBG第七代IGBT介紹

PDBG第七代IGBT采用微溝槽工藝，通過優(yōu)化元胞設(shè)計(jì)和寄生電容參數(shù)，同時(shí)在更薄芯片的基礎(chǔ)上調(diào)制背面FS層輪廓，有效降低導(dǎo)通壓降和開關(guān)損耗，顯著提升高溫特性、可靠性、魯棒性及并聯(lián)適配性。

圖2.采用微溝槽工藝的IGBT結(jié)構(gòu)

PDBG第七代IGBT產(chǎn)品優(yōu)勢

以圖3和圖4所示650V 120A器件為例，解析PDBG第七代IGBT的正向?qū)▔航岛烷_關(guān)損耗。在常溫及高溫情況下，相較于行業(yè)同規(guī)格產(chǎn)品，第七代IGBT具有更優(yōu)的飽和壓降，更小的溫度變化率。在Ic=120A條件下，第七代IGBT在常/高溫下Eon、Eoff、Etotal均為最優(yōu)，總開關(guān)損耗較友商低至少15%。由此，PDBG第七代IGBT在溫升改善和效率提升方面展現(xiàn)出明顯的性能優(yōu)勢，高度適配光伏、儲能應(yīng)用場景。

圖3.正向?qū)▔航礦cesat對比

圖4.開關(guān)損耗對比

PDBG第七代IGBT芯片搭配高性能第三代FRD，產(chǎn)品Vth、Vcesat、Vf 等參數(shù)一致性表現(xiàn)優(yōu)異，高壓開關(guān)波形穩(wěn)定平滑，確保并聯(lián)應(yīng)用高可靠性。產(chǎn)品已在儲能及光伏逆變器、UPS等領(lǐng)域完成驗(yàn)證，并實(shí)現(xiàn)頭部客戶批量供貨。

在光伏應(yīng)用領(lǐng)域，PDBG可提供全套功率器件解決方案。以一臺20kW裂相機(jī)T型三電平光伏逆變器為例，其逆變拓?fù)渲泄彩褂?顆第七代IGBT，分別為4顆650V 120A H系列IGBT和4顆750V 120A H系列IGBT（見下表）。

圖5.T型三電平光伏逆變器拓?fù)鋱D

△光伏逆變器拓?fù)淦骷?/p>

依托12吋先進(jìn)工藝平臺與持續(xù)的研發(fā)投入，PDBG快速完成第七代IGBT產(chǎn)品系列化，已拓展650V、750V、1200V三個(gè)電壓平臺，電流覆蓋40A~160A，該系列產(chǎn)品可有效降低系統(tǒng)損耗、顯著提升系統(tǒng)效率，助力工業(yè)應(yīng)用提頻增效。PDBG第七代IGBT系列化產(chǎn)品的推出既豐富了公司IGBT產(chǎn)品矩陣，更標(biāo)志著公司具備量產(chǎn)高端IGBT的能力。未來，PDBG將以核心技術(shù)突破驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品迭代，以全流程品控保障產(chǎn)品性能穩(wěn)定，以多元產(chǎn)品滿足不同領(lǐng)域客戶需求，以高效響應(yīng)的服務(wù)為客戶創(chuàng)造價(jià)值。

產(chǎn)品列表