英特爾將在即將舉行的2025年VLSI研討會上詳細介紹其Intel 18A制造技術(shù)（1.8nm）相對于Intel 3（7nm）工藝的優(yōu)。正如預(yù)期的那樣，新的生產(chǎn)節(jié)點將在功耗、性能和面積（PPA）指標方面帶來顯著提升，從而為客戶端和數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品帶來切實的優(yōu)勢。

英特爾聲稱，與采用Intel 3工藝技術(shù)制造的相同模塊相比，Intel 18A制造工藝在相同電壓（1.1V）和復(fù)雜度下，性能提升25%，在相同頻率和1.1V電壓下，功耗降低36%。在較低電壓（0.75V）下，Intel 18A工藝性能提升18%，功耗降低 38%。此外，與Intel 3相比，Intel 18A工藝的面積縮小率始終達到0.72倍。

Intel 18A制造技術(shù)是該公司首個采用環(huán)繞柵極（GAA）RibbonFET晶體管并采用PowerVia背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）的節(jié)點，這兩項特性使其在PPA方面具有顯著優(yōu)勢。

標準單元布局對比凸顯了Intel 18A在高性能和高密度庫中均較Intel 3實現(xiàn)了顯著的物理尺寸縮小。Intel 18A將高性能庫中的單元高度從240CH降低到180CH，將高密度庫中的單元高度從210CH降低到160CH，這意味著垂直尺寸減少約25%。這種更緊湊的單元架構(gòu)可以提高晶體管密度，從而直接有助于提高面積效率。

PowerVia BSPDN的使用通過從IC（集成電路）正面卸載電源線，釋放信號布線空間并進一步壓縮布局，從而實現(xiàn)了更高效的垂直布線。此外，改進的柵極、源極/漏極和接觸結(jié)構(gòu)提高了整體單元均勻性和集成密度。這些改進共同使Intel  18A能夠提供更高的單位面積性能和能效，從而支持更先進、更緊湊的芯片設(shè)計。

據(jù)報道，英特爾有望于2025年晚些時候開始為客戶端PC處理器“Panther Lake”量產(chǎn)計算芯片，并于2026年初為Clearwater Forest數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)量產(chǎn)芯片。此外，該公司有望在2025年中期完成首批第三方Intel 18A芯片設(shè)計的流片。

顯然，各方有意為Intel 18A開發(fā)第三方芯片。除了發(fā)表一篇描述Intel 18A技術(shù)的通用論文外，英特爾還計劃發(fā)表一篇論文，描述一種使用Intel 18A生產(chǎn)節(jié)點和BSPDN實現(xiàn)的PAM-4發(fā)射器，該論文由英特爾、Alphawave Semi（一家合同芯片設(shè)計和IP提供商）、蘋果和英偉達的工程師共同撰寫。雖然這并不一定意味著蘋果或英偉達會將Intel 18A工藝用于量產(chǎn)芯片，但至少表明他們對此有興趣。

談到蘋果和英偉達，臺積電表示，幾乎所有合作伙伴都計劃采用其N2（2nm）工藝技術(shù)，因此可以合理預(yù)期該節(jié)點的應(yīng)用將比Intel 18A工藝更廣泛。盡管如此，對于英特爾而言，證明其能夠開發(fā)出具有競爭力的節(jié)點并將其提升到量產(chǎn)至關(guān)重要，因此Intel 18A將對英特爾未來的代工業(yè)務(wù)發(fā)揮至關(guān)重要的作用。（校對/李梅）