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聯(lián)訊儀器“一種生成晶圓圖的方法、裝置及測(cè)試晶圓的設(shè)備”專利公布

來源:愛集微 #聯(lián)訊儀器#
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天眼查顯示,蘇州聯(lián)訊儀器股份有限公司“一種生成晶圓圖的方法、裝置及測(cè)試晶圓的設(shè)備”專利公布,申請(qǐng)公布日為2025年2月28日,申請(qǐng)公布號(hào)為CN119537121A。

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N生成晶圓圖的方法、裝置及測(cè)試晶圓的設(shè)備,包括:確定晶圓上劃分的多組測(cè)試組中的任意一組為預(yù)設(shè)測(cè)試組,確定預(yù)設(shè)測(cè)試組上標(biāo)定位置的第一坐標(biāo)以及預(yù)設(shè)測(cè)試組內(nèi)測(cè)試結(jié)構(gòu)標(biāo)定位置的第二坐標(biāo);確定預(yù)設(shè)測(cè)試組與晶圓的第一位置關(guān)系,并根據(jù)測(cè)試組的尺寸和第一位置關(guān)系在晶圓上對(duì)各測(cè)試組進(jìn)行排布;根據(jù)第二坐標(biāo)和第一坐標(biāo),確定測(cè)試結(jié)構(gòu)與所在測(cè)試組的第二位置關(guān)系,根據(jù)第二位置關(guān)系對(duì)各測(cè)試組中的測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行排布;根據(jù)第一坐標(biāo)、芯片的尺寸以及測(cè)試組的尺寸,對(duì)各測(cè)試組內(nèi)的芯片進(jìn)行排布,生成第一晶圓圖。不受測(cè)試組內(nèi)芯片數(shù)量的影響,極大的提高了生成晶圓圖的效率。

責(zé)編: 趙碧瑩
來源:愛集微 #聯(lián)訊儀器#
THE END

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