3月24日，位于莫斯科的澤列諾格勒納米技術(shù)中心報(bào)告稱，已經(jīng)完成俄羅斯第一臺350nm光刻機(jī)的開發(fā)，已做好批量生產(chǎn)這款350nm光刻機(jī)的準(zhǔn)備。澤列諾格勒納米技術(shù)中心正在根據(jù)第二份國家合同推進(jìn)開發(fā)130nm光刻機(jī)，預(yù)計(jì)2026年完成。

莫斯科市長Sergei Sobyanin表示：“世界上只有不到10個(gè)國家/地區(qū)能夠制造這種半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵設(shè)備。現(xiàn)在，俄羅斯成為其中之一?！?/p>

Sergei Sobyanin指出，俄羅斯的光刻系統(tǒng)與外國同行有顯著不同。這是第一次使用固態(tài)激光器作為光源——功率強(qiáng)大、節(jié)能、壽命更長、光譜更窄。

微芯片制造涉及通過分層工藝在晶圓上創(chuàng)建數(shù)十億個(gè)微小的電子元件。光刻是將電路圖案從掩模（模板）轉(zhuǎn)移到晶圓上的步驟，從而實(shí)現(xiàn)后續(xù)的刻蝕和沉積步驟以構(gòu)建芯片。

光刻機(jī)在微芯片制造中起著關(guān)鍵作用，是芯片制造過程中將集成電路的復(fù)雜設(shè)計(jì)圖案化到硅晶圓上的核心工具。對于微芯片制造而言，光刻機(jī)不僅僅是眾多工具中的一種——它們是整個(gè)制造過程的關(guān)鍵，決定了晶圓廠的可行性和技術(shù)范圍。

光刻機(jī)有兩種類型——DUV（深紫外）和 EUV（極紫外）光刻機(jī)。DUV和EUV設(shè)備的光源和波長不同，這直接影響它們可以創(chuàng)建的特征的大小和復(fù)雜性。

DUV設(shè)備使用準(zhǔn)分子激光器（248nm的氟化氪（KrF）或193nm的氟化氬 （ArF）發(fā)射深紫外光；EUV設(shè)備使用激光產(chǎn)生等離子體（LPP）系統(tǒng)，其中CO?激光器噴射錫液滴以產(chǎn)生13.5nm的極紫外光。

俄羅斯開發(fā)的光刻機(jī)使用固態(tài)激光器，與使用氣體激光器的DUV和EUV光刻機(jī)不同。

固態(tài)激光器在二極管泵浦下具有更高的光學(xué)轉(zhuǎn)換效率（高達(dá)20%~30%），而CO?等氣體激光器效率較低（10%~15%）。固態(tài)激光器使用摻雜固體（晶體/玻璃）作為增益介質(zhì)，不同于氣體激光器（氣態(tài)介質(zhì)），可以將增益介質(zhì)視為激光器內(nèi)部的“燃料”或“引擎”，它激發(fā)來自外部來源（如手電筒燈泡或電）的能量，并將其轉(zhuǎn)化為與激光器相關(guān)的強(qiáng)大聚焦光束。

正如莫斯科市長所說，世界上只有不到10個(gè)國家/地區(qū)能夠制造光刻機(jī)。它們包括荷蘭、日本、美國、中國、俄羅斯等等。

荷蘭是全球光刻機(jī)領(lǐng)導(dǎo)者。ASML為全球市場批量生產(chǎn)DUV和EUV光刻機(jī)。雖然上面列出的其他國家/地區(qū)有能力制造DUV（28nm及以上）設(shè)備，但僅ASML能夠生產(chǎn)EUV（7nm及以下）系統(tǒng)。

俄羅斯有少數(shù)幾家公司使用進(jìn)口DUV設(shè)備運(yùn)營晶圓廠。俄羅斯的主要參與者M(jìn)ikron（總部位于莫斯科附近的澤列諾格勒）可以批量生產(chǎn)90nm芯片。2020年，Mikron獲得65nm工藝的資格，但其產(chǎn)能尚不確定。

俄羅斯希望到2027年實(shí)現(xiàn)28nm本地芯片制造，到2030年實(shí)現(xiàn)14nm本地芯片制造。

2024年10月有報(bào)道稱，俄羅斯已撥款超過2400億盧布（25.4億美元）支持一項(xiàng)大規(guī)模計(jì)劃，到2030年取代外國芯片制造設(shè)備。該計(jì)劃涉及啟動(dòng)110個(gè)研發(fā)（R&D）項(xiàng)目，以減少對進(jìn)口晶圓設(shè)備的依賴。（校對/李梅）