日本芯片制造商鎧俠（Kioxia）開發(fā)出具有更高存儲容量和提升33%接口速度的NAND閃存技術(shù)，預計人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心將對此有強勁需求。

與目前已量產(chǎn)的第八代218層技術(shù)相比，第十代332層創(chuàng)新技術(shù)將數(shù)據(jù)存儲位密度提高59%。鎧俠在與美國合作伙伴 Sandisk（閃迪）的一份聲明中表示，新產(chǎn)品將消耗更少的電力，將數(shù)據(jù)輸入功率效率提高10%，輸出功率效率提高34%。

該閃存將在日本生產(chǎn)，但尚未公布具體時間表。鎧俠正在加入競爭對手的行列，這些競爭對手也在開發(fā)300層以上的閃存技術(shù)。

用于長期存儲的NAND閃存通過分層堆疊存儲單元提高了性能，但不斷上升的設備成本仍然是一個挑戰(zhàn)。

鎧俠還在研究一種方法，分別制造帶有存儲單元的晶圓和帶有控制器的晶圓（控制器負責管理讀寫操作），然后將它們粘合在一起。

鎧俠還在研發(fā)第九代閃存。該公司表示，將把現(xiàn)有的存儲單元技術(shù)與新技術(shù)結(jié)合起來，以提高讀寫性能。（校對/李梅）