2025年2月17日下午，中國科學院半導體研究所和南京大學在仙林校區(qū)電子樓會議室舉行了聯(lián)合共建“黃昆英才班”合作協(xié)議簽約儀式。

據介紹，此次攜手簽約，雙方將進一步聚焦半導體與集成電路前沿領域，強化學術交流與學科、專業(yè)之間的交叉融合，共同培養(yǎng)國家戰(zhàn)略人才和急需緊缺人才，致力于突破“卡脖子”技術，推動我國半導體行業(yè)蓬勃發(fā)展，為實現(xiàn)科技強國目標注入強大動力。

中國科學院半導體研究所所長譚平恒表示，與南大合設“黃昆英才班”，意在整合雙方優(yōu)勢，探索人才培養(yǎng)創(chuàng)新機制，為國家半導體領域培養(yǎng)和輸送頂尖人才，為半導體科技自立自強注入強勁發(fā)展動力。在人才培養(yǎng)上，以“黃昆英才班”為依托，探索新模式，共同實施“雙導師聯(lián)合指導計劃”，進行多路徑個性化培養(yǎng)，共育半導體領域精英，踐行教育強國、科技強國、人才強國戰(zhàn)略使命。希望雙方以本次合作協(xié)議簽署為新的契機，強強聯(lián)合、精準對接，在科技研發(fā)、平臺建設、成果轉化和人才培養(yǎng)等各方面形成“校所合力”，實現(xiàn)資源共享和科教融合發(fā)展，共同為建設科技強國和搶占半導體科技制高點做出更大貢獻。

“黃昆英才班”是以我國著名物理學家、教育家、半導體事業(yè)先驅——黃昆先生命名的拔尖人才培養(yǎng)辦學項目，旨在實現(xiàn)中國科學院與高等院校在科教融合方面的優(yōu)勢互補，為國家培養(yǎng)半導體領域具有國際視野的高素質創(chuàng)新型科技人才。項目由中國科學院半導體研究所組織，目前已與國內20余所重點大學開展了聯(lián)合開班辦學。通過所校深度合作與聯(lián)合培養(yǎng)的方式，雙方共同培育對半導體物理、材料、器件及其集成應用技術懷有濃厚興趣且有志于在相應領域研究的本科生，為相關領域源源不斷地輸送品學兼優(yōu)的后備科研力量。